• 研究課題をさがす
  • 研究者をさがす
  • KAKENの使い方
  1. 前のページに戻る

酸化物高温超伝導体単結晶薄膜光エピタキシー装置の試作

研究課題

研究課題/領域番号 63850074
研究種目

試験研究

配分区分補助金
研究分野 電子機器工学
研究機関東北大学

研究代表者

大矢 銀一郎  東北大学, 電気通信研究所, 助教授 (00006280)

研究分担者 菅井 徳行  東北大学, 電気通信研究所, 教務職員
今井 捷三  東北大学, 電気通信研究所, 助教授 (60006244)
沢田 康次  東北大学, 電気通信研究所, 教授 (80028133)
研究期間 (年度) 1988
研究課題ステータス 完了 (1988年度)
配分額 *注記
9,000千円 (直接経費: 9,000千円)
1988年度: 9,000千円 (直接経費: 9,000千円)
キーワード高温超伝導体 / YBa_2Cu_3O_<7-δ> / エピタキシー / 単結晶薄膜 / スパッタリング / プラズマ励起 / 光励起
研究概要

本研究は酸化物高温超伝導体YBa_2Cu_3O_<7-δ>(臨界温度:90k)のエレクトロニクス応用のための薄膜製作技術の確立を目指すものである。この場合、高温超伝導体薄膜は、平滑な表面と極めて一様な特性をもつ高品質品単結晶薄膜であることが要求される。この要求に対処するために本研究では、光子エネルギーを利用して薄膜の低温エピタキシャル成長を可能とする光エピタキシー装置を試作した。
得られた成果は以下のようにまとめられる。
1.対向ターゲット式高周波マグネトロンスパッタ装置を基本として、これに基板照射用紫外光源を付設することで、光エピタキシー装置を構成できた。
2.YBa_2Cu_3O_<7-δ>単結晶薄膜のエピタキシャル条件を明らかにした。
(1)MgOおよびSrTiO_3単結晶基板上でのエピタキシャル成長は、550ー650℃で行なわれる。
(2)このエピタキシャル成長には、基板とプラズマの相互作用の制御が必要である。
(3)この成長温度を低めるには、酸素ガスの光あるいはプラズマによる活性化が有効である。
なお、今後の研究計画としては、得られるYBa_2Cu_3O_<7-δ>単結晶薄膜のより一層の高品質化をはかり、その超伝導デバイスへの応用を進めることである。

報告書

(1件)
  • 1988 実績報告書
  • 研究成果

    (4件)

すべて その他

すべて 文献書誌 (4件)

  • [文献書誌] Syozo Imai;Tadayuki Tozawa;Gin-ichiro Oya;Tokuko Sugai;Yoshihisa Takeuti;Nobuo Mikoshiba: Japanese Journal of Applied Physics. 27. L522-L524 (1988)

    • 関連する報告書
      1988 実績報告書
  • [文献書誌] Tokuko Sugai;Gin-ichiro Oya;Syozo Imai: Japanese Journal of Applied Physics. 28. (1989)

    • 関連する報告書
      1988 実績報告書
  • [文献書誌] Gin-ichiro Oya;Tetsuro Komukai;Yasuji Sawada: Journal of materials Research. 4. (1989)

    • 関連する報告書
      1988 実績報告書
  • [文献書誌] Gin-ichiro Oya;Yasuji Sawada: Journal of Crystal Growth. 94. (1989)

    • 関連する報告書
      1988 実績報告書

URL: 

公開日: 1988-04-01   更新日: 2018-02-02  

サービス概要 検索マニュアル よくある質問 お知らせ 利用規程 科研費による研究の帰属

Powered by NII kakenhi