| 研究課題/領域番号 |
62850054
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| 研究種目 |
試験研究
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
電子材料工学
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| 研究機関 | 東京工業大学 |
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研究代表者 |
直江 正彦 東京工業大学, 工学部, 教授 (40016465)
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| 研究分担者 |
新村 嘉朗 住友スリーエム, 主任研究員
中川 茂樹 東京工業大学, 工学部, 助手 (60180246)
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| 研究期間 (年度) |
1987 – 1988
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| 研究課題ステータス |
完了 (1988年度)
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| 配分額 *注記 |
14,500千円 (直接経費: 14,500千円)
1988年度: 4,200千円 (直接経費: 4,200千円)
1987年度: 10,300千円 (直接経費: 10,300千円)
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| キーワード | Co-Cr薄膜 / 垂直磁気記録 / 磁気テープ / 高速成膜法 / 連続スパッタ成膜装置 / 多層膜技術 / 対向ターゲット式スパッタ法 / スパッタリング / 高密度磁気記録媒体 / 低温 / 高速薄膜形成技術 / ミラートロン放電 |
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| 研究概要 |
磁気記録システムにおける記録密度を飛躍的に増大させる技術として、垂直磁気記録方式が提案され、この垂直記録式磁気テープ媒体としては、優れた垂直磁気異方性と電磁変換特性を有するCo-Cr薄膜を直接高分子テープ基板上に高速度で連続的に形成する新技術が必要となる。対向ターゲット式スパッタ法は磁性材料を高速度で成膜することができ、しかも基板がプラズマに曝されないため、基板温度の上昇を抑えることができる。本研究では新たに磁気テープ連続作製用対向ターゲット式スパッタ装置を試作した。本装置では通常ではプラズマスパッタの不可能な0.1mTorr程度の低ガス圧領域での動作が可能である。この装置において、PET基板を用いて約1000〓/minの高速度の成膜を行っても熱による基板の収縮は見られず、良好なC軸配向性を有するCo-Cr膜が形成できた。また、通常のスパッタ膜では膜中に大きな内部応力が誘起されるが、本装置ではこの内部応力がゼロとなるガス圧は約0.5mTorrであった。このガス圧は対向ターゲット式スバッタ法においてのみ実現できる領域である。また微細な結晶粒を有すると考えられる200〓程度のCo-Cr層と50〓のカーボン層とを交互に積層化することにより、結晶粒を微細化させることが可能となる新しい粒経制御法を提案した。またCo-Cr磁気記録媒体の磁気特性制御法としては、Co-Cr層自体を積層化することにより、媒体中の磁気特性の均一化を図ると同時に基板温度の設定マージンも拡大させる新たな垂直方向保磁力の制御方法を見いだした。また、連続成膜時の問題である斜め入射による結晶配向度の低下、結晶子傾き角の増大などを成膜ゾーンを2分割することによる積層化技術を用い、わずか100〓の垂直入射層を用いて改善できることが見いだされた。これは成膜速度を落とすことなく連続媒体の作製が可能となることを意味する。
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