| 研究課題/領域番号 |
63609503
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| 研究種目 |
重点領域研究
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
末岡 修 東京大学, 教養学部, 助教授 (00012378)
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| 研究期間 (年度) |
1988
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| 研究課題ステータス |
完了 (1988年度)
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| 配分額 *注記 |
2,000千円 (直接経費: 2,000千円)
1988年度: 2,000千円 (直接経費: 2,000千円)
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| キーワード | ポジトロン(e^+)ビーム / 輝度増強(BE)法 / 磁気シールド / 静電レンズ / ポジトロン表面散乱 |
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| 研究概要 |
「e^+ビームの高度化」にとって最も大切なe^+、ビームの輝度増強法(BE法)に取り組んだ。先ずこの前段階であるBE装置(磁場を使わない)に有効なe^+ビームを入射さすことが必要である。リニアック発生したe^+ビームは飛行管に平行な磁場により飛行管を通過する。すなわち、BE装置の入口では磁場を切らねばならないので、その場所に静電レンズの一種Einzel Lensを用いる。この磁場→電場でのe^+ビームの通過の効率を測定した。実験には実際のビームとほヾ同じエネルギー分布と空間分布をもつe^+ビーム(またはe^-ビーム)を用意して研究室でのモデル実験を行なった。100-2000eVのビームてで行なった結果は1500ev以上では70%以上の効率で通過することが示された。実際に大切な3-6keVではB→E-では殆などロスは少ないと推察される。実際に必要と思われるいくつかのテストを行ない、基本的にEinzelレンズを適切な条件で用いることで目的が達成できることを確認した。
このテスト用のレンズ系と他の1組のレンズ系は本番のBE装置で用いられる。このレンズ設計とBE装置のμメタル磁気シールドについては上智大のDr.Boesten,Tanakaに協力願った。
BE装置の真空チェンバーについては陽電子表面散乱と共に表面新物質相の計画研究で目下製作中である。なおBE用に用いるタングステン単結晶薄膜やそのテスト用の多結晶膜も入手して、使用の準備に入っている。
「ビーム高度化の他の柱であめパルスe^+ビームのDC化(ビームストレッチ)」については今年度は殆んど進展を見ていない。パルス型電子銃を製作してDC化装置を調整を行なう予定である。
この研究で購入された物品の殆んどはBE装置を用いる本番実験でも使用される。
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