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異種原子層膜を用いた論理回路

公募研究

研究領域原子層科学
研究課題/領域番号 26107533
研究種目

新学術領域研究(研究領域提案型)

配分区分補助金
審査区分 理工系
研究機関早稲田大学

研究代表者

竹延 大志  早稲田大学, 理工学術院, 教授 (70343035)

研究期間 (年度) 2014-04-01 – 2015-03-31
研究課題ステータス 中途終了 (2014年度)
配分額 *注記
3,510千円 (直接経費: 2,700千円、間接経費: 810千円)
2014年度: 3,510千円 (直接経費: 2,700千円、間接経費: 810千円)
キーワード原子層膜 / トランジスタ / 論理回路 / CVD合成
研究実績の概要

本研究の目的は、化学気相成長法を用いた遷移金属ダイカルコゲナイド(MoS2, MoSe2, WSe2)原子層膜成膜技術とイオンゲルトランジスタ作製技術を組み合わせた機能性原子層膜素子の作製であり、具体的な研究項目と成果を以下にあげる。
① 化学気相成長法を用いた遷移金属ダイカルコゲナイド原子層膜成膜技術の確立:合成装置を作製し、多層膜の合成には成功している。現在、大面積単層膜合成に向けて、条件の最適化を進めている。
② 単一原子層膜を用いたイオンゲルトランジスタおよび論理回路の作製:MoS2, MoSe2, WS2,WSe2単層膜を用いたトランジスタ作製に成功した。また、抵抗インバーター(gain ~ 13)や両極性トランジスタを用いたインバーター(gain ~ 80)作製に成功した。
③ 複数種類の原子層膜を用いた論理回路の作製:MoS2(N型)とWSe2(両極性)を組み合わせたインバーター(gain ~ 110)作製に成功した。
以上のように、合成条件の最適化を除いた当初の目標を初年度半年間で達成することができた。

現在までの達成度 (段落)

26年度が最終年度であるため、記入しない。

今後の研究の推進方策

26年度が最終年度であるため、記入しない。

報告書

(1件)
  • 2014 実績報告書
  • 研究成果

    (11件)

すべて 2014

すべて 雑誌論文 (2件) (うち査読あり 2件、 謝辞記載あり 1件) 学会発表 (9件) (うち招待講演 4件)

  • [雑誌論文] Flexible and stretchable thin-film transistors based on molybdenum2014

    • 著者名/発表者名
      Jiang Pu,Lain-Jong Li and Taishi Takenobu
    • 雑誌名

      Physical Chemistry Chemical Physics

      巻: 16 号: 29 ページ: 14996-15006

    • DOI

      10.1039/c3cp55270e

    • 関連する報告書
      2014 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Monolayer MoSe2 Grown by Chemical Vapor Deposition for Fast Photodetection2014

    • 著者名/発表者名
      Yung-Huang Chang, Wenjing Zhang, Yihan Zhu, Yu Han, Jiang Pu, Jan-Kai Chang, Wei-Ting Hsu, Jing-Kai Huang, Chang-Lung Hsu, Ming-Hui Chiu, Taishi Takenobu, Henan Li, Chih-I Wu, Wen-Hao Chang, Andrew Thye Shen Wee, Lain-Jong Li
    • 雑誌名

      ACS Nano

      巻: 8 号: 8 ページ: 8582-8590

    • DOI

      10.1021/nn503287m

    • 関連する報告書
      2014 実績報告書
    • 査読あり / 謝辞記載あり
  • [学会発表] 大面積WSe2 薄膜を用いたFlexible logic circuits2014

    • 著者名/発表者名
      舟橋一真,蒲  江,Lain-Jong Li,岩佐義宏,竹延大志
    • 学会等名
      第75回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      北海道大学 札幌キャンパス
    • 年月日
      2014-09-17
    • 関連する報告書
      2014 実績報告書
  • [学会発表] 大面積原子層薄膜を用いた新機能素子2014

    • 著者名/発表者名
      竹延大志
    • 学会等名
      第75回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      北海道大学 札幌キャンパス
    • 年月日
      2014-09-17
    • 関連する報告書
      2014 実績報告書
  • [学会発表] 単層遷移金属ダイカルコゲナイド大面積膜を用いたpn接合素子2014

    • 著者名/発表者名
      和田義史,蒲江,清水諒,Chang-Hsiao Chen,Lain-Jong Li,岩佐義宏,竹延大志
    • 学会等名
      日本物理学会 2014秋季大会
    • 発表場所
      中部大学
    • 年月日
      2014-09-07
    • 関連する報告書
      2014 実績報告書
  • [学会発表] 単層遷移金属ダイカルコゲナイドにおける熱電効果の電場変調2014

    • 著者名/発表者名
      蒲江,Chang-Hsiao Chen,Lain-Jong Li,太田裕道,竹延大志
    • 学会等名
      日本物理学会 2014秋季大会
    • 発表場所
      中部大学
    • 年月日
      2014-09-07
    • 関連する報告書
      2014 実績報告書
  • [学会発表] Flexible and Stretchable transistors based on nanomaterials2014

    • 著者名/発表者名
      Taishi Takenobu
    • 学会等名
      IMID 2014
    • 発表場所
      EXCO,Daegu,Korea
    • 年月日
      2014-08-27
    • 関連する報告書
      2014 実績報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] ナノ材料を用いた機能性素子2014

    • 著者名/発表者名
      竹延 大志
    • 学会等名
      JOEMアカデミー2014 第一回
    • 発表場所
      早稲田大学 研究開発センター
    • 年月日
      2014-07-23
    • 関連する報告書
      2014 実績報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] Novel Functional Device of Transition Metal Dichalcogenide Monolayers2014

    • 著者名/発表者名
      Taishi Takenobu
    • 学会等名
      AM-FPD '14
    • 発表場所
      Ryukoku University,Kyoto Hall
    • 年月日
      2014-07-04
    • 関連する報告書
      2014 実績報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] 2次元結晶を用いた機能性素子とバレートロニクスへの展望2014

    • 著者名/発表者名
      竹延 大志
    • 学会等名
      「産業応用をめざした新物質機能の設計と実証」に関する研究開発専門委員会 第2回「低次元シリコン・カーボン材料における物性と機能創出」
    • 発表場所
      東京大学 伊藤国際学術研究センター 伊藤謝恩ホール
    • 年月日
      2014-06-10
    • 関連する報告書
      2014 実績報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] Transition metal dichalcogenide film transistors2014

    • 著者名/発表者名
      Taishi Takenobu
    • 学会等名
      NT14
    • 発表場所
      University of Southern California,LosAngeles,USA
    • 年月日
      2014-06-03
    • 関連する報告書
      2014 実績報告書

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公開日: 2014-04-04   更新日: 2018-03-28  

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