| 研究課題/領域番号 |
61105006
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| 研究種目 |
特定研究
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
武居 文彦 東大, 物性研究所, 教授 (60005981)
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| 研究分担者 |
青木 亮一 九州大学, 理学部, 助教授 (70037175)
北沢 宏一 東京大学, 工学部, 助教授 (90011189)
小松原 武美 筑波大学, 物質工学系, 教授 (80004331)
小松 啓 東北大学, 金属材料研究所, 教授 (00108565)
関沢 和子 日本大学, 理工学部, 教授 (40059259)
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| 研究期間 (年度) |
1986
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| 研究課題ステータス |
完了 (1986年度)
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| 配分額 *注記 |
38,000千円 (直接経費: 38,000千円)
1986年度: 38,000千円 (直接経費: 38,000千円)
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| キーワード | 超伝導物質の合成 / 超伝導物質の結晶成長 / 化合物超伝導体 |
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| 研究概要 |
特異な物性を示す化合物群について、特殊條件下での合成、および単結晶育成技術を確立し、超伝導発現々象究明のための種々の物性測定を行ない、新超伝導物質探索のためのいくつかの指針を得た。
(1)多元系超伝導物質の合成(武居):前年度合成されたHo【Mo_6】【S_8】単結晶につき、【Tc_2】以下での強磁性はその回復過程に非常に大きな時間依存性を持つことが見出された。Er【Rh_4】【B_4】に衝撃波超高圧を加えると、【Tc_1】は減少し【Tc_2】は増加することがわかった。新超伝導体としてY【Rh_3】B,【Nb_5】【Sn_2】Gaが見出された。
(2)希土類金属間化合物(関沢):Ir-Lu系ではラーベス相Lu【Ir_2】に非常に大きな非化学量論比があり、それによって超伝導転移が影響を受ける。La【Rh_2】【Si_2】は超伝導とはならないことが判明した。(【La_2】【Rh_3】【Si_5】は超伝導)。
(3)結晶完全性(小松):トップシード法によりA15型【Nb_3】Sn単結晶を育成し、その際不純物(Ti,Ta)の効果や融液対流の効果を検討した。トップシード法では最高のTc=18.59Kを得たが、Ti添加はTcを減少させた。
(4)希土類化合物単結晶(小松原):Ce【Cu_2】【Si_2】の単結晶をチョクラルスキー法で育成した。純良結晶を得るための條件、特にCu組成によるTc変化、残留酸素の効果等について詳細に検討を加えた。
(5)MOCVD(北沢):プラズマ励起MOCVD法によりVN薄膜を合成した。これはTc=9.3Kの第二種超伝導体で、MOCVDによる世界初の超伝導薄膜の合成に成功したことになった。
(6)多層薄膜(青木):ホットウォール法によるTl添加PbTe膜の単結晶化に成功した。この膜(Tc=1.9K)のトンネル効果からキャリヤ濃度を測定した。
(7)Ba【Pb_(1-X)】【Bi_x】【O_3】(平野):水熱法によりmmサイズの単結晶育成に成功した。
(8)金属水素化物(森):NbHx,NbDxスパッタ膜の同位体効果を調べた。
(9)糸状金属(後藤):高TcPb-Bi系糸作成。
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