| 研究概要 |
金属間化合物に多量の水素を吸収させた金属水素化合物を形成して, その電気的性質および磁気的性質を広範囲に修正・制御することが本研究の目的であり, 次の各項のような成果を挙げた.
1.Mg_2Ni,FeTi,LaNi_5などを母体とした金属水素化合物をガラス基板上の薄膜として固定化することに成功した. 従来, これらの材料は水素化と同時に微粉化してしまい, 電気的測定・光学的測定は不可能であったが, この薄膜金属水素化物により, 電気抵抗・ホール係数・光吸収の測定を初めて行うことができるようになった.
2.Mg_2Ni膜の可視領域吸収分光測定によって, この材料が1.2〜1.5eVのエネルギー・ギャップを有する半導体であることを確認した. この材料によって太陽光を使って水を分解させることが可能であると考えられる. またMg_2NiH_xの粉末成形体の電気抵抗を測定して, 水素吸収量と電気的性質の相関を明らかにした.
3.LaNi_5H_x膜, LaCo_5H_x膜を形成して, ホール係数を初めて測定した. これらの材料は異常ホール効果を有し, 水素化に際して, NiやCoが一部析出することを示している. また, これらの材料の負のホール係数を示した.
4.高圧水素雰囲気下でFeTi(Ti3wt%rich)を水素化し, 電気抵抗が減少することを見い出した. これは, 電子構造の計算結果と矛盾していない.
5.YCo_3のCoを一部NiまたはFeで置換したY(Co/Ni/Fe)_3系の合金の水素吸収特性を決定し, さらに, 磁性が水素吸収量によって大きく変化することを見い出した.
以上のように, 各種の合金材料を高濃度に水素化することにより, 電磁気物性を広範囲に制御させることができることが分かった. この種の材料を種々の電子デバイスに利用できる見込みがある.
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