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まず、リン原子上にiPr基を有するビス(ホスフィノ)ターピリジン誘導体のターピリジン部位に塩化ガリウムを導入した錯体に対し[IrCl(cod)]2を加熱条件下で作用させることにより、ガリウムーイリジウム結合を持つカチオン性イリジウム錯体が良好な収率で得られることを見出した。そのガリウムーイリジウム結合長はファンデルワールス半径の和よりも小さく、金属ー金属結合を持つことが示唆された。本手法は、3価13族金属と低原子価後周期遷移金属との錯形成によりメタリレンとするものであり、13族メタリレンを配位子とする遷移金属錯体の効率的な合成法として有望である。
次にガリウム-イリジウム錯体の反応性について種々検討した結果、この錯体に対しKC8を作用させると、イリジウムの2電子還元が進行し、ガリレン含有ピンサー型配位子を持つ1価イリジウム錯体が得られることを見出した。X線結晶構造解析から、本錯体のイリジウムは、ガリレン含有ピンサー型配位子の他に、GaCl3をZ型配位子として有していることが明らかとなった。これは単一金属上に、Ga(I)とGa(III)配位子を持つ数少ない例である。
さらに対応するガリウム－ロジウム結合を持つ錯体を合成することにも成功し、これを触媒としてアリールニトリルとジフェニルシランとの反応を行うと、N-シリルアルジミンが選択的に得られることを見出した。一般にニトリルの還元反応ではアミンを生成することがほとんどであり、イミンの段階で反応を止めることを難しいが、本触媒系では各種のアリールニトリル類に対しこれを実現することができる。
さらにピリジンに代えピロリド部位を導入した配位子を用いて、13族金属とイリジウムを導入した二核金属錯体の合成法を確立した。また、新たな反応場の構築とその触媒反応への利用に関し、広く検討を行った。
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