| 研究課題/領域番号 |
62550217
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| 研究種目 |
一般研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
電子材料工学
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| 研究機関 | 岩手大学 |
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研究代表者 |
馬場 守 岩手大学, 工学部, 助教授 (20111239)
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| 研究期間 (年度) |
1987 – 1988
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| 研究課題ステータス |
完了 (1988年度)
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| 配分額 *注記 |
1,400千円 (直接経費: 1,400千円)
1988年度: 200千円 (直接経費: 200千円)
1987年度: 1,200千円 (直接経費: 1,200千円)
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| キーワード | 電子線リソグラフィ / 無機レジスト / 不純物拡散 / 高融点金属 / リフトオフ / スバッタエッチング / 酸化タングステン / 酸化モリブデン / スパッタエッチング / 電子線レジスト / リソグラフィ / 耐熱性材料 / 拡散マスク |
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| 研究概要 |
1.WO_3薄膜の不純物拡散用マスク特性
Si基板へのP及びB拡散に対するWO_3膜のマスク効果を調べた。その結果ドーバントとしてP_2O_5及びB_3O_3を用いた気相拡散法で、WO_3膜の良好なマスク特性を得た。とくにP拡散に対するWO_3膜の阻止能は、従来用いられているSiO_2膜にほぼ匹敵し、また拡散フロントの一様性も良好であった。
2.SiO_2膜の微細パターン作成
(1)Siのドライ酸化に対するWO_3膜のマスク効果を調べた。その結果、SiO_2膜の生成をかなりの程度抑制することがわかったが、完全に阻止することが難しいことも判明した。
(2)MoO_3膜がリフトオフ工程に有用であることが明らかとなった。その結果、選択酸化に代わる新たなSiO_2膜のパターン形成法として、MoO_3レジストを用いたリフトオフにより、微細なSiO_2パターンを作成することができた。
3.MoO_3及びWO_3薄膜のスパッタエッチング耐性
MoO┣D23膜のArのスパッタエッチングに対するエッチング速度がAu膜のそれの1/5であることを見出した。このような特性をもつMoO┣D23┫D2マスクを用いて、ArスパッタエッチングによるAu膜の微細パターンの作成に成功した。
4.今後の研究の展開
1.で述べたWO_3膜の拡散マスク特性は、WO_3膜が電子線レジスト特性もあわせもつことから、Si微細加工における不純物拡散プロセスの簡易化に貢献できると考えられる。また、MoO_3及びWO_3膜のスパッタエッチングに対する耐性は、イオンインフランテーションに対するマスク効果をもたらすことも十分予想される。今後、MoO_3及びWoO_3に関して、熱拡散用マスクにとどまらず不純物ドーピング用マスク及び各種ドライエッチング用マスクとしての研究の展開が期待できる。
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