研究領域 | アシンメトリが彩る量子物質の可視化・設計・創出 |
研究課題/領域番号 |
24H01652
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研究種目 |
学術変革領域研究(A)
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配分区分 | 補助金 |
審査区分 |
学術変革領域研究区分(Ⅱ)
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研究機関 | 東京大学 |
研究代表者 |
金澤 直也 東京大学, 生産技術研究所, 准教授 (10734593)
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研究期間 (年度) |
2024-04-01 – 2026-03-31
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研究課題ステータス |
交付 (2024年度)
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配分額 *注記 |
5,460千円 (直接経費: 4,200千円、間接経費: 1,260千円)
2024年度: 2,730千円 (直接経費: 2,100千円、間接経費: 630千円)
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キーワード | 非相反伝導 / 極性金属表面 / 反対称的スピン軌道相互作用 |
研究開始時の研究の概要 |
空間反転対称性の破れによって許容される非相反伝導特性の巨大化に向けた物質設計指針の構築を目指す。特に、空間反転対称性の破れを定量的に評価するパラメータとして、電気分極の現代的理論で用いられている量子位相の概念を導入し、非相反伝導特性との対応を明らかにする。具体的には、非磁性絶縁体FeSiの表面に現れる強磁性極性金属状態をモデルケースとして研究する。本研究では、電界効果・異種物質接合・元素置換によってFeSi表面に現れるアシンメトリ量子状態を広いエネルギースケールで変調して非相反伝導特性の最大化を実現し、電子-スピン結合状態の非対称性設計の合理的な方針を示す。
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