| 研究課題/領域番号 |
60430002
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| 研究種目 |
一般研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
物理化学一般
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| 研究機関 | 東京工業大学 |
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研究代表者 |
籏野 嘉彦 東京工業大学, 理学部, 教授 (90016121)
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| 研究分担者 |
嶋森 洋 福井工業大学, 工学部, 助教授 (80139815)
鵜飼 正敏 東京工業大学, 理学部, 助手 (80192508)
新坂 恭士 東京工業大学, 理学部, 助手 (50016135)
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| 研究期間 (年度) |
1985 – 1988
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| 研究課題ステータス |
完了 (1988年度)
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| 配分額 *注記 |
18,500千円 (直接経費: 18,500千円)
1988年度: 1,000千円 (直接経費: 1,000千円)
1987年度: 1,000千円 (直接経費: 1,000千円)
1986年度: 4,500千円 (直接経費: 4,500千円)
1985年度: 12,000千円 (直接経費: 12,000千円)
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| キーワード | ファン・デル・ワールス分子 / 電子付着過程 / 電子分光 / 電子エネルギー損失スペクトル / 電子スペクトロメーター / 超音速ノズルビーム / 共鳴付着過程 / 負イオン生成スペクトル / 共鳴付着 / マスフィルター / 電子エネルギーアナライザー / 電子銃 |
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| 研究概要 |
原子・分子のイオン化、すなわち正イオン生成過程に比べて、負イオン生成過程、すなわち電子付着過程に関する研究は著しく遅れており、基礎・応用の両面においてその解明が切望されている。なかでもファン・デル・ワールス分子への電子付着過程については我々のグループによってこれまでに種々の特異的な反応が見いだされている。本研究の目的は、ファン・デル・ワールス分子への電子付着過程の特異性がどのような要因によるかを明らかにするとともに、その一般性を明らかにすることにある。
本研究においては、電子付着過程研究の新しい実験法として、本研究者らのグループで開発・確立したパルスラジオリシス・マイクロ波空洞法を用いて、O_2、N_2O、NO、NO_2、SO_2、C_3O_2、alkyl iodides等の分子について、通常の孤立系分子の電子付着過程を詳細に調べて、それぞれの素過程の速度定数絶対値を決定し、付着メカニズムの詳細を明らかにするとともに、気体圧(電子付着する対象分子の圧、およびバッファーガスの圧)および気体温度を系統的に変えて、電子付着速度の測定を行って、これらの分子から成るファン・デル・ワールス分子への特異的な電子付着過程を見出しこれらの結果が凝縮相における電子付着過程、および電子消滅のダイナミックスを解明する上において重要な手掛りを与えることを、明らかにした。
これらの結論をさらに別な手法によって明らかにするために、ノズルビーム中にファン・デル・ワールス分子を生成し、その電子衝突散乱実験法の基礎の確立を試みた。磁気シールドした高真空漕中に、静電分散型の低エネルギー電子・エネルギー損失分光系、およびノズルビーム系を作製した。通常の噴散ノズルビームの場合には電子エネルギー損失スペクトルおよびその角度依存性が得られることを確認し、超音速ノズルビーム中でのファン・デル・ワールス分子の形成を確認した。
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