| 研究課題/領域番号 |
61214010
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| 研究種目 |
特定研究
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究機関 | 大阪市立大学 |
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研究代表者 |
大倉 ひろし 阪市大, 工学部, 教授 (50046801)
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| 研究分担者 |
森 雄造 大阪市立大学, 工学部, 助教授 (30047279)
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| 研究期間 (年度) |
1986
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| 研究課題ステータス |
完了 (1986年度)
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| 配分額 *注記 |
1,600千円 (直接経費: 1,600千円)
1986年度: 1,600千円 (直接経費: 1,600千円)
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| キーワード | 半導体内の深い準位 / GaAs / EL2準位 / 共鳴ラマン散乱 / フォトルミネセンス / フォトリカバリー / 光消光 / 光励起非平衡状態 |
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| 研究概要 |
半導体混晶内の深い準位の物性制御を目的としてLEC SI GaAs中のEL2準位の光励起状態の物性研究を行った。具体的にはYAG:Ndのレーザの1.06μmと1.34μm線を用いて共鳴ラマン散乱(RRS)とフォトルミネセンス(PL)との測定を行った。その結果、EL2準位に関する光学的過程は、GaAs母体の違いを反映して二つのタイプ(type【I】と【II】)とに分類されるとの指摘を行った。
以下に成果を個條的に示す。
1.RRS:1.06μm励起に対し【I】と【II】は80Kでは同じスペクトルを示めしたが23Kでは、共に162【cm^(-1)】ピーク線が消減し、代りに【II】では149【cm^(-1)】と174【cm^(-1)】の2つのピークが出現した。しかし【I】では新しいピークは出現しなかった。次に1.34μm励起によるRRSスペクトルは、【I】と【II】で共通であり、80と23Kでも差異を生じない。以上のことから162【cm^(-1)】はEL2のRRS線、149【cm^(-1)】は【EL2^*】のRRS線との同定を行った。
2.PL:PLの温度変化は、1.34μm励起の際は、【I】では単純な熱的消光を示したのに対し【II】では162K付近でピークを生じた。1.06μm励起では、【I】では典型的な光消光を示したのに、【II】では消光を示さなかった。(80K)。【I】のフォトリカバリーは、130K以上で1.34μm照射で生じた。このことは液体Heでのみ測定されていたことである。
3.光励起非平衡状態のRRS(80K):試料【II】に於いて、1.34μm(Chop)と1.06μm(定常光)との同時照射により新しいRRSスペクトルが測定された。これは、光励起非平衡状態より発するものであるが、単純な【EL2^*】とは考えられない。1.34μmパレス励加によるPLのレスポンス時間は時定数0.3msecの指数関数形を示した。 以上
来年度は、混晶における深い準位の光学的過程の研究を推進する予定である。
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