| 研究領域 | 水圏機能材料：環境に調和・応答するマテリアル構築学の創成 |
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| 研究課題/領域番号 |
22H04523
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| 研究種目 |
新学術領域研究(研究領域提案型)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 審査区分 |
理工系
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
藤野 智子 東京大学, 物性研究所, 助教 (70463768)
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| 研究期間 (年度) |
2022-04-01 – 2024-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2023年度)
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| 配分額 *注記 |
4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円)
2023年度: 2,340千円 (直接経費: 1,800千円、間接経費: 540千円)
2022年度: 2,340千円 (直接経費: 1,800千円、間接経費: 540千円)
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| キーワード | アンバイポーラー型半導体 / d/π共役系錯体 / 薄膜 / ニッケル錯体 / FET / Langmuir-Blodgett法 / 有機電界効果トランジスタ / 大気安定性 / アンバイポーラー型半導体材料 / LB膜 / 水圏 |
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| 研究開始時の研究の概要 |
水圏の活用を用いて単分子量d/π共役錯体を薄膜化することで，高移動性のホール・電子輸送（アンバイポーラー）型半導体材料を実現を目指す．新規アニオン性ニッケル錯体の合成・薄膜化の検討により，高秩序な錯体薄膜の構築法を確立する．この手法を多様な電子豊富配位子からなるアニオン性錯体に適用し，錯体薄膜ライブラリを構築してOFETデバイス内半導体層としてのアンバイポーラー型電荷輸送特性を評価する．これらの構造－物性相関研究をもとに，高輸送性発現のための構造を最適化することで，高移動性のアンバイポーラー型薄膜を実現する．
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| 研究実績の概要 |
正孔と電子の双方を輸送するアンバイポーラー型半導体は、次世代の電子デバイスの鍵となる材料として注目を集めている．アンバイポーラー型半導体の高移動化・高機能化に向けて，伝導性発現の精度・確度・再現性に富む単分子量材料への期待が高まっている。単分子量材料は多層から構成される薄膜デバイス内での境界伝導障壁を低減できる理想的材料いえる．しかし，水や酸素と反応せず，大気下で安定的に電荷輸送を担うための分子に課される電子的要請として，１）深いLUMO、２）狭いHOMO－LUMOギャップといった厳しい条件を満たす必要があり，その実現例はごく限られている．本研究では、こうした厳しい電子要件を満たす材料としてd/π共役系錯体，特に安価・高安定で量的供給性に優れたニッケルジチオレン錯体に着目し，大気下で安定な分子性アンバイポーラー型半導体材料を開発した．平面状の構造をとる本錯体は，分子間での有効な軌道相互作用をもつ積層様式からなる高秩序な薄膜を形成した．実際に有機電界効果トランジスタ（OFET）デバイスの半導体層として優れたアンバイポーラー型電荷輸送性を発現した．大気下において従前のアンバイポーラー型半導体材料を凌駕する移動度・安定性・物性再現性を示すことを明らかにした．結晶性の高いこの分子性半導体薄膜は，薄膜面内でキャリアの種類に応じた移動度の異方性を示し，スイッチング機能を多様化できることを示した．さらに，この半導体薄膜の前駆体のアニオン塩の構造を多様化し，両親媒性の構造とすることで，水圏で二重膜構造を形成し，特異な外場的構造変化を示した．
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| 現在までの達成度 (段落) |
令和5年度が最終年度であるため、記入しない。
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| 今後の研究の推進方策 |
令和5年度が最終年度であるため、記入しない。
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