| 研究課題/領域番号 |
63550235
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| 研究種目 |
一般研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
電子材料工学
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| 研究機関 | 京都工芸繊維大学 |
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研究代表者 |
更家 淳司 京都工芸繊維大学, 工芸学部, 教授 (90026154)
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| 研究分担者 |
松村 信男 京都工芸繊維大学, 工芸学部, 助手 (60107357)
西野 茂弘 京都工芸繊維大学, 工芸学部, 助教授 (30089122)
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| 研究期間 (年度) |
1988 – 1989
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| 研究課題ステータス |
完了 (1989年度)
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| 配分額 *注記 |
2,100千円 (直接経費: 2,100千円)
1989年度: 200千円 (直接経費: 200千円)
1988年度: 1,900千円 (直接経費: 1,900千円)
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| キーワード | アルミナ膜 / 光CVD法 / 堆積速度 / 誘電損失 / 光CVD / 有機金属原料 / 誘電特性 / 屈折率 |
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| 研究概要 |
酸素を含む有機金属化合物アルミニウム・トリイソプロポキシド(ATI)を原料として、光CVD法によりAl_2O_3膜を堆積させ、その特性を評価した。
1.紫外光を照射せずに、N_2雰囲気にO_2あるいはH_2を加えると、,堆積速度が増加し、反応の活性化エネルギ-は、N_2中の18〜20Kcal/molから4.5Kcal/mol(O_2雰囲気)、あるいは3.5Kcal/mol(H_2雰囲気)へと小さくなった。このことは、O_2あるいはH_2との反応によって、N_2中の熱分解によるよりも、Al_2O_3膜が生成され易くなったことを意味している。堆積速度のO_2流量依存性から、O_2雰囲気下では、ATIの熱分解による堆積と、ATIとO_2分子の基板表面でのLangmuir-Hinshelwood機構による堆積とが重畳していることが判明した。
O_2雰囲気で、低圧水銀ランプからの紫外光を照射して光CVDを行うと、300℃以下の低基板温度での堆積速度が大巾に増加し、堆積反応の活性化エネルギ-は、1.5Kcal/molと非常に小さくなった。O_2流量60〜300SCOMでは堆積速度は殆んど一定であった。堆積速度の増加には、水銀ランプからの紫外線の内、185nm光が強く関与していることがわかった。
2.Al_2O_3膜の特性は、主として誘電損失tanδ(100Hz)によって評価した。低い基板温度でも、光CVD法で作製した試流ではtanδが大巾に減少し、特性が改善された。O_2流量20〜300SCCM(基板温度260℃)あるいは基板温度280〜340℃(O_2流量200SCCM)の条件ではtanδはあまり変化しなかった。1例として、280℃でtanδ〜2.5%の良質のAl_2O_3膜が得られた。
結局、光CVD法により、速い堆積速度で、良質のAl_2O_3膜を、低い温度で作製することができた。
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