| 研究領域 | 機能コアの材料科学 |
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| 研究課題/領域番号 |
20H05187
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| 研究種目 |
新学術領域研究(研究領域提案型)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 審査区分 |
理工系
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| 研究機関 | 名古屋大学 |
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研究代表者 |
黒川 康良 名古屋大学, 工学研究科, 准教授 (00588527)
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| 研究期間 (年度) |
2020-04-01 – 2022-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2021年度)
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| 配分額 *注記 |
5,980千円 (直接経費: 4,600千円、間接経費: 1,380千円)
2021年度: 2,990千円 (直接経費: 2,300千円、間接経費: 690千円)
2020年度: 2,990千円 (直接経費: 2,300千円、間接経費: 690千円)
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| キーワード | シリサイド半導体 / 結晶欠陥 / 粒界 / キャリア生成 / 太陽電池 / キャリア先生 |
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| 研究開始時の研究の概要 |
本研究では，シリコンベース化合物半導体中の点欠陥や粒界を機能コアとして利用することにより，新しい高性能な薄膜太陽電池材料を開発する．この材料は熱処理温度を変化させるだけで，p型半導体とn型半導体のいずれにも変化させることが可能であることがわかっている．熱処理時に形成する点欠陥や粒界がキャリア生成に寄与していると考えられるが，その詳細は不明である．このような機能コアによるキャリア生成メカニズムを解明するため，格子欠陥や粒界の構造と機能に関して多角的な測定を行う．これにより得られた知見を利用し，キャリア濃度を最適値に制御し，太陽電池構造の作製を試み，高性能化につながる知見を得る．
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| 研究実績の概要 |
令和３年度はBaSi2多結晶薄膜中の点欠陥について、Positron Annihilation Spectroscopy（PAS）を利用して、BaSi2多結晶薄膜中の空孔欠陥評価を行った。900℃のアニール前後で比較したところ、アニールによって膜中の空孔型欠陥が低減したことを示唆する結果を得た。フォトルミネッセンス測定においても欠陥が低減したことを示す結果が得られており、ポストアニール処理がBaSi2多結晶薄膜の高品質化に寄与することを示唆している。
本研究で得られた機能コア欠陥に関する知見を用いて，BaSi2ホモ接合太陽電池の作製を行った。真空蒸着中に成長速度と蒸気組成を2段階制御することで、単結晶Si基板上に高品質BaSi2薄膜を作製することに成功した。この二段階蒸着法に加え、アルミニウム誘起成長（AIC）法により作製したp型多結晶Si層をBaSi2成長の下地として使用して、ノンドープでn型を示すBaSi2の一部をp型化することでホモ接合を形成した。ダイオードとしては完全な整流特性を得ることができなかったが、負バイアス下にて分光感度を得ることができた。pn接合のリーク要因を解決することができれば、太陽電池として機能することを示唆している。
ホモ接合とは別にp-BaSi2/n-Siヘテロ接合型太陽電池の作製も行った。２段階製膜の初期段階において蒸着速度を低速に保つことで、開放電圧と曲線因子を向上させることに成功し、10%を超えるエネルギー変換効率を達成した。開放電圧向上は低速蒸着により原子の再配列が促進されたことによるものと考えられる。BaSi2を用いた太陽電池としては、現在報告されている中で最も高い効率となり、真空蒸着により作製したBaSi2多結晶薄膜が、欠陥制御を踏まえたプロセスを施すことによって、太陽電池材料としての機能を向上できることを示すことができた。
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| 現在までの達成度 (段落) |
令和3年度が最終年度であるため、記入しない。
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| 今後の研究の推進方策 |
令和3年度が最終年度であるため、記入しない。
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