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原子レベルでの結晶成長機構に関する研究

研究課題

研究課題/領域番号 62302060
研究種目

総合研究(A)

配分区分補助金
研究分野 結晶学
研究機関東京大学

研究代表者

西永 頌  東京大学, 工学部, 教授 (10023128)

研究分担者 赤崎 勇  名古屋大学, 工学部, 教授 (20144115)
武居 文彦  東京大学, 物性研究所, 教授 (60005981)
八木 克道  東京工業大学, 理学部, 教授 (90016072)
小松 啓  東北大学, 金属材料研究所, 教授 (00108565)
黒田 登志雄  北海道大学, 低温科学研究所, 教授 (70080447)
研究期間 (年度) 1987 – 1989
研究課題ステータス 完了 (1989年度)
配分額 *注記
15,600千円 (直接経費: 15,600千円)
1989年度: 5,200千円 (直接経費: 5,200千円)
1988年度: 5,200千円 (直接経費: 5,200千円)
1987年度: 5,200千円 (直接経費: 5,200千円)
キーワード結晶成長理論 / 核形成 / ステップ機構 / エピタキシャル成長機構 / 成長表面構造 / 計算機シミュレ-ション / 表面ラフニング / 成長のその場観察 / ステップカイネティクス / 原子的ステップ / ステップの動力学 / ステップ運動のその場観察 / エピタキシャル成長 / モンテカルロシミユレーション / マクロステップ
研究概要

本総究では、原子レベルでの結晶成長機構を調べる目的で、問題を以下の1)〜7)にわけ、理論家と実験室がお互いの領域を越えて検討し研究を進めた。まず1)結晶成長理論の精密化に関しては、擬似液体層が存在する場合の成長、樹枝状成長の形態、計算機による成長のシミュレ-ション等を行ない成長の微視的振舞についての理解を深めた。2)核形成の原子的プロセスに関しては微粒子の核形成、多成分系の核形成理論等につき研究を行なった。3)原子的ステップの振舞については、超高真空下でGaAsのMBE成長を行なったとき、成長とともにステップ端がどのように変化するかを調べた。同時にGaの表面拡散につき知見を得た。又、ファセット近傍の外形を調べることによりステップ間相互作用についての知見を得た。さらに高分子の結晶成長におけるステップの役割について研究を行なった。4)結晶の表面構造は、成長を理解する上で極めて重要である。そこで、超高真空下でシリコンの表面構造をステップとのかかわり合いでくわしく調べた。又、高温での結晶表面のラフニングについても研究を行なった。5)成長のその場観察については水溶液からの結晶成長につき濃度分布と流れを観察しつつステップの動きを調べる成長系を試作し実験を行なった。成長速度を増加して行くと、ある所で対流が発生し、それにともないステップ速度が大きく増加する。6)高温超電導材料の結晶成長を行ない、溶液成長における表面形態とりわけ成長ステップの観察を行なうことにより環境相と成長機構に関する知見を得た。7)エピタキシャル成長機構に関しては、気相成長におけるマクロステップの発生とヘテロエピタキシャル成長における核形成の様子を調べた。
以上、核形成から環境相における物質輸送まで理論的、実験的研究を行ない原子スケ-ルでの成長過程に関しより深い理解を得た。

報告書

(4件)
  • 1989 実績報告書   研究成果報告書概要
  • 1988 実績報告書
  • 1987 実績報告書
  • 研究成果

    (22件)

すべて その他

すべて 文献書誌 (22件)

  • [文献書誌] T.Nishinaga: "Study of Nitrogen Inhomogeneity in LPE GaP by Spatially Resolved Photoluminescence" Japan.J.Appl.Phys. 28. 836-840 (1989)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      1989 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] T.Shitara: "Surface Diffusion Length of Ga during MBE Growth on the Various Misoriented GaAs(001)Substrates" Japan.J.Appl.Phys. 28. 1212-1216 (1989)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      1989 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] T.Nishinaga: "Growth Induced Conpositional Non-unifornuity in(Ga,Al)As and Thermodynamical Analycis" J.Crystal Growth. 98. 98-107 (1989)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      1989 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] S.Zhang: "Epitaxial Lateral Overgrowth of GaAs on(001)GaAs Substrates by LPE,Growth Behavior and Mechanism" J.Crystal Growth(印刷中).

