| 研究概要 |
2.4-Dを含む培地で培養したニンジン培養細胞を分画後, 2.4-Dを含まず10^<-7>MZeatinを含む培地へ移行培養を続けると, 低密度(12%Frcollで浮かぶ)の細胞は, アントシアンを合成し, 高密度(14%Frcoll溶液で沈む)の細胞は不定胚を形成する.
1.培地中で膜電位を測ると-40mtを示し, 塩や2.4-Dの添加(除去)で変わらない.
2.低濃度の塩を含むTest medium中で膜電位を測ると, 値は-60〜110mtの間に広く分布し外〓のK^+濃度に大きく依存するが, Mg^<++>, Ce++にはあまり依存しない.
3.細胞をFrcoll denartg gridrent centrifugstionで分画すると, 高い密度(14%フイコール溶液で沈降する)の細胞は, Test-medium中で-150mtを示し, 2.4-Dを含まない培地へ移行後不定胚形成がおこっても膜電位は変化しなかった.
他方, 密度(6〜10%フイコール溶液の界面に集まる)の細胞は, Test-medium中で-60/-110mvの膜電位を示した. 又これらの細胞を, 2.4-Dを含まず, 10^<-7>MZeatinを含む培地で培養すると, アントシアン合成の開始に先行して, 約15mtほど過分様へshrftした. 又, アントシアンを合成している細胞に, 2.4を添加すると, 膜電位は, 一過性の過分様, ひきつづいて脱分様が, アントシアン合成阻止に先行して見られた.
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