| 研究課題/領域番号 |
63102002
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| 研究種目 |
特定研究
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究機関 | 筑波大学 |
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研究代表者 |
南日 康夫 筑波大学, 物質工学系, 教授 (10133026)
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| 研究分担者 |
岸野 克己 上智大学, 理工学部, 助教授 (90134824)
伊賀 健一 東京工業大学, 精密工学研究所, 教授 (10016785)
三石 明善 大阪大学, 工学部, 教授 (20028921)
末松 安晴 東京工業大学, 工学部, 教授 (40016316)
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| 研究期間 (年度) |
1986 – 1988
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| 研究課題ステータス |
完了 (1988年度)
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| 配分額 *注記 |
26,200千円 (直接経費: 26,200千円)
1988年度: 26,200千円 (直接経費: 26,200千円)
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| キーワード | 結晶欠陥とミクロ化 / 動的単一モードレーザ / 走査型ミクロラマン顕微鏡 / 面発光半導体レーザ / 赤色半導体レーザ / 半導体レーザの非線形効果 / 半導体レーザ波長の超高安定化 / シリコン基板半導体レーザ |
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| 研究概要 |
(1)(NH_4)_2S_Xの処理によりGaAs表面の真の安定化に初めて成功し、その機構を明らかにした。またホイスカー構造のミクロレーザの提案を行い、その極限性能のシミュレートと新機能の可能性につき考察を行った。(2)活性および受動の両領域に回折格子を設けた動的単一モードレーザを考案した。その設計理論を確立し、また応用として、回折格子深さに非対称性をもたせたDRレーザを実現し、高い前・後方出力比(50:1)を達成した。(3)走査方ラマン顕微鏡を完成し、GaP発光ダイオード中のキャリアの濃度と移動度の空間分布を75〜300Kの温度範囲で求めることが出来た。またSiのイオン注入層の損傷度およびドーズ量の定量評価、さらにその結晶性の均一度の定性的評価をすることが出来た。(4)(GaAl)As系で共振器長10μm以下の面発光レーザを製作し、室温連続動作を初めて実現し、単一波長性と円形狭出射ビームにつき優れた特性を得た同様な動作が(GaIn)(AsP)系においても期待できる。
(5)(GaIn)(AsP)/(AlGa)Asを用い分布帰還型リッジ導波路構造のレーザを試作し、0.6μm帯で初めて縦単一モードでかつ基本横モードのレーザが得られた。発振波長は、671mで12℃で連続動作した。(6)半導体レーザでの非線型効果は、電子・ホール対の双極子振動位相と双極子数のビート振動が関与することを指摘し、利得飽和効果の非対称性と進行波増幅器での4光波混合を統一的に解析した。(7)外部光路を付けた半導体レーザシステムにより同調周波数領域を大幅に拡げた。半導体レーザを用いたエバネッセント分光2光子光ポンピングなどの新しい分光法を開発した。(8)Si上に成長したGaAsのエッチピット密度を、10^5/cm^2台に減少させた。その結晶によるレーザは、130Kで、連続動作した。出力光は偏光し、内部応力がその成因であることを明らかにした。
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