| 研究課題/領域番号 |
62550231
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| 研究種目 |
一般研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
電子材料工学
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| 研究機関 | 早稲田大学 |
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研究代表者 |
一ノ瀬 昇 早稲田大学, 理工学部, 教授 (60176295)
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| 研究期間 (年度) |
1987 – 1989
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| 研究課題ステータス |
完了 (1989年度)
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| 配分額 *注記 |
2,000千円 (直接経費: 2,000千円)
1989年度: 200千円 (直接経費: 200千円)
1988年度: 200千円 (直接経費: 200千円)
1987年度: 1,600千円 (直接経費: 1,600千円)
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| キーワード | ボ-ルミル粉砕 / 超微粒子粉末 / 機能性セラミックス / 低温焼結セラミック基板 / 超伝導セラミックス / アモルファスフェライト / 超伝導厚膜素子 / 磁気記録媒体 / ボールミル粉砕 / 蛍光体 / 低温焼結積層コンデンサ / 圧電セラミックス / フェライト / 低温焼結セラミックス基板 |
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| 研究概要 |
本研究では通常のセラミックプロセッシングで用いられるボ-ルミル粉砕法により、0.1μm程度の超微粒子粉末を作成し、超微粒子の固相反応における活性化を利用し、1000℃以下の低温で焼結可能な機能性セラミックスを開発してきた。
最終年度は、過去の研究で確立された粉砕方法(不純物の混入を防ぐためアルミナ製よりジルコニア製の1〜3mmφのボ-ルを用いている)により得られた粉末を利用し低温で焼結したセラミックスの各分野への応用を検討した。
(1)シリカーガラス系低温焼結基板材料
シリカーガラス混合超微粒子粉末を用いたセラミック基板は900℃程度の温度で焼結が可能であり、高速コンピュ-タ用基板に必要な低誘電率(3.9〜4.2at 1MHz)を有していた。
(2)BiーPbーSrーCaーCuーO系超伝導厚膜材料
110K級高温超伝導体を得る目的で、BiーPbーSrーCaーCuーO系セラミック粉末を上記粉砕法で作成し、MgO(100)基板上に塗布し、減圧下(O_2:Ar=1:10)で焼成することにより、密着強度の大きいTe=108Kのほぼ単相の超伝導厚膜素子の作成に成功した。
(3)アモルファスフェライト材料
Li_2OーBi_2O_3ーFe_2O_3、CuOーBi_2O_3ーFe_2O_3系粉末を上記粉砕法で作成し、1,200〜1,300℃で溶融後、双ロ-ル法により急冷してアモルファスフェライトを作成した。これらの磁性粉は将来磁気記録媒体としての応用が期待される。
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