| 研究分担者 |
吉田 正幸 九州芸術工科大学, 共通専門教室, 教授 (80038984)
南日 康夫 筑波大学, 物質工学系, 教授 (10133026)
梅野 正隆 大阪大学, 工学部, 教授 (50029071)
御子柴 宣夫 東北大学, 電気通信研究所, 教授 (70006279)
竹内 伸 東京大学, 物性研究所, 教授 (60013512)
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| 研究概要 |
1.転位および変形誘起欠陥の電子状態に関し以下の問題を明らかにした。
(1)転位特有の原子配列に起因する電子状態,(2)転位芯部のエネルギーの結合軌道法による評価,(3)SmSの転位芯に生ずる金属的電気伝導,(4)Siの変形誘起点欠陥複合体の浅い電子準位による光伝導。
2.転位のダイナミックスに関し以下の問題を明らかにした。
(1)転位によるフォノンの散乱,(2)転位運動の素過程に関するモデルの実験的検証,(3)GaAs中の転位と各種不純物の相互作用による転位易動度の変化と転位の不動化,(4)Siの脆性破壊に対する結晶欠陥の効果,(5)有機半導体中の光反応生成物と転位の相互作用による塑性の変化。
3.照射誘起欠陥と急冷誘起欠陥に関し以下の問題を明らかにした。
(1)超高圧電子顕微鏡観察によるSi,Ge,GaAs中の点欠陥集合体の形成過程,(2)AlAsとGaAsの超格子のガンマ線照射誘起欠陥のフォトルミネッセンスに対する効果,(3)II-VI化合物の真性点欠陥とその複合体の光学的性質,(4)高温より急冷したSiとGe中に誘起される欠陥の電子準位。
4.不純物と関係する欠陥に関し以下の問題を明らかにした。
(1)SiおよびGe中の酸素ドナーの生成過程とその性質,(2)Si中の浅い電子準位をもつ窒素-酸素複合体の性質とその形成過程,(3)Siの表面層にドープした窒素の熱平衡緩和過程,(4)Si中の不純物金の導入過程と回復過程,(5)Si中の酸化物析出過程に対する不純物の種類と濃度の効果。
5.欠陥物性と評価方法に関し以下の問題を明らかにした。
(1)GaAs中のEL2欠陥の電気的光学的評価とその原子構造,(2)イオン注入したGaAsの焼鈍過程に対するAs圧印加の効果,(3)フォトルミネッセンスによるGaAsの欠陥評価,(4)光音響分光法による半導体の欠陥評価,(5)改良TSC法によるGaAsの欠陥評価。
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