| 研究課題/領域番号 |
63540284
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| 研究種目 |
一般研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
物理学一般
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| 研究機関 | 東京農工大学 |
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研究代表者 |
鶴淵 誠二 東京農工大学, 工学部, 助教授 (60028248)
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| 研究期間 (年度) |
1988 – 1989
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| 研究課題ステータス |
完了 (1989年度)
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| 配分額 *注記 |
1,900千円 (直接経費: 1,900千円)
1989年度: 100千円 (直接経費: 100千円)
1988年度: 1,800千円 (直接経費: 1,800千円)
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| キーワード | モノシランガス / 電子衝突 / 発光断面積 / 真空紫外域 / 解離過程 / 励起状態 / 禁制遷移 / ライマン系列 / 解離性励起 / 波長感度校正 / スペクトル強度の絶対測定 |
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| 研究概要 |
本研究では、アモルファスシリコンの薄膜生成過程に深い関わりを持つ、シランガス放電プラズマ中の諸過程の内、電子衝突によるSiH_4分子の解離過程をとりあげた。「一つのSiH_4分子が、決まったエネルギ-を持った一つの電子によって、叩かれたときに、どのように壊れるか」ということについての知見は、最も基本的なことであり、且つ、重要なことである。本研究では、その視点にたって、SiH_4解離過程にともない生成される各種のラジカル発光断面積を、精度良く測定し、その結果に対して詳細な検討を行った。得られた主な成果を要約すると次のようになる。
1.電子衝撃を受けたSiH_4分子の解離性励起過程によって生成されたH、Si、Si^+等の原子や、SiH分子からの発光を詳細にスペクトル分析して、発光種を同定した。
2.これらの原子や分子に対する発光断面積の絶対値を実験的に求めた。
3.電子のエネルギ-は、しきい値から1000eVという広範囲にわたっている。
4.励起関数が持つ複雑な微細構造を、精度よく測定することが出来た。特に、SiH(A^2Δ-X^2II)遷移に対する発光断面積のしきい値近傍の振舞いについて、従来の報告とは大きく異なった結果を得た。
5.SiH_4分子から解離生成された励起H原子発光強度の主量子数n依存性は、統計的な分布にほぼ従う。
6.H原子の高エネルギ-側の振舞いから、基底状態から双極子禁制遷移で励起されるシラン分子のエネルギ-準位が、励起H原子生成に大きく寄与しているということが判明した。
7.SiH_4分子の電子衝突過程のうち、真空紫外領域における発光断面積の測定は、我々が初めてである。
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