| 研究領域 | コンピューティクスによる物質デザイン：複合相関と非平衡ダイナミクス |
|---|
| 研究課題/領域番号 |
23104504
|
|---|
| 研究種目 |
新学術領域研究(研究領域提案型)
|
| 配分区分 | 補助金 |
|---|
| 審査区分 |
理工系
|
|---|
| 研究機関 | 東京工業大学 |
|---|
研究代表者 |
平山 博之 東京工業大学, 総合理工学研究科(研究院), 教授 (60271582)
|
|---|
| 研究期間 (年度) |
2011-04-01 – 2013-03-31
|
| 研究課題ステータス |
完了 (2012年度)
|
| 配分額 *注記 |
7,410千円 (直接経費: 5,700千円、間接経費: 1,710千円)
2012年度: 2,730千円 (直接経費: 2,100千円、間接経費: 630千円)
2011年度: 4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円)
|
|---|
| キーワード | シリセン / 銀 / 走査トンネル顕微鏡 / 表面・界面物性 / 走査プローブ顕微鏡 / 結晶成長 / ナノ材料 / 物性実験 |
|---|
| 研究実績の概要 |
本年度は１）すなわちAg(111)表面上のエピタキシャル成長条件で得られるsiliceneの構造のバラエティ、および（２）得られたsiliceneの構造とその電子状態の相関を明らかにすべく研究を行った。
（１）に関しては、２段階成長したAg(111)薄膜上に270℃でSiを蒸着した表面をSTMによって観察し、この表面には様々なオーダーを持ったドメインがパッチワークのように寄せ集まっていることを明らかにした。具体的にAg(111)1x1格子上のsilicene格子は、その格子を下地のAgに対して回転させることによってAg(111)1x1格子にほぼ整合する形で成長し、このとき取りえる回転角に応じて、Ag(111)格子に対してsilicene格子は4x4(θ=0°)、√21x√21（θ=10.9°）、√13x√13（θ=13.9°）、√7x√7（θ=19.1°）、2√3x2√3（θ=30°）の超周期構造が現れることが明らかになった。
また（２）については、様々なローカルオーダーを持ったドメインを持つsilicene表面上で、empty stateの電子状態密度の空間分布をSTMを用いたdI/dV像によって観測し、上記の超周期構造では、基板との整合関係による電子状態のモアレ構造が現れること、さらに高温で成長した際に得られる√3x√3周期をもったsiliceneでは、Dirac電子系の直線的な分散関係が実現されることを見出した。
|
| 現在までの達成度 (段落) |
24年度が最終年度であるため、記入しない。
|
| 今後の研究の推進方策 |
24年度が最終年度であるため、記入しない。
|
