| 研究領域 | 分子自由度が拓く新物質科学 |
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| 研究課題/領域番号 |
21110505
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| 研究種目 |
新学術領域研究(研究領域提案型)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 審査区分 |
理工系
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| 研究機関 | 埼玉大学 |
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研究代表者 |
谷口 弘三 埼玉大学, 理工学研究科, 准教授 (50323374)
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| 研究期間 (年度) |
2009 – 2010
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| 研究課題ステータス |
完了 (2010年度)
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| 配分額 *注記 |
5,980千円 (直接経費: 4,600千円、間接経費: 1,380千円)
2010年度: 2,990千円 (直接経費: 2,300千円、間接経費: 690千円)
2009年度: 2,990千円 (直接経費: 2,300千円、間接経費: 690千円)
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| キーワード | 有機物質 / 結晶育成 / 超高圧 / 分子配列制御 / 新技術 |
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| 研究概要 |
本研究では、これまでの先行実験で得られた多くの知見(溶媒の封入法、溶媒の凝固圧、高圧セルの電極導入法など)を基に、次のステップである「高圧下電解合成法の確立」を目指した。現在、内径14mmφの大型高圧セルにおいて、新たに考案した電極導入法をテストしているが、この年度の技術研究において、この手法をほぼ確立した。
確立した手法を、電荷移動錯体の一種である(BEDT-TTF)_2IBr_2に適用した。この系は、同じ組成で二種類の多系が存在する。そこで、電解による結晶成長における圧力の役割を明らかにするために、圧力下では、どの系の結晶が成長するかを調査した。溶媒の種類や濃度などの合成条件を低充填相(b-型)が出来る条件にして、高圧下合成を行ったところ、(a'-型)の結晶が得られた。合成は何度か行ったが、高圧下では高充填構造が選択的に得られる結果が得られた。このように、電解合成における圧力の役割を抽出できつつある。今後は、さらに他の系にも応用し、新物質の開発なども念頭において研究を推進していきたい。
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