| 研究課題/領域番号 |
59850047
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| 研究種目 |
試験研究
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
電子材料工学
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| 研究機関 | 北海道大学 |
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研究代表者 |
下妻 光夫 (1985) 北海道大学, 短大, 助手 (70041960)
大野 英男 北海道大学, 工学部, 助教授
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| 研究期間 (年度) |
1984 – 1985
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| 研究課題ステータス |
完了 (1985年度)
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| 配分額 *注記 |
8,600千円 (直接経費: 8,600千円)
1985年度: 4,500千円 (直接経費: 4,500千円)
1984年度: 4,100千円 (直接経費: 4,100千円)
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| キーワード | ヘテロ接合 / GaAs / 選択ドープ / CCD / 電荷結合素子 / 有機金属気相成長 / MOVPE / MBE |
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| 研究概要 |
1. 有機金属気相成長法における成長中断の影響の解明 ドーピングあるいは組成分布の急峻性を得るために行う成長中断が界面の性質に及ぼす影響を検討した。その結果成長中断面を大気にさらした場合には、成長中断を行った界面において連続したエネルギスペクトルをもつ深い準位がDLTS法により検出された。また、この深い準位は、界面において原子の配列に乱れが生じ、それによって局在準位が生じるとする「表面乱れモデル」によって理解できることを示した。
2. AlGaAs中のDXセンタ AlGaAs中のDXセンタは、熱的活性化エネルギと光学的活性化エネルギが大きく異なり、また電子の捕獲に大きな活性化エネルギがみられる極めて特異な深い準位である。このDXセンタのため、AlGaAsを用いた選択ドープヘテロ接合のAlGaAs側のキャリア濃度は大きな温度依存性を示し、素子の温度特性を不安定なものにする。本研究では現在までの実験結果を整理することにより、DXセンタの位置がAlGaAsの混成軌道エネルギと平行にラインアップすることを見出し、このことよりDXセンタが不純物とホストの結晶とがつくる反結合軌道によるものであるという新しいモデルを提出した。
3. ヘテロ接合界面の電子の生成過程 CCDで重要となる界面電子の生成過程をCCDを用いて評価測定した。その結果、AlGaAs上に形成したショットキ接合の逆方向電流のうち発生・再結合およびトンネル電流が界面電子の生成率を決定していることが明らかにされた。
4. 選択ドープヘテロ接合CCDの試作と動作試験 自己整合プロセスを用いて電極のサブミクロン化を計ったCCD製作プロセスを開発しCCDを実際に製作した。また製作したCCDにおいて三相駆動によって電荷転送動作を167KHzまで確認し、プロセスの妥当性を確認した。
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