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化合物半導体の伝導性制御に関する研究

研究課題

研究課題/領域番号 63604023
研究種目

重点領域研究

配分区分補助金
研究機関東京理科大学

研究代表者

青木 昌治  東京理科大学, 基礎工学部, 教授 (80010619)

研究分担者 松本 俊  山梨大学, 工学部, 助教授 (00020503)
吉川 明彦  千葉大学, 工学部, 助教授 (20016603)
研究期間 (年度) 1988
研究課題ステータス 完了 (1988年度)
配分額 *注記
14,200千円 (直接経費: 14,200千円)
1988年度: 14,200千円 (直接経費: 14,200千円)
キーワード有機金属気相成長法 / 減圧気相成長法 / 溶液成長法 / 有機金属分子線エピタキシャル法 / セレン化亜鉛 / 硫化亜鉛 / 熱分解 / ヘテロ界面 / 電子捕獲準位 / 残留不純物 / カルコゲン / カルコゲナイド / 不純物添加
研究概要

残留不純物、空格子などの欠陥の少ない高品位結晶を成長させるため低温成長法としてMOCVD、減圧気相成長法および準熱平衡状態での成長法として溶液成長法を採用し、成長結晶の特性を相互に比較検討した。
1.MOMBE法によるZnSeの成長(千葉大、吉川):ジメチル亜鉛とH_2Seを用いた成長系において、原料ガスの熱分解の必要性を成長機構および膜の特性に与える影響から明らかにした。2.ZnSeへの不純物の添加(千葉大、吉川、山梨大、松本):MOCVD法では熱分解しやすいジメチルヒドラジンを窒素アクセプタ原料として用いるとZnやSe原料の供給量に大きな影響を与えることなく流量変化による不純物添加濃度の制御が可能なことを明らかにした。減圧気相成長法では、VI/II比を大きくすると窒素の添加効率は単調に減少するが、残留ドナー不純物の混入はVI/II比が1付近で極小となり、VI/II比によって残留ドナーが関与する格子位置が異なる可能性が示唆された。ヨウ化エチルをヨウ素ドナーの原料にすると添加濃度を再現性よく10^<16>〜10^<19>cm^<-3>の範囲に制御できることを明らかにした。3.ZnSe/GaAsヘテロ界面の評価(山梨大、松本):両物質の格子定数と熱膨張係数の不整合のためZnSe成長層内に発生する格子歪の特質をX線回折法で明らかにした。界面付近の電子状態をCーV法とDLTS法で評価し、キャリアの空乏層と蓄積層を確認し、界面近傍に空間的に局在する電子捕獲準位を検出した。この準位はヘテロ界面の格子欠陥に対応すると思われる。4.カルコゲナイド溶媒からのZnSe、ZnSの成長とその評価(東理大、青木):Sb_<0.4>Te_<0.6>溶媒から成長させたZnSへの溶媒元素の混入量をXMAによる定量分析で明らかにした。成長結晶は光伝導を示すのでSbは光伝導に関与する準位をつくっている。Sb_<0.4>Se_<0.6>、Sb_<0.4>Se_<0.492>Te_<0.108>、Te、Sb_<0.4>Te_<0.6>の溶媒から成長させたZnSeへのTeの混入量は定量分析によると上の順に多くなり、TeはSbが共存すると混入しやすいことを明らかにした。

報告書

(1件)
  • 1988 実績報告書
  • 研究成果

    (17件)

すべて その他

すべて 文献書誌 (17件)

  • [文献書誌] S.Onome: JJAP.

    • 関連する報告書
      1988 実績報告書
  • [文献書誌] T.Matsumoto: Japanese Journal of Applied Physics. 26. L209-L211 (1987)

    • 関連する報告書
      1988 実績報告書
  • [文献書誌] T.Matsumoto: Japanese Journal of Applied Physics. 26. L576-L578 (1987)

    • 関連する報告書
      1988 実績報告書
  • [文献書誌] T.Matsumoto: Japanese Journal of Applied Physics. 26. L1263-L1265 (1987)

    • 関連する報告書
      1988 実績報告書
  • [文献書誌] T.Matsumoto: Japanese Journal of Applied Physics. 26. L1736-L1739 (1987)

    • 関連する報告書
      1988 実績報告書
  • [文献書誌] T.Matsumoto: Japanese Journal of Applied Physics. 27. L892-L895 (1988)

    • 関連する報告書
      1988 実績報告書
  • [文献書誌] T.Matsumoto: Japanese Journal of Applied Physics. 27. L1942-L1944 (1988)

    • 関連する報告書
      1988 実績報告書
  • [文献書誌] T.Matsumoto: JJAP.

    • 関連する報告書
      1988 実績報告書
  • [文献書誌] A.Yoshikawa: Japanese Journal of Applied Physics. 27. 992-996 (1988)

    • 関連する報告書
      1988 実績報告書
  • [文献書誌] H.Oniyama: J.Cryst.Growth. 93. 679-685 (1988)

    • 関連する報告書
      1988 実績報告書
  • [文献書誌] A.Yoshikawa: J.Cryst.Growth. 93. 697-702 (1988)

    • 関連する報告書
      1988 実績報告書
  • [文献書誌] A.Yoshikawa: J.Cryst.Growth. 94. 69-74 (1989)

    • 関連する報告書
      1988 実績報告書
  • [文献書誌] A.Yoshikawa: J.Cryst.Growth.

    • 関連する報告書
      1988 実績報告書
  • [文献書誌] A.Yoshikawa: Japanese Jounal of Applied Physics. 27. L1948-L1951 (1988)

    • 関連する報告書
      1988 実績報告書
  • [文献書誌] A.Yoshikawa: J.Appl.Phys.65. 1223-1229 (1989)

    • 関連する報告書
      1988 実績報告書
  • [文献書誌] 山賀重来,吉川明彦: "複合機能薄膜形成技術(第3章レーザCVD法と装置)" ミマツデータシステム, 49-84 (1988)

    • 関連する報告書
      1988 実績報告書
  • [文献書誌] 吉川明彦: "応用光エレクトロニクスハンドブック(第11章2節光エピタキシー)" 昭晃堂, 895-903 (1988)

    • 関連する報告書
      1988 実績報告書

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公開日: 1988-04-01   更新日: 2016-04-21  

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