| 研究課題/領域番号 |
62550223
|
|---|
| 研究種目 |
一般研究(C)
|
| 配分区分 | 補助金 |
|---|
| 研究分野 |
電子材料工学
|
|---|
| 研究機関 | 静岡大学 |
|---|
研究代表者 |
助川 徳三 静岡大学, 電子工学研究所, 教授 (30006225)
|
|---|
| 研究分担者 |
木村 雅和 静岡大学, 電子工学研究所, 助手 (50177929)
田中 昭 静岡大学, 電子工学研究所, 助教授 (50022265)
|
|---|
| 研究期間 (年度) |
1987 – 1988
|
| 研究課題ステータス |
完了 (1988年度)
|
| 配分額 *注記 |
1,900千円 (直接経費: 1,900千円)
1988年度: 400千円 (直接経費: 400千円)
1987年度: 1,500千円 (直接経費: 1,500千円)
|
|---|
| キーワード | 比重差液相成長法 / yo-yo溶質供給法 / シリコン / III-V族化合物 / シリコンーゲルマニウム / 混晶 / 格子整合 / 重力効果 / シリコン-ゲルマニウム / シリコンの液相成長 / 重金属不純物のゲッタリング効果 / 均質組成をもつ混晶の成長法 / 格子不整合緩和層の成長 / 高輝度発光素子用半導体混晶の成長 / 高感度なフォトダイオード |
|---|
| 研究概要 |
1.比重差液相成長法の特徴:本方法の特徴は、溶媒と溶質の間に比重差のあることに着目し、溶質輸送の駆動力として重力を利用することによって、温度の昇降に対応して溶質供給と成長をおこなわせるところにある。これによって、ほぼ一定の温度領域で所望の厚さの成長が可能となった。2.Siの成長とデバイス応用:高性能デバイスの開発には高抵抗層の形成、格子定数の整合、急峻な接合の形成等が要求されるが、従来技術では困難であった。これに対し、本成長法によってCZ法で得られる高抵抗ウェハーがデバイスの活性領域に利用できるようになった。すなわち、高抵抗ウェハー上に本方法によって格子整合した低抵抗の厚い成長をおこない、逆にその厚い成長層を低抵抗基板としてウェハーを所望の厚さにすることで高抵抗層が形成できるようになった。この方法で試作したpinフォトダイオードは高感度であり、またSITの試作にも成功した。今後本方法を発展させることによってより理想に近いデバイスが実現できるようになるものと考えている。3.混晶の成長:混晶の持つ最大の利点はその組成によって物性の制御が可能であることである。ところが現状は混晶成長用基板として格子定数の定まった結晶基板しかないために、混晶の利用範囲が制限されている。これに対し、本方法によってGeSi、GaInP、GaInAs等の厚い成長が可能となったことは重要な意味を持つ。すなわち、これらの任意組成の厚い成長層はそれ自体の応用はもちろん、それを混晶成長用基板として用いることによって、前述した制限を解消させることができ、種々の混晶の利用、歪の小さい異種接合、超格子等が実現できるようになる。4.展望:上述したごとく、厚い層の成長技術としての本方法を確立することは、近年発達した薄膜成長技術と相まって、電子工業界に大きな貢献が出来るものであり、将来より広範な応用が進められるものと考えている。
|
