| 研究領域 | 動的エキシトンの学理構築と機能開拓 |
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| 研究課題/領域番号 |
21H05405
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| 研究種目 |
学術変革領域研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 審査区分 |
学術変革領域研究区分(Ⅱ)
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| 研究機関 | 東京理科大学 |
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研究代表者 |
中山 泰生 東京理科大学, 理工学部先端化学科, 准教授 (30451751)
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| 研究期間 (年度) |
2021-09-10 – 2023-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2022年度)
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| 配分額 *注記 |
7,800千円 (直接経費: 6,000千円、間接経費: 1,800千円)
2022年度: 3,900千円 (直接経費: 3,000千円、間接経費: 900千円)
2021年度: 3,900千円 (直接経費: 3,000千円、間接経費: 900千円)
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| キーワード | バンド分散 / 角度分解光電子分光法 / 電子エネルギー損失分光法 / エピタキシャル成長 / 時間分解発光分光 |
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| 研究開始時の研究の概要 |
分子配列の乱れが多い一般的な有機半導体固体では荷電キャリアやエキシトンは分子に強く束縛され局在化しているが，分子が高秩序に整列したバンド伝導性単結晶有機半導体では，電子状態は個々の分子軌道の枠を超えたブロッホ波として『非局在化』し得る。非局在化はキャリア・エキシトンの輸送効率を劇的に向上させるだけでなく，両者の変換効率をも改善させ得ると考えられる。本研究では，半導体p-n接合を有機半導体において理想化したモデル系である『単結晶エピタキシャル有機半導体ドナー・アクセプター界面』を対象として，荷電キャリア非局在性の定量評価とエキシトン非局在性の統合的解明に挑戦する。
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| 研究実績の概要 |
電子状態の『非局在化』は半導体光エレクトロニクスの駆動効率を最大化するための必要条件であり，電子状態を非局在化させるには高秩序な分子配列が不可欠である。一方，有機半導体におけるキャリア・エキシトン変換には異種分子によるドナー・アクセプター(D・A)界面の存在が必要とされる。本研究課題は，分子単結晶表面上にエピタキシャル成長させた『単結晶エピタキシャル有機半導体D・A界面』を舞台として，そこに現れる非局在化キャリア・エキシトンの物性を究明することを目的としたものである。
キャリア・励起子の非局在化状態を最大化するためには，欠陥密度を可能な限り低減した高秩序な単結晶有機半導体D・A界面試料が必要となる。本研究では，窒素置換グローブボックス(GB)を所属機関に新規導入し，これを有機単結晶製造装置と直結することで，不純物生成を排した高純度単結晶有機半導体基板の製造が可能となった。その上に高真空環境下で高純度な単結晶有機半導体D・A界面試料を積層し，高輝度かつ高指向性のシンクロトロン放射光施設(SPring-8)を利用した実験により界面結晶構造の精密評価を進めた結果，高秩序構造を実現する「準ホモエピタキシャル接合」の提唱などの成果が得られた。
キャリアの非局在化は，角度分解光電子分光による電子バンドの運動量―エネルギー分散関係計測により実証することができる。研究代表者は，過去に角度分解光電子分光計測の単結晶有機半導体D・A界面試料への適用に成功した実績を有している。本研究では，上述した有機半導体の「準ホモエピタキシャル接合」試料に対する電子バンド計測を実施し，基板となっている単結晶有機半導体だけでなく，積層材料の結晶薄膜においても電子バンド分散が生じていることを示唆する結果を得ている。今後，再現性確認のための実験と詳細なデータ解析を進めていく。
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| 現在までの達成度 (段落) |
令和4年度が最終年度であるため、記入しない。
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| 今後の研究の推進方策 |
令和4年度が最終年度であるため、記入しない。
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