| 研究課題/領域番号 |
59420030
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| 研究種目 |
一般研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
電子材料工学
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| 研究機関 | 名古屋大学 |
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研究代表者 |
服部 秀三 名古屋大学, 工学部, 教授 (10023003)
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| 研究分担者 |
内川 嘉樹 名古屋大学, 工学部, 教授 (20023260)
丸勢 進 名古屋大学, 工学部, 教授 (20022981)
家田 正之 名古屋大学, 工学部, 教授 (50022984)
内田 悦行 愛知工業大学, 工学部, 教授 (20023187)
森田 慎三 名古屋大学, 工学部, 助教授 (00076548)
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| 研究期間 (年度) |
1984 – 1986
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| 研究課題ステータス |
完了 (1988年度)
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| 配分額 *注記 |
36,700千円 (直接経費: 36,700千円)
1986年度: 3,000千円 (直接経費: 3,000千円)
1985年度: 19,000千円 (直接経費: 19,000千円)
1984年度: 14,700千円 (直接経費: 14,700千円)
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| キーワード | X線リソグラフィ / X線レジスト / プラズマ重合 / ドライプロセス / X線源 / レーザ干渉膜厚計 / アラインメント / 自己現像 / 二重双光路レーザ干渉膜厚計 G値 / プラズマ重合装置 |
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| 研究概要 |
半導体LSI加工のウエハプロセス並びにマスクプロセスを全ドライ化するX線真空リソグラフィの実現の見通しが得られた。
1.レジスト並びにマスク材料工学的研究成果
(1)プラズマ重合レジストの重原子増感効果をシンクロトロン放射光照射実験で見出し、1μmのパターン転写に成功した。
(2)プラズマ重合膜に重原子を数パーセント混入することによりドライ耐性を実現した。
(3)選択的な重原子固定化プロセスにより単層レジストでドライ現像パターン転写の実現の可能性を見出した。
(4)プラズマ重合AuーC膜のドライ加工性の向上により0.5μmのX線吸収体パターンの作成に成功した。
(5)プラズマCVD法により透明度の高い且つ引っ張り応力0.8〜6.5×10^9dyn・cm^<-2>の基板用B-C-N膜の作成に成功.
2.装置工学的研究成果
(1)二重双光路レーザ干渉膜厚計:試料挿入設定機構に対して改良を加え、精度±1nmの高感度化を実現した。
(2)真空紫外照射プラズマエッチング装置:差動排気系によりアルゴンパルスリング放電真空紫外線に対するレジストの異方性現像効果を見出した。
(3)パタン発生器付走査電子顕微鏡:4槽回転型プラズマ成膜現像真空リソグラフィ装置に組み込み、非平面形部品にも超微細加工を可能にした。
(4)円錐対陰極高輝度X線発生装置:アルコールの気化熱を利用したコーン型ターゲット冷却効果により高輝度を実現した。
(5)マスクアラインメント技術の開発:O次位相差回折モアレ法の有効性と±10nmの精度を実証した。
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