| 研究概要 |
準安定A-15型超電導体の【Nb_3】Geは10数年間にわたってその世界最高の高臨界温度記録を保持していたが61年末から62年初頭にかけてセラミック超電導体の高臨界温度改善はまことにめざましいものがあり、臨界温度に関してはA-15化合物は2番目グループになってしまった。このような歴史的な超電導新物質の開発という緊迫した情況の中で本研究は精力的に遂行された。
【i】試料作製
Nb系のA-15型化合物である【Nb_3】Ge、【Nb_3】【Ge_(1-x)】【Si_x】、【Nb_3】SiをRFスパッタリング法で多数作製した。加熱ヒータの改善,磁場利用,間欠法の採用,同時多試料作製等の努力により作製条件を向上させた。
【ii】臨界温度
常伝導領域で電気抵抗の金属的振舞を示すものはその超伝導ゆらぎ効果がかなり高い温度から顕著に始まっていることがわかった。 又かなり多くの試料が常伝導領域で半導体的振舞を示し電気抵抗対温度のカーブでピークの後に急激な転移を示す。他の研究の慣例に従ってこのピークをTc-onとするとTc-on〜25Kにもなりこれは【Nb_3】Geとしては従来のものより高い値である。
【iii】音波測定
表面波測定の前段階としてバルク超音波の吸収係数と音速変化を測定した。その周波数伝有性等を解析した。
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