| 研究領域 | 窒化物光半導体のフロンティア-材料潜在能力の極限発現- |
|---|
| 研究課題/領域番号 |
21016002
|
|---|
| 研究種目 |
特定領域研究
|
| 配分区分 | 補助金 |
|---|
| 審査区分 |
理工系
|
|---|
| 研究機関 | 東北大学 |
|---|
研究代表者 |
米永 一郎 東北大学, 金属材料研究所, 教授 (20134041)
|
|---|
| 研究分担者 |
大野 裕 東北大学, 金属材料研究所, 准教授 (80243129)
徳本 有紀 東北大学, 金属材料研究所, 助教 (20546866)
太子 敏則 東北大学, 金属材料研究所, 助教 (90397307)
|
|---|
| 研究期間 (年度) |
2009 – 2010
|
| 研究課題ステータス |
完了 (2010年度)
|
| 配分額 *注記 |
7,000千円 (直接経費: 7,000千円)
2010年度: 3,500千円 (直接経費: 3,500千円)
2009年度: 3,500千円 (直接経費: 3,500千円)
|
|---|
| キーワード | ナイトライド / 格子欠陥 / ナノ材料 / 結晶工学 / 結晶成長 / 転位 |
|---|
| 研究概要 |
高機能ナイトライドの実現に向けた障害が転位欠陥であり、その発生の抑制・不活性化など材料制御技術の開発が焦眉の課題である。特に、我々は結晶成長時に他の点欠陥・不純物と反応していないフレッシュな転位を導入し、その転位自身の有する固有の電子・光学物性を解明することを主たる目的とする。本年度、以下の成果を得た。
(1)高温9000Cでの塑性変形によって導入されたフレッシュな転位を有するGaNについて、基底面上の転位は部分転位に拡張し、浅く非発光の電子準位を有すること、一方、柱面上の転位は拡張せず、深い発光性の準位を有する特徴を見出し、さらにそれらに基づいて化合物半導体中の転位の関する普遍的特性を明らかにした。
(2)同じく高温で塑性変形したGaN結晶について、陽電子消滅法による評価を行い、陽電子の消滅寿命が著しく増加すること、すなわち塑性変形によって高密の度空孔型点欠陥が導みされることを見出した。
(3)サファイア基板上に準備したGaNバッファ層から一定方位のGaN薄膜が優先的に成長する過程について、高分解能電子顕微鏡観察による結晶構造解析を行い、バッファ層中でc軸方位とa軸方位の結合ボンドの間でのミスボンディング機構が存在することを発見した。
|
