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2016 年度 実績報告書

3次元半導体検出器で切り拓く新たな量子イメージングの展開

総括班

研究領域3次元半導体検出器で切り拓く新たな量子イメージングの展開
研究課題/領域番号 25109001
研究機関大学共同利用機関法人高エネルギー加速器研究機構

研究代表者

新井 康夫  大学共同利用機関法人高エネルギー加速器研究機構, 素粒子原子核研究所, 教授 (90167990)

研究分担者 三好 敏喜  大学共同利用機関法人高エネルギー加速器研究機構, 素粒子原子核研究所, 研究機関講師 (20470015)
幅 淳二  大学共同利用機関法人高エネルギー加速器研究機構, 素粒子原子核研究所, 教授 (60180923)
研究期間 (年度) 2013-06-28 – 2018-03-31
キーワードイメージング / 先端機能デバイス / 放射線 / 素粒子実験 / 粒子線 / X線 / 3次元半導体
研究実績の概要

平成28年度は、6月に北海道大学で、11月にSPring-8において国内研究会を開催した。それぞれ約60名の参加があり、各研究班からの研究報告の他、招待講演、ポスターセッション、施設見学も行い盛況だった。領域研究も後半に入り、残りの期間でやるべき事、また終了後の研究体制等に関して夜遅くまで議論を行なった。
この他、総括班会議を、研究会の場に加えて10月に京都大、3月に東京で行い、研究の進捗状況、予算執行状況の確認、今後の活動計画等に関して打ち合わせを行った。
8月には、KEKにおいて第3回目のSOI設計講習会を開催した。今回は設計経験者を対象としたため、参加者は約10名に絞られたが、内容は濃いものとなった。
この他、継続的に本新学術領域のWebページをアップデートすると同時に、SOI技術に関する英語本"Radiation Imaging Detectors Using Soi Technology"の出版も行った。上記活動を支える為、事務処理を行う人員を雇用し、研究活動に対するサポートを行った。

現在までの達成度 (区分)
現在までの達成度 (区分)

2: おおむね順調に進展している

理由

領域主催の国内研究会を開催し多くの参加者を得る事ができている。また中間評価においても期待通りの進展が認められる
との評価を頂く事ができ、研究会や講習会への学生や若手研究者の参加も増えている。
検出器制作を担うSOIプロセスも順調に行われており、各研究班から性能向上の報告も多く受けている。
領域研究への採択を機会に、各種研究会への招待講演の依頼や、企業からの問い合わせも多く、各方面からの期待を感じている。

今後の研究の推進方策

平成29年度は本領域研究の最終年度となることから、これまでの研究成果のまとめを行なっていく。
この為、6月に宮崎大で予定されている国内研究会のほか、これまでの研究の集大成として12月に沖縄で2回目の国際会議を開催する。
さらに、各研究班の研究成果を取りまとめた英語本を再来年度にかけて出版する計画で、これに向けた準備も行う。

  • 研究成果

    (15件)

すべて 2017 2016 2013 その他

すべて 国際共同研究 (2件) 雑誌論文 (4件) (うち査読あり 4件、 オープンアクセス 1件、 謝辞記載あり 4件) 学会発表 (2件) (うち国際学会 1件、 招待講演 1件) 図書 (2件) 備考 (2件) 産業財産権 (3件) (うち外国 2件)

  • [国際共同研究] Institute of High Energy Physics(中国)

    • 国名
      中国
    • 外国機関名
      Institute of High Energy Physics
  • [国際共同研究] AGH University, Krakow/Institute of Nuclear Physics, Krakow(ポーランド)

    • 国名
      ポーランド
    • 外国機関名
      AGH University, Krakow/Institute of Nuclear Physics, Krakow
  • [雑誌論文] SOI Monolithic Pixel Detector Technology2017

    • 著者名/発表者名
      Yasuo Arai
    • 雑誌名

      Proceedings of Science

      巻: - ページ: -

    • 査読あり / オープンアクセス / 謝辞記載あり
  • [雑誌論文] Tradeoff Between Low-Power Operation and Radiation Hardness of Fully Depleted SOI pMOSFET by Changing LDD Conditions2016

