| 研究課題/領域番号 |
62550562
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| 研究種目 |
一般研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
無機工業化学・無機材料工学
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| 研究機関 | 岐阜大学 |
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研究代表者 |
元島 栖二 岐阜大学, 工学部, 助教授 (80021608)
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| 研究期間 (年度) |
1987 – 1988
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| 研究課題ステータス |
完了 (1988年度)
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| 配分額 *注記 |
1,900千円 (直接経費: 1,900千円)
1988年度: 400千円 (直接経費: 400千円)
1987年度: 1,500千円 (直接経費: 1,500千円)
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| キーワード | CVD / in-situCVD / 六塩化ニケイ素 / ガス拡散処理 / ケイ化物膜 / コイル状ファイバー / (Cr,Fe)xSiy / 単結晶 / 炭化ケイ素 / 窒化ケイ素 / CVD法 / in-situCVD法 / ガス拡散処理法 / ケイ化クロム / スプリング状ファイバー / 六塩化二ケイ素 / ケイ化鉄クロム / シリコナイジング / ケイ化ニッケル / ケイ化モリブデン |
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| 研究概要 |
六塩化ニケイ素をケイ素源として用いると、CVD法によるSiCやSi_3N_4の膜の析出温度や気相拡散処理法による金属や合金のシリコナイジング温度の著しい低温化が可能であることが多くの実験結果から明らかとなった。また、六塩化ニケイ素は、拡散法およびin-situCVDによるケイ素系化合物単結晶成長に対して大変有用であることも見出された。
(1)SiC、Si_3N_4膜の低温合成:六塩化ニケイ素を用いると、四塩化ケイ素等を用いた場合より、150〜300℃低温で膜析出が可能である。また、Si_3N_4の析出においては、四塩化ケイ素を用いた場合より100〜150℃低い温度でα相の析出が認められた。また、SiCの析出では、四塩化ケイ素の場合より300kg/mm^2前後高い微小硬度が得られた。
(2)ガス拡散処理法による金属のシリコナイジング:ケイ素源として六塩化ニケイ素を用いると四塩化ケイ素の場合より、Niでは250〜350℃、Moでは200℃、Tiでは50℃、モネルでは150℃、インコネルでは200℃、低温でケイ化処理することができることが認められた。金属表面をケイ化処理すると、耐に対する耐食性が著しく向上することが示された。
(3)拡散法によるケイ素化合物単結晶の合成:Fe、Co、Ni、ステンレス板等を高温でシリコナイジングすると、その表面にケイ化物単結晶が成長することが見出された。
(4)in-situCVD法による単結晶成長法を開発した。この方法により、新規の(Cr,Fe)xSiy結晶を合成した。
(5)Si_2Cl_6+NH_3+H_2系から不純物活性化CVD法により、コイル状に規則正しく巻いたSi_3N_4ファイバーを合成した。このようなファイバーが合成されたのは世界でも初めてであり大変注目されている。
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