| 研究課題/領域番号 |
63850060
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| 研究種目 |
試験研究
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
電子材料工学
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| 研究機関 | 京都大学 |
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研究代表者 |
松波 弘之 京都大学, 工学部, 教授 (50026035)
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| 研究分担者 |
吉本 昌広 京都大学, 工学部, 助手 (20210776)
冬木 隆 京都大学, 工学部, 助教授 (10165459)
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| 研究期間 (年度) |
1988 – 1989
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| 研究課題ステータス |
完了 (1991年度)
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| 配分額 *注記 |
14,900千円 (直接経費: 14,900千円)
1989年度: 3,200千円 (直接経費: 3,200千円)
1988年度: 11,700千円 (直接経費: 11,700千円)
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| キーワード | シリコンカ-バイド / 青色発光ダイオ-ド / ド-ピング / フォトルミネセンス / 等電子トラップ / ステップフロ-成長 / 広禁制帯幅半導体 / 原子ステップ制御エピタキシ- / 価電子制御 / 注入効率 / シリコンカーバイド / 青色発光ダイオード / 気相エピタキシャル法 / 原子ステップ制御 |
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| 研究概要 |
本研究では、6HーSic(0001)Si面、(0001^^ー)C面にオフアングルを導入することで表面のステップ密度を制御し、その基板上に6HーSiCの原子ステップ制御エピタキシャル成長を行った。成長機構の検討と不純物ド-ピングを行った結果は下記の通りである。
1.原子ステップ制御エピタキシ-によるSiCの成長
(1)Si面オフ基板ではオフ方向により成長の様子が異なる。[112^^ー0]方向オフ基板上には6HーSiCのみが成長する。一方、[11^^ー00]方向オフ基板上では長時間成長により、3CーSiCの混在が進む。
(2)C面オフ基板では[112^^ー0]、[11^^ー00]のオフ方向に依存せず、6HーSiC単結晶が成長し、3CーSiCの混在は生じない。
2.不純物のド-ピング
(1)TMAを用いたA1のド-ピングを行い、p形層キャリア密度を4×10^<17>〜8×10^<20>cm^<ー3>の広い範囲で制御することができ、0.1Ωcm以下の低抵抗p層が得られた。また、フォトルミネセンス(PL)測定の結果からNドナ-のsite effectが確認できた。
(2)TiCl_4流量を変化させることにより、Tiド-プ量を8×10^<17>〜2×10^<21>cm^<ー3>の範囲で制御することができた。Tiド-プ層のPL特性からTiに特有な発光が現れることを見いだし、これがTi等電子トラップに束縛された励起子発光であることを明らかにした。
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