| 研究概要 |
1.逆光電子分光用高電流高分解能電子銃の製作改良を行なった. 活性試料表面の劣化に対抗するための測定時間の短縮化および精密測定のための高分解能化を計るため, 新たにBaOカソードおよび4段レンズ系を持つ電子銃を製作した.
2.逆光電子分光用高効率高光子検出器の設計製作を行なった. 従来のGM管型光検出器の代りに, SrF_2窓とCuBeダイノードを持つ光電子増倍管型光子検出器を製作した.
3.C_8M(M=K, Rb, Cs)単結晶表面に対するArI共鳴線(11.7eV)を用いた角度分解光電子スペクトルの測定とその解析を行なった. HeI共鳴線を用いた実験で見出された「点近傍における分散を示さないバンドの起源を検討した. その結果, 単結晶表面には, 表面電荷密度波は発生しておらず, 「点近傍の非分散バンドは, K点からの間接遷移によるものと結論をみた.
4.角度分解逆光電子分光および角度分解二次電子分光によるグラファイト非占有電子帯構造の決定を行なった. 黒鉛層間化合物の研究の第一段階として, グラファイトについての測定を行なった. 得られたバンド分散を, 報告されているいくつかのバンド計算と比較し, グラファイトおよび黒鉛属間化合物における"層間準位置"のエネルギー位置について検討した. グラファイトにおいては層間準位は, Г点フェルミ準位より約4eVに位置しており, 黒鉛層間化合物においてはそれがフェルミ準位の下に入り込んでいるものと結論される.
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