| 研究課題/領域番号 |
60460120
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| 研究種目 |
一般研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
電子材料工学
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| 研究機関 | 名古屋大学 |
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研究代表者 |
後藤 俊夫 名大, 工学部, 助教授 (50023255)
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| 研究分担者 |
稲葉 成基 岐阜高専, 電気工学科, 助教授 (30110183)
羽根 一博 名古屋大学, 工学部, 助手 (50164893)
河野 明広 名古屋大学, 工学部, 講師 (40093025)
AKIHIRO Kono Assistant Professor, Faculty of Engineering, Nagoya University
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| 研究期間 (年度) |
1985 – 1986
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| 研究課題ステータス |
完了 (1986年度)
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| 配分額 *注記 |
7,400千円 (直接経費: 7,400千円)
1986年度: 500千円 (直接経費: 500千円)
1985年度: 6,900千円 (直接経費: 6,900千円)
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| キーワード | プラズマプロセシング / Si【H_4】 / ラジカル非発光種 / 電子衝突 / 発光断面積 / 生成断面積 / 寿命 / LIF法 |
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| 研究概要 |
Si【H_4】はアモルファスシリコン膜作製に用いられる重要な分子であるが、その電子衝突過程の研究は十分行われていない。本研究の目的は、各種の分光計測法を用いて、Si【H_4】への電子衝突によって生じるラジカル発光種の発光断面積、カスケードを除去した生成断面積、寿命を測定し、更にその結果を利用して、SiHラジカル非発光種の生成断面積を決定することである。本研究は60年度から61年度にかけて行われ、次の成果を得た。
1.ビーム法と光子計数法を用いて、Si【H_4】への電子衝突によって生じるラジカル発光種(Si【H^*】,【Si^*】,【H^*】)の発光断面積を0-100evの電子エネルギー領域で決定した。この研究によって、He線を基準として用い、絶対量の測定をせずに、ラジカル種の発光断面積を決定する方法を確立した。
2.遅延一致法を用いて、【Si^*】及びSi【H^*】ラジカル発光種からの遷移の発光減衰測定を行い、発光種の寿命、カスケードの寄与の割合を求めた。またこの結果と1の結果を組合せて、【Si^*】(4S,4P,3d,【3P^3】)準位,Si【H^*】(【A^2】△)準位の生成断面積(10ueV)を決定した。この生成断面積は本研究で初めて測定されたものであり、発光断面積と共にプラズマの物性解明を行う際の有用なデータである。
3.色素レーザを用いたレーザ誘起蛍光法(LIF法)を利用して、SiH(【A^2】△)に属する個々の振動回転準位の寿命を求めた。
4.LIF法及び時間分解分光法を用い、更に1〜3の結果を利用して、SiHラジカル非発光種(【X^2】Π)の電子衝突生成断面積を決定する方法を考え、予備測定を行った。この測定は現在も続行中であるが、今後SIN比の改善レーザ出力の増加を計ることによって、最終的な結果を得ることができると思われる。
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