| 研究課題/領域番号 |
60850058
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| 研究種目 |
試験研究
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
電子材料工学
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
生駒 俊明 東大, 生産技術研究所, 教授 (80013118)
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| 研究分担者 |
斎藤 敏夫 東京大学, 生産技術研究所, 助手 (90170513)
栗原 由紀子 東京大学, 生産技術研究所, 助手 (90013200)
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| 研究期間 (年度) |
1985 – 1986
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| 研究課題ステータス |
完了 (1986年度)
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| 配分額 *注記 |
12,500千円 (直接経費: 12,500千円)
1986年度: 5,000千円 (直接経費: 5,000千円)
1985年度: 7,500千円 (直接経費: 7,500千円)
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| キーワード | 集束イオンビーム;イオン源 / トランジェントアニール / サブミクロンデバイス / 新機能デバイス / ガリウムヒ素 / 混晶半導体 / フォトルミネセンス / 集束イオンビーム / 超微細ドーピング / イオン源 / 混晶 / フォトルミネッセンス法 |
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| 研究概要 |
1.集束イオンビーム装置の調整と高性能化
集束イオンビーム(FIB)用の種々のイオン源を高真空中で作製し、寿命を飛躍的に向上させた。ExB質量分析器で所望のイオンのみを取り出し、0.1um径に集束し、コンピュータでビームを精密に制御できることを確認した。
2.トランジェントアニール
Siイオン注入GaAsのイオン活性化を図るためにトランジェントアニールを行なった。種々の電気的・光学的測定の結果から、アニール中に発生する【Si_(AS)】および【Ga_(AS)】がアクセプタとして働き、活性化率を左右するという新しい知見を得た。
3.微細ドーピング領域の特性
集束Si,BeイオンをGaASに注入し、活性化率40%,90%をそれぞれ得た。これは通常のイオン注入とほぼ同じ値である。フォトルミネセンス測定では結晶欠陥に起因する発光が観測されず、良好なドーピング層が形成されていることがわかった。60秒以上のアニールでは注入Beが異常拡散することが明らかになった。
4.微細領域へのイオン打込みによる新機能電子デバイスの作製
集束イオンビーム注入の特徴である微細領域へのドーピングを生かして横型J-FETと縦型J-FETを新しく考案した。注入不純物の分布を計算することにより、これらのデバイスのFIB注入条件を決定した。
5.微細領域への高濃度打込みによる新しい電子材料の作製
二元化合物であるInPに集束Gaイオンを注入し、三元混晶GaInPを選択形成することを試みた。結晶欠陥が完全に回復せず、一部多結晶化,クラスタ化しているものの、部分的にGaInP混晶が形成されていることを光学的手法により明らかにした。
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