| 研究領域 | 分子アーキテクトニクス：単一分子の組織化と新機能創成 |
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| 研究課題/領域番号 |
16H00952
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| 研究種目 |
新学術領域研究(研究領域提案型)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 審査区分 |
理工系
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| 研究機関 | 北海道大学 |
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研究代表者 |
中山 哲 北海道大学, 触媒科学研究所, 准教授 (10422007)
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| 研究期間 (年度) |
2016-04-01 – 2018-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2017年度)
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| 配分額 *注記 |
5,720千円 (直接経費: 4,400千円、間接経費: 1,320千円)
2017年度: 2,860千円 (直接経費: 2,200千円、間接経費: 660千円)
2016年度: 2,860千円 (直接経費: 2,200千円、間接経費: 660千円)
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| キーワード | 第一原理計算 / 抵抗変化型メモリ / 第一原理シミュレーション / 不揮発性抵抗変化メモリ / ReRAM |
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| 研究実績の概要 |
不揮発性抵抗変化型ランダムアクセスメモリ（ReRAM）は抵抗変化が高速であり、大きな抵抗変化比を保ったまま微細加工できるために次世代メモリとして期待されている。酸化物（Ox）を金属電極（M）で挟んだM－Ox－M構造における抵抗スイッチ効果を利用したメモリの研究開発が活発に行われており、本研究では、第一原理計算によって、その伝導パスの形成過程と動作機構に着目した計算を行った。
本年度は、前年度までのタンタル酸化物を用いた抵抗変化メモリに関する研究を引き続き行った。まずは、酸化物中の欠陥生成エネルギーと欠陥移動のエネルギー障壁を算出することで、欠陥の移動経路を特定した。次に、タンタル酸化物中の酸素濃度を変化させ、伝導パスの安定性について議論した。同じ酸素濃度の条件で、Ta-Ta結合ネットワークによって伝導パスが存在する構造と、ランダムに酸素原子を配置させた構造でエネルギーの比較を行い、伝導パスが形成されている方がエネルギー的に安定であることを示した。また、M－Ta2O5－M構造として、タンタル金属を電極としたモデル系を構築し、Accelerated MD法を用いて酸化物中の酸素イオンを電極側に移動させるシミュレーションを行った。この過程をSET/RESET動作とみなし、移動前後で大きな抵抗比を再現できることを示した。統計量を増やした上で抵抗スイッチングに必要な力の定量的算出を行い、移動前後の酸素欠陥分布の安定性についても議論した。
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| 現在までの達成度 (段落) |
29年度が最終年度であるため、記入しない。
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| 今後の研究の推進方策 |
29年度が最終年度であるため、記入しない。
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