| 研究課題/領域番号 |
60460014
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| 研究種目 |
一般研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
核・宇宙線・素粒子
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| 研究機関 | 静岡大学 |
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研究代表者 |
宮尾 正大 静大, 電子工学研究所, 助教授 (80022135)
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| 研究分担者 |
設楽 哲夫 高エネルギー物理学研究所, 助手 (50132684)
野村 卓志 静岡大学, 電子工学研究所, 助手 (90172816)
萩野 實 静岡大学, 電子工学研究所, 教授 (90022128)
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| 研究期間 (年度) |
1985 – 1986
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| 研究課題ステータス |
完了 (1986年度)
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| 配分額 *注記 |
7,600千円 (直接経費: 7,600千円)
1986年度: 1,600千円 (直接経費: 1,600千円)
1985年度: 6,000千円 (直接経費: 6,000千円)
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| キーワード | 光電面 / NEA-GaAs / レーザートロン / 寿命試験 / 加速器 / アルミ系の材料 |
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| 研究概要 |
1)NEA-GaAs光電面をレーザートロンに応用し、動作試験を行う為に二つの試験装置を製作した。一台はレーザートロンに用いるような大面積光電面の製作法と低負荷条件での寿命試験の為の装置であり、いま一台は高圧を印加した時の試験用の装置である。
2)加速器に用いる材料であるアルミ系の真空材料をNEA光電面の装置に応用できることを確かめた。アルミ系の材料からの残留ガスはステンレス系の材料に比べて光電面に大きな影響を与えないことが分った。
3)光電面に用いるGaAsの表面の原子レベルでの清浄化処理は、超高真空中でGaAsを約550度に加熱して行っている。電子衝撃法と傍熱法の加熱方法を試験した。
4)NEA-GaAs光電面の感度は真空排気プロセスに強く依存するが、これらの工程をきちんと管理すれば非常に再現性良く行える事が分った。5)残留ガスや電子ビームによる放出ガスにより劣化したNEA表面はCsの吸着のみで感度の回復が得られれる。この時、適当なCsの吸着方法を用いると光電面の寿命は長くする事が出来る事が分った。
6)一方、劣化した表面を再度650度Cに加熱すると再びCsの無い初期の表面に戻す事が出来る。しかし、加熱清浄化を繰り返すと次第に得られる量子効率はしだいに低下してゆく。この問題の解決法は今後の課題に残された。
7)レーザートロンのRF取り出し実験に備えて、高電圧印加試験用の容器の中でNEA-GaAs光電面の活性化試験を行った。この装置でCsを供給した状態で100KVまでの電圧印加実験を行った。
8)この装置を使って実際に光電面を製作しパルスレーザー光を照射して電流を取り出す試験を開始した。
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