| 研究課題/領域番号 |
62850130
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| 研究種目 |
試験研究
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
金属材料
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| 研究機関 | 東北大学 |
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研究代表者 |
藤森 啓安 東北大学, 金属材料研究所, 教授 (60005866)
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| 研究分担者 |
丹治 雍典 株式会社トーキン, 第一開発本部, 技術部長
金子 武次郎 東北大学, 金属材料研究所, 助教授 (70005883)
森田 博昭 東北大学, 金属材料研究所, 助教授 (50005914)
吉田 肇 東北大学, 金属材料研究所, 助手 (90005950)
神垣 知夫 富山大学, 教養部, 教授 (20005846)
白川 究 財団法人電気磁気材料研究所, 研究員
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| 研究期間 (年度) |
1987 – 1989
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| 研究課題ステータス |
完了 (1989年度)
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| 配分額 *注記 |
6,100千円 (直接経費: 6,100千円)
1989年度: 500千円 (直接経費: 500千円)
1988年度: 1,800千円 (直接経費: 1,800千円)
1987年度: 3,800千円 (直接経費: 3,800千円)
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| キーワード | 表面弾性波 / 表面弾性波巨大減衰効果 / 表面弾性波デバイス / スパッタ-法多層膜 / アモルファス磁性膜 / 交流帯磁率 / 磁化ル-プ / 保磁力 / スパッター法金属膜作製 / 交流帯確率 / 多層確性膜 |
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| 研究概要 |
膜厚200Aニッケル膜を表面弾性波デバイスに蒸着すると、20 Oeのバイアス磁場で表面弾性波を40dB/cmも減衰させる巨大減衰効果が見出されている。これより巨大な減衰効果を得るため200Aニッケル膜をタングステン膜で挟んだ多層膜を作り、交流帯磁率と表面弾性波の伝播の磁場依存を調べた。その結果、ほぼ多層膜の層数に比例して減衰効果が大きくなることが分かり、より一層の巨大減衰効果をもつデバイスの開発の可能性があることを明らかにした。更にその実用化のためには微少なバイアス磁場で制御可能な磁性膜の開発が要求される。本年度は軟磁性材料であるアモルファス磁性膜に注目し、まずZr系アモルファス(Fe_<1-×>Co_×)_<85>Zr_<15>の薄膜を作成し、その磁気特性を調べた。また、基板にはホトセラムと石英を用い基板依存も同時に調べた。アルゴンガス圧が1×10^<-3>Toor以下の条件で作ると保磁力は1Oe以下となり、しかもニッケル膜より大きい交流帯磁率のピ-クを持つことが分かり、所期の目的のアモルファス磁性膜を得ることが出来た。以上のように目標の特性を有する磁性膜が得られたので、実用化へのステップとして、基板に電気機械結合係数が水晶より大きいリチュウム・タンタレイト(LiTaO_3)を用いた表面弾性波デバイスを設計し、富士通の協力を得て、200、500、700、900MHzの四種類のサイズ10mm×5mmのものを作った。但し、電極がすぐ破壊されるという問題が生じ、この点を回避するため従来の実験システムの改良が必要となった。検討の結果、この問題はスパッタ-時の薄膜作成治具や減衰量測定用基板治具を改良することによって解決し得る見通しが出来、現在進行中である。
この研究過程で、角型の磁化ル-プを描く多層膜ニッケル膜の作成条件を得、これが膜の島構造と密接な関連があることが分かり、このことに関する基礎的研究も進めている。
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