    • 著者名/発表者名
      Ikuo Kurachi, Kazuo Kobayashi, Marie Mochizuki, Masao Okihara, Hiroki Kasai,Takaki Hatsui, Kazuhiko Hara, Toshinobu Miyoshi, and Yasuo Arai
    • 雑誌名

      IEEE Transactions on Electron Devices

      巻: 63 ページ: 2293-2298

    • 査読あり / 謝辞記載あり
  • [雑誌論文] Development of an X-ray Imaging system with SOI Pixel Detectors2016

    • 著者名/発表者名
      Ryutaro NISHIMURA, Yasuo ARAI, Toshinobu MIYOSHI, Keiichi HIRANO, Shunji KISHIMOTO, Ryo HASHIMOTO
    • 雑誌名

      Nuclear Instruments and Methods in Physics Research A

      巻: 831 ページ: 49-54

    • DOI

      http://dx.doi.org/10.1016/j.nima.2016.04.036

    • 査読あり / 謝辞記載あり
  • [雑誌論文] Advanced monolithic pixel sensors using SOI technology2016

    • 著者名/発表者名
      Toshinobu Miyoshi, Yasuo Arai, Mari Asano, Yowichi Fujita, Ryutaro Hamasaki, Kazuhiko Hara, Shunsuke Honda, Yoichi Ikegami, Ikuo Kurachi, Shingo Mitsui, Ryutaro Nishimura, Kazuya Tauchi, Naoshi Tobita, Toru Tsuboyama, Miho Yamada
    • 雑誌名

      Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A

      巻: 824 ページ: 439-442

    • DOI

      http://dx.doi.org/10.1016/j.nima.2015.11.109

    • 査読あり / 謝辞記載あり
  • [学会発表] SOI ピクセルディテクタ用新型DAQシステムの開発現況について2017

    • 著者名/発表者名
      西村 龍太郎, 新井 康夫, 三好 敏喜, 平野 馨一, 岸本 俊二, 橋本 亮
    • 学会等名
      日本物理学会
    • 発表場所
      大阪大学豊中キャンパス(大阪府・豊中市)
    • 年月日
      2017-03-17
  • [学会発表] SOI Monolithic Pixel Detector Technology2016

    • 著者名/発表者名
      Yasuo Arai
    • 学会等名
      International workshop on vertex detectors
    • 発表場所
      La Biodola, Isola d’Elba, ITALY
    • 年月日
      2016-09-26 – 2016-09-30
    • 国際学会 / 招待講演
  • [図書] Radiation Imaging Detectors Using Soi Technology2017

    • 著者名/発表者名
      Y. Arai and I. Kurachi
    • 総ページ数
      71
    • 出版者
      Morgan & Claypool Publisher
  • [図書] Analog Electronics for Radiation Detection (Devices,Circuits, and Systems)2016

    • 著者名/発表者名
      Y. Arai, Renato Turchetta (Editor)
    • 総ページ数
      306
    • 出版者
      CRC Press
  • [備考] 3次元半導体検出器で切り拓く新たな量子イメージングの展開

    • URL

      http://soipix.jp/index.html

  • [備考] SOI Pixel R&D

    • URL

      http://rd.kek.jp/project/soi/

  • [産業財産権] RADIATION-DAMAGE-COMPENSATION-CIRCUIT AND SOI-MOSFET2016

    • 発明者名
      倉知郁生、新井康夫、山田美帆
    • 権利者名
      倉知郁生、新井康夫、山田美帆
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      PCT/JP2016/079797
    • 出願年月日
      2016-10-06
    • 外国
  • [産業財産権] Semiconductor Device and Method for Manufacturing Semiconductor Device2016

    • 発明者名
      新井康夫、葛西大樹、沖原将生
    • 権利者名
      新井康夫、葛西大樹、沖原将生
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      US2016/0190203 A1
    • 出願年月日
      2016-06-30
    • 外国
  • [産業財産権] 半導体装置およびその製造方法2013

    • 発明者名
      葛西大樹、新井康夫
    • 権利者名
      葛西大樹、新井康夫
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      特許番号 第6108451
    • 出願年月日
      2013-04-05
    • 取得年月日
      2017-03-17

URL: 

公開日: 2018-01-16  

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