研究課題/領域番号 |
61306027
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研究種目 |
総合研究(B)
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配分区分 | 補助金 |
研究分野 |
金属物性
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研究機関 | 東京大学 |
研究代表者 |
堂山 昌男 東大, 工学部, 教授 (40010748)
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研究分担者 |
青木 亮三 九州大学, 理学部, 教授 (70037175)
権田 俊一 大阪大学, 産業科学研究所, 教授 (70175347)
高木 俊宜 京都大学, 工学部, 教授 (10025801)
小長井 誠 東京工業大学, 工学部, 助教授 (40111653)
内野倉 國光 東京大学, 工学部, 助教授 (20015564)
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研究期間 (年度) |
1986
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研究課題ステータス |
完了 (1986年度)
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配分額 *注記 |
1,300千円 (直接経費: 1,300千円)
1986年度: 1,300千円 (直接経費: 1,300千円)
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キーワード | 人工格子 / 多層膜 / 超格子 / 分子線エピタキシ / LB膜 |
研究概要 |
人工格子は金属ー金属、半導体ー半導体、有機多層膜など種々の物質を層状に積み合せることにより作ることができる。これらは製造方法も異なり、応用も異なるが、その中にも構造評価、機能設計などで、共通したものがある。日本の主な大学関係の研究者が一堂に会して討論をした結果は非常に有意義で互いに切磋琢磨することができた。金属ー金属として、新庄らはFeーMnおよびMnSbーSb人工格子につきX線回折法により組成変調とtexture構造を解析し、山本ー堂山らはMoーCuの多層膜において初めてRHEED強度の振動を観察した。内野倉らはNb/Si多層膜を作り、超伝導特性を研究した。藤森らはMo/Siスパッター金属多層膜をもちい相互拡散の研究を行なった。岩本らはイットリウムハフニウム包含合金についての研究を行なった。半導体超格子では坂東らは(PbSe)n(SnSe)m人工格子の合成と構造、権田らは(GaAs)m(InAs)n歪格子をラマン散乱を用いて構造評価を行なっている。榊らは分子線エピタキシー法によりGaAsーAlGaAsヘテロ界面の構造をとくに平担化の点から研究を行なった。西沢らはストイキオメトリーからのずれを制御した化合物半導体薄膜の欠陥構造について研究した。青木らはPbTe(Tl)薄膜のエピタキシー評価とトンネル分光を研究した。高橋らはZnSe/ZnTe歪格子の構造評価と物性制御について研究している。寺内らはMBEを用いて人工格子のラス構造、歪格子の研究を行なった。有機薄膜として、国府田らは電場変調分光法をもちいて評価している。菊田らは多層膜の応用として核共鳴ブラッグ散乱として【Fe^(57)】/【Fe^(56)】を提案した。高木らはクラスターイオンビーム法による多層膜について発表した。このように金属から半導体、有機にいたる広い研究集団が一堂に集り討論できたことはこの上もない機会であった。
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