| 研究領域 | 分子アーキテクトニクス：単一分子の組織化と新機能創成 |
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| 研究課題/領域番号 |
26110522
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| 研究種目 |
新学術領域研究(研究領域提案型)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 審査区分 |
理工系
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| 研究機関 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
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研究代表者 |
内藤 泰久 国立研究開発法人産業技術総合研究所, ナノエレクトロニクス研究部門, 主任研究員 (10373408)
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| 研究期間 (年度) |
2014-04-01 – 2016-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2015年度)
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| 配分額 *注記 |
5,980千円 (直接経費: 4,600千円、間接経費: 1,380千円)
2015年度: 2,990千円 (直接経費: 2,300千円、間接経費: 690千円)
2014年度: 2,990千円 (直接経費: 2,300千円、間接経費: 690千円)
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| キーワード | ナノギャップ / 分子エレクトロニクス / ナノエレクトロニクス / 微細加工 / ナノギャップ電極 |
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| 研究実績の概要 |
ナノギャップ電極の作製はこれまで、光露光や電子ビーム露光など非常に高額なパターンニングプロセスを必要としていた。これは、一回の測定ごとに使い捨てにするナノギャップ電極の高コスト化の原因のひとつであった。そこで、コストの低いメタルマスクによるパターンニングでナノギャップ電極が作製可能か探求した。しかし、メタルマスクはパターニング精度が低く、数10μm 台の大きなパターンでも作製できなければならない。そこで内藤らが独自に見出した蒸着時エレクトロマイグレーション法を取り入れて、ナノギャップの作製を試みた。結果、パターンが大きくなった影響で、一部ナノギャップができにくい条件も存在したが、光露光や電子ビーム露光などと同様にsub1nm 幅のナノギャップ電極が作製可能であることが分った。また、メタルマスク利用によりウエットプロセスフリーが可能となったため、蒸着金属の選択肢の拡張や接着層なしで金のナノギャップ電極作製など、より電極作製の自由度が向上できることが分った。
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| 現在までの達成度 (段落) |
27年度が最終年度であるため、記入しない。
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| 今後の研究の推進方策 |
27年度が最終年度であるため、記入しない。
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