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      1989 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] T.Nishinaga: "Surface Diffusion and Related Phenomena in MBE Growth of III-V compounds" J.Crystal Growth(印刷中).

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      1989 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] Y.Suzuki: "The Sources of Atomic Steps in Epitaxial Lateral Overgrowth of Si" J.Crystal Growth(印刷中).

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      1989 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] 西永頌: "総研(A)「原子レベルでの結晶成長機構に関する研究」第1〜3回研究報告論文集(英文),Proc.1st〜3rd Topical Meeting on Crystal Growth Mechanism" 本総研事務局, 114,118,110 (1988,1989,1990)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      1989 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] T. Nishinaga et al: "Study of Nitrogen Inhomogeneity in LPE GaP by Spatially Resolved Photoluminescence" Japan. J. Appl. Phys.28. 836-840 (1989)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      1989 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] T. Shitara et al: "Surface Diffusion Length of Ga during MBE Growth on the Various Misoriented GaAs(001) Substrates" Japan. J. Appl. Phys.28. 1212-1216 (1989)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      1989 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] T. Nishinaga et al: "Growth Induced Compositional Non-uniformity in (Ga,Al)As and Thermodynamical Analysis" J. Crystal Growth. 98. 98-107 (1989)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      1989 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] S. Zhang et al: "Epitaxial Lateral Overgrowth of GaAs on (001)GaAs Substrates by LPE, Growth Behavior and Mechanism" J. Crystal Growth (in print).

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      1989 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] T. Nishinaga et al: "Surface Diffusion and Related Phenomena in MBE Growth of III-V Compounds" J. Crystal Growth (in print).

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      1989 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] Y. Suzuki et al: "The Source of Atomic Step in Epitaxial Lateral Overgrowth of Si" J. Crystal Growth (in print).

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      1989 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] T.Nishinaga: "Study of Nitrogen Inhonogeneity in LPE GaP by Spatially Resolved Photo luminescence." Japan.J.Appl.Plys.28. 836-840 (1989)

    • 関連する報告書
      1989 実績報告書
  • [文献書誌] T.Shitara: "Surface Diffusion Length of Ga during MBE Growth on the Various Misoriented GaAs(oo1)Substrates" Japan.J.Appl.Phys.28. 1212-1216 (1989)

    • 関連する報告書
      1989 実績報告書
  • [文献書誌] T.Nishinaga: "Growth Indnced Conposittonal Nonuniformity in(Ga,Al)As and Thermoclynamical Analyeis" J.Crystal Growth. 98. 98-107 (1989)

    • 関連する報告書
      1989 実績報告書
  • [文献書誌] S.Zhang: "Epitoxial Lateral Overgrowth of GaAs on(001)GaAs Substrates by LPE,Growth Behavior and Mechanism" J.Grystal Growth(印刷中).

    • 関連する報告書
      1989 実績報告書
  • [文献書誌] T.Nishinaga: "Surface Diffusion and Related Phenomena in MBE Growth of III-V compounols" J.Grystal Growth(印刷中).

    • 関連する報告書
      1989 実績報告書
  • [文献書誌] Y.Suzuki: "The Sources of Afomic Steps in Epitaxial Lateral Overgrowth of si" J.Crystal Growth(印刷中).

    • 関連する報告書
      1989 実績報告書
  • [文献書誌] 西永頌(編集): "総研(A)「原子レベルでの結晶成長機構に関する研究」第3回研究会報告論文集(英文)、Proc.3rd Topical Meeting on Crystal Growth Mechanism" 本総研事務局, 110 (1990)

    • 関連する報告書
      1989 実績報告書
  • [文献書誌] 西永頌 編: "総研(A)「原子レベルでの結晶成長機構に関する研究」第2回研究会報告論文集(英文)、Proc.2nd Topical Meeting on Cryrt.Growth Mechanism" 本総研事務局, 118 (1989)

    • 関連する報告書
      1988 実績報告書
  • [文献書誌] 西永頌編集: "総合研究(A)「原子レベルでの結晶成長機構に関する研究」第1回研究会報告論文集(英文),Proceedings of the First Topecal Meating on Crystal Growth Mechanism." 本総研(A)事務局, 114 (1988)

    • 関連する報告書
      1987 実績報告書

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公開日: 1987-04-01   更新日: 2016-04-21  

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