化合物半導体の気相成長プロセスとドライエッチングプロセスの反応工学的比較検討

• 研究課題/領域番号: 97J07861
• 研究種目: 特別研究員奨励費
• 配分区分: 補助金
• 応募区分: 国内
• 研究分野: 反応・分離工学
• 研究機関: 東京大学
• 研究代表者: 杉山 正和
• 研究期間 (年度): 1998 – 1999
• 研究課題ステータス: 完了 (1999年度)
• 配分額: 1,800千円 (直接経費: 1,800千円); 1999年度: 900千円 (直接経費: 900千円); 1998年度: 900千円 (直接経費: 900千円)