| 研究課題/領域番号 |
60122009
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| 研究種目 |
特定研究
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究機関 | 近畿大学 |
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研究代表者 |
犬石 嘉雄 近畿大学, 理工, 教授 (90028902)
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| 研究期間 (年度) |
1985
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| 研究課題ステータス |
完了 (1985年度)
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| 配分額 *注記 |
5,300千円 (直接経費: 5,300千円)
1985年度: 5,300千円 (直接経費: 5,300千円)
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| キーワード | 混晶半導体 / 選択ドーピング / ヘテロ構造 / 量子井戸 / 2次元電子輸送 / ホットエレクトロン / 超格子構造 / 界面の影響 |
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| 研究概要 |
Siを選択ドープしたGax【Al_(1-x)】As/GaAs/Gax【Al_(1-x)】Asのヘテロ接合および単一量子井戸構造を作成し、GaAs層中の2次元電子(2DEG)の高電界電子輸送(ホット・エレクトロン)特性と接合界面状態の測定を行ない、その結果に本年度購入のパーソナルコンピュータを用いた理論的検討およびシミュレーション解析を加えることによって、一応の成果を得た。
すなわち、厚さの異なるGaAs層中の2次元電子の電界下でのシュブニコフ・ド・ハース効果の測定を低温で行ない、パーソナルコンピュータによるフーリェ解析で電子準位を決定すると共にシュブニコフ・ド・ハース効果の振幅から電子温度と電界の関係を求めた。
これらの特性が界面の影響を受けることが明らかになったので、本年度購入のインピーダンスアナライザを用いた容量-電圧特性の実測を行ない、GaAlAs層中のSi分布が影響することが明らかになった。さらに、フォト・ルミネッセンスの測定から電子のエネルギー分布や電子-格子相互作用に関する知見を得た。
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