| 研究領域 | 窒化物光半導体のフロンティア-材料潜在能力の極限発現- |
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| 研究課題/領域番号 |
18069013
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| 研究種目 |
特定領域研究
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 審査区分 |
理工系
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| 研究機関 | 立命館大学 |
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研究代表者 |
名西 やす之 立命館大学, 理工学部, 教授 (40268157)
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| 研究分担者 |
吉川 明彦 千葉大学, 工学部, 教授 (20016603)
天野 浩 名古屋大学, 理工学部, 教授 (60202694)
岸野 克巳 上智大学, 理工学部, 教授 (90134824)
川上 養一 京都大学, 工学研究科, 教授 (30214604)
荒木 努 立命館大学, 理工学, 准教授 (20312126)
船戸 充 京都大学, 工学研究科, 准教授 (70240827)
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| 研究協力者 |
赤崎 勇 名城大学・名古屋大学, 教授・特別教授・名誉教授
佐々木 昭夫 京都大学・大阪電気通信大学, 名誉教授
高橋 清 東京工業大学・最高裁判所, 名誉教授・専門委員
西永 頌 豊橋技術科学大学・東京大学, 客員教授・名誉教授
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| 研究期間 (年度) |
2006 – 2011
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| キーワード | 窒化物半導体 / 結晶成長 / 半導体物性 / 光デバイス / 紫外 / 赤外 |
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| 研究概要 |
窒化物半導体の持つ材料本来のポテンシャルからすれば、これまで開発された技術の適用波長範囲は、そのほんの一部でしかない。本特定領域においては、材料、物性、デバイスの全ての階層での全波長領域(紫外域～赤外域)にわたる横断的研究に取り組み、InN、AlN系窒化物半導体結晶に対する新規結晶成長技術の開発、欠陥物理、発光機構の解明および光デバイス発光波長領域拡大のための基盤技術開発を行った。
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