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アモルファスS:C薄膜注入型発光表示素子の開発

研究課題

研究課題/領域番号 62850057
研究種目

試験研究

配分区分補助金
研究分野 電子材料工学
研究機関大阪大学

研究代表者

岡本 博明  大阪大学, 基礎工学部, 助手 (90144443)

研究分担者 服部 有  日本電装, 日本自動車部品総合研究所, 研究員
浜川 圭弘  大阪大学, 基礎工学部, 教授 (10029407)
HATTORI Yutaka  Central Research Labs., Nippon Denso
研究期間 (年度) 1987 – 1988
研究課題ステータス 完了 (1988年度)
配分額 *注記
7,400千円 (直接経費: 7,400千円)
1988年度: 1,200千円 (直接経費: 1,200千円)
1987年度: 6,200千円 (直接経費: 6,200千円)
キーワードアモルファスSiC / 薄膜LED / フラットパネル型ディスプレイ素子
研究概要

a-SiCLEDは透明電極層付きガラス基板上にシラン(Si.H_4)、(メタンClt_4)などの炭素源ガスと不純物ガス(B_2,PH_3)の混合ガスをグロー放電分解によって、p-i-n各層を順次成長し、裏面電極としてAlを真空蒸着法によって付けることによって製作される。本研究では、注入層の構造、材料面での改善および発光層の作製条件最適化を通して、高輝度a-SiCLED実現への試みを行なった。具体的な手法と成果は以下のようである。
1.トンネル注入層を用いた注入効率の改善。
p/iおよびi/n界面に、禁止帯幅の大きなトンネル障壁層をはさみ込む形のトンネル注入層の最 適化を行なった。最適化によって、発光スペクトルの短波長化と発光強度の増大が得 られた。
2.微結晶SiC注入層を用いた注入効率の改善。
ECR-CVD法を導入して、広禁止帯幅で低抵抗な微結晶n,p型SiC膜を形成することに成功した。この材料を、キャリア注入層に用いることによって、発光スペクトルおよび発光強度の大幅な改善が得られた。
3.発光層a-SiCの改善。
成長時の基板温度や投入高周波電力を広い範囲で変化させることによって、発光層の発光特性の改善を行なった。これにより、従来可視発光の不可能であった禁止帯幅2.3ev付近の材料においても、黄橙色の発光を得ることができるようになった。
以上の成果を総合することによって、黄色発光LEDにおいて、駆動電圧5〜10Vで、発光輝度20cd/m^2を達成することができた。また、研究のまとめとして、2×2cm程度のa-Si薄膜LEDパターンを試作し、良好な結果を得ている。

報告書

(2件)
  • 1988 実績報告書   研究成果報告書概要
  • 研究成果

    (17件)

すべて その他

すべて 文献書誌 (17件)

  • [文献書誌] D.Kruangam: MRS Symposia Proceedings. 95. 609-615 (1987)

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      1988 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] Y.Hamakawa: 17th European Solid State Device Research Conference. 135-139 (1987)

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      1988 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] D.Kruangam: J.Non-Cryst. Solids. 97&98. 293-296 (1987)

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      「研究成果報告書概要(和文)」より
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      1988 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] Y.Hattori: J.Non-Cryst. Solids. 97&98. 1079-1083 (1987)

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      1988 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] D.Kruangam: IEEE Trans.Electron Devices. 35. 957-965 (1988)

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  • [文献書誌] Y.Hamakawa: Applied Surface Science. 33&34. 1142-1150 (1988)

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      1988 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] D. Kruangam: "Amorphous SiC multilayered visible light emitting diode" MRS Symposia Proceedings. 95. 609-615 (1987)

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      「研究成果報告書概要(欧文)」より
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      1988 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] Y. Hamakawa: "Visible light a-SiC thin film LED and its application to new OE-functional elements" 17th European European Solid State Device Research conference. 135-139 (1987)

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      1988 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] D. Kruangam: "Improvement of carrier injection efficiency in a-SiC p-i-n LED using highly conductive wide-gap p,n a-SiC prepared by ECR CVD" J. Non-Cryst. Solids. 97&98. 293-296 (1987)

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      1988 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] Y. Hattori: "Valency control of p-type a-SiC having the optical band gap more than 2.5 eV by ECR CVD" J. Non-Cryst. Solids. 97&98. 1079-1083 (1987)

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      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      1988 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] D. Kruangam: "Carrier injection mechanism in a-SiC p-i-n junction thin film LED" IEEE Trans. Electron Devices. 35. 957-965 (1988)

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      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      1988 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] D.Kruangam: MRS Symposia Proceedings. 95. 609-615 (1987)

    • 関連する報告書
      1988 実績報告書
  • [文献書誌] Y.Hamakawa: 17th European Solid State Device Research Conference. 135-139 (1987)

    • 関連する報告書
      1988 実績報告書
  • [文献書誌] D.Kruangam: J.Non-Cryst.Solids. 97&98. 293-296 (1987)

    • 関連する報告書
      1988 実績報告書
  • [文献書誌] Y.Hattori: J.Non-Cryst.Solids. 97&98. 1079-1083 (1987)

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      1988 実績報告書
  • [文献書誌] D.Kruangam: IEEE Trans.Electron Devices. 35. 957-965 (1988)

    • 関連する報告書
      1988 実績報告書
  • [文献書誌] Y.Hamakawa: Applied Surface Science. 33&34. 1142-1150 (1988)

    • 関連する報告書
      1988 実績報告書

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公開日: 1987-04-01   更新日: 2016-04-21  

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