| 研究概要 |
前年度にひきつづき対象とする非晶貭金属として単体Be膜およびNb_3Ge合金と決めた. いずれもT=4に前後で超伝導性を示す. 前者の試料は,当研究所で作成できないため,NTT基礎研究所の御協力を得てイオンビームスパッタリングで作成した. 後者は,基板を液体窒素で冷却した状態でRFスパッタリング(当研究所)で作成した. どちらの膜も50
得られたデータを現在解析中であるが,全体的な振舞いの様子から,これらふたつの系で顕著な相違がみられる. その理由は,研究当初から予想した様に,単体Be膜はその軽い原子貭量から期待される,〓〓に,スピン・軌道散乱を完全に無視できる事から,ゆらぎを抑えた高温で負の磁気抵抗がみられるのに反し,Nb_3Geの膜ではスピン・軌道の効果が大きく負の磁気抵抗がまったくみられないからである. このような全体的な振舞いから,現在理論的に期待される5つのメカニズム,すなわち,ゆらぎに関するAL項,及びMTL項,及び相互作用効果としてCPH,CPP,そして局在効果,と比較検討を行なっている.
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