| 研究課題/領域番号 |
61040016
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| 研究種目 |
エネルギー特別研究(エネルギー)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究機関 | 東京工業大学 |
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研究代表者 |
高橋 清 東京工大, 工学部, 教授 (10016313)
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| 研究分担者 |
松波 弘之 京都大学, 工学部, 教授 (50026035)
浜川 圭弘 大阪大学, 基礎工学部, 教授 (10029407)
本間 琢也 筑波大学, 構造工学系, 教授 (30134208)
後川 昭雄 宇宙科学研究所, 教授 (20013625)
青木 昌治 東京理科大学, 理工学部, 教授 (80010619)
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| 研究期間 (年度) |
1984 – 1986
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| 研究課題ステータス |
完了 (1986年度)
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| 配分額 *注記 |
30,600千円 (直接経費: 30,600千円)
1986年度: 30,600千円 (直接経費: 30,600千円)
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| キーワード | 光起電力素子 / 太陽電池 / 波長分割方式 / 光CVD / 太陽光発電 |
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| 研究概要 |
電荷分離用内部電界形成と新構造光起電素子への応用では、電荷分離用内部電界としてMIS反転層を用い、外部より電界を印加することにより強い反転層を誘起する新型構造を提案し、20%を超える変換効率が達成可能なことを明示した。波長分割方式における長波域【III】-【V】族混晶光起電力素子の研究では太陽光の全スペクトルを効率よく利用するため、混晶半導体の三層を用いることにより30%以上の変換効率が得られることを明示した。透明導電膜一半導体〜テロ接合太陽電池では【In_2】【O_2】/【II】-【VI】化合物薄膜/P-Si太陽電池で12.6%の高効率が得られた。多層構造形【II】-【VI】族半導体の光起電力効果の研究では、液相成長法によりn-CaSe/p-ZnTeへテロ接合を初めて形成し、太陽電池としての可能性を示した。燐化亜鉛薄膜太陽電池の研究では【Zn_2】【P_2】が新しい太陽電池材料として注目されている。ここではプラズマアシステッド法で【Zn_2】【P_2】の薄膜を形成し、その基礎物性を明らかにした。低抵抗ZnSeの成長とGaAsとのヘテロ接合では塩素のド-ピングにより、従来困難視されていたZnSeの低抵抗化に成功した。光CVD法による高効率アモルファス太陽電池の研究では、光CVD法により高品質なa-Si膜が得られ、a-Si/a-SiGe/CuIn【Se_2】接合形成に成功した。a-Si/結晶系タンデム型太陽電池【III】ではa-Si/polySiの組合で13.3%の変換効率が得られ、さらにその高効率化が期待される。エキシマレ-ザ誘起光CVD法によるa-Si太陽電池の高効率化の研究ではArFエキシマレ-ザを用いて高品質のa-Si形成に成功した。a-SiH太陽電池の分光特性とギャップ状態密度ではa-Siの局在準位密度を、太陽電池の分光特性から求める方法を提案し、解析を行なった。太陽光発電システムの最適化に関する考案では太陽光発電をインバ-タ・レドックス・フロ-型電池を含め、かつ周波数変動など、システムとしての特性評価を行なった。
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