平衡状態に基づくトップダウン法による特異構造の創製

2019 年度 実績報告書

• 研究領域: 特異構造の結晶科学：完全性と不完全性の協奏で拓く新機能エレクトロニクス
• 研究課題/領域番号: 16H06415
• 研究機関: 三重大学
• 研究代表者: 三宅 秀人 三重大学, 地域イノベーション学研究科, 教授 (70209881)
• 研究分担者: 宮川 鈴衣奈 名古屋工業大学, 工学(系)研究科(研究院), 助教 (10635197) ; 荒木 努 立命館大学, 理工学部, 教授 (20312126)
• 研究期間 (年度): 2016-06-30 – 2021-03-31
• キーワード: AlN / 高温アニール / スパッタ法 / DUV-LED / 貫通転位

研究実績の概要

本研究では、このAlNテンプレートをFFA Sp-AlN (Face-to-Face Annealed Sputter-deposited AlN)テンプレートの転位密度低減に関する取り組みとして、スパッタ成膜時の成膜条件、AlN膜厚、そして高温アニールの条件が、AlNの結晶性に与える影響を明らかにした。また、FFA Sp-AlNテンプレート上にMOVPE法でAlxGa1-xNを成長させた際の特異な成長挙動に関して、サファイア基板上にMOVPE法で直接成長させたAlNテンプレートと比較しながら述べる。さらに、FFA Sp-AlNテンプレート上に作製したDUV-LEDの発光特性に関して述べる。
スパッタ法成膜と高温アニールを組み合わせて、サファイア基板上に10^7 cm^-2台の低貫通転位密度のFFA Sp-AlNテンプレートを作製する技術を確立し、膜厚1200nmのAlNテンプレートで貫通転位密度4.9×10^7 cm^-2を達成した。同AlNテンプレートは、従来のMOVPE法で成長されたMOVPE-AlNテンプレートと比較してらせん転位および混合転位密度が極めて低いために、AlGaNを成長させた際にスパイラル成長に起因する巨大なヒロック構造が形成されることが明らかとなったが、オフ角の大きいサファイア基板を用いることでこれを抑制し、表面平坦性と結晶性の高いAlGaNを成長させることに成功した。FFA Sp-AlNテンプレート上に作製したDUV-LEDは、MOVPE-AlNテンプレート上に作製したLEDと比較して高い外部量子効率を示しており、MOVPE-AlNテンプレートに対する低貫通転位密度のFFA Sp-AlNテンプレートの優位性を示す結果が得られた。

現在までの達成度 (区分)

1: 当初の計画以上に進展している

理由

2018年度までの研究で、サファイア基板上にRFスパッタで成膜したAlNに対して、1700℃程度の高温のアニールを施すことで、AlNを構成する原子が再配列し貫通転位密度が大幅に低減することを報告してきた。特に、AlNが成膜された面同士が対抗して接触するように配置する”Face-to-Face”配置を用いることで、1気圧の窒素雰囲気下であってもAlNの分解や脱離を抑制して高温のアニールを施し、低転位密度のAlNを実現した。この技術を用いることで、簡便に低コストかつ大面積で、高い結晶性のAlNテンプレートを提供することができる。
2019年度に達成した貫通転位密度10^7cm^-2は、世界最高の高い結晶性で有り、LEDの内部量子効率80%以上を達成する意味でのその意義は大きい。また、発光波長263nmの深紫外LEDをこのテンプレート上に作製し、外部量子効率1.7%をon wafer測定で達成した。この値も世界的に非常に高く、低転位密度のAlNテンプレート有効性を示している。
さらに、透過電子顕微鏡を用いた解析により、転位の伝搬機構を明らかにした。本研究で得られて、極めて低転位密度のAlNテンプレートを用いたAlGaN成長では、FFA Sp-AlNテンプレート上で形成されたヒロック構造は、らせん転位や混合転位に起因したスパイラル成長を核として発生しており、FFA Sp-AlNテンプレートのらせん転位および混合転位の密度がMOVPE-AlNテンプレートと比較して極めて低いために、個々の転位に起因したスパイラル成長が巨大化したものであることがわかった。

今後の研究の推進方策

DNAの分解に最も有効は発光波長265nmのLED、タンパク質の分解に有効な発光波長280nmのLEDのそれぞれについて、高光出力を実現するための要素技術開発を行う。加えて、これまでに開発してきたAlNテンプレートの手に園医密度に起因した高い表面平坦性を活用して、高電子移動度電界効果トランジスタを試作し、電子デバイス分野での応用を検討する。以下に開発項目を挙げる。
（1）ナノ構造を利用した高い光取り出し構造の開発が高出力化に不可欠である。サファイアへのナノ凹凸加工、凹凸加工サファイア基板上へのAlN作製条件の最適化を実施する。三重大学では、ナノインプリントを用いたトップダウン法で、分担者の名古屋工業大学では、レーザー誘起加工で簡便にサファイア表面にナノ構造が作製できる可能性があり、その条件の検討を行う。
（2）高い結晶性を有するAlNテンプレート上のAlGaN成長では、格子の緩和やミスフィット転位の形成について、転位の伝搬を調べることにより明らかにする。特に界面での転位の振る舞いは透過電子顕微鏡を用いて詳細に調べる。
（3）AlNテンプレートの高い結晶性により、MOVPEでAlNをホモ成長させた表面は乱れのない原子ステップ構造が得られることが明らかになっている。この表面に分担者の立命館大学でMBE法を用いてGaNおよびAlGaNを形成することで界面の平滑性・急峻性に優れたHEMT構造の作製が期待できる。
本年度は、高温アニールにより形成される高い結晶性を生かしたデバイス形成とその物理の解明を推進する。

研究成果

• [国際共同研究] Otto von Guericke University, Magdeburg(ドイツ)
  • 国名: ドイツ
  • 外国機関名: Otto von Guericke University, Magdeburg
• [国際共同研究] Peking University(中国)
  • 国名: 中国
  • 外国機関名: Peking University
• [雑誌論文] High Crystallinity and Highly Relaxed Al0.60Ga0.40N Films Using Growth Mode Control Fabricated on a Sputtered AlN Template with High‐Temperature Annealing (2020)
  • 著者名/発表者名: S. Teramura, Y. Kawase, Y. Sakuragi, S. Iwayama, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki, H. Miyake
  • 雑誌名: physica status solidi (a) 巻: 217 ページ: 1900868
  • DOI: 10.1002/pssa.201900868
  • 査読あり / オープンアクセス
• [雑誌論文] AlN nanostructures and flat, void-less AlN templates formed by hydride vapor phase epitaxy on patterned sapphire substrates (2020)
  • 著者名/発表者名: H. Fujikura, T. Konno, T. Kimura, H. Miyake
  • 雑誌名: Applied Physics Express 巻: 13 ページ: 025506
  • DOI: 10.7567/1882-0786/ab65a0
  • 査読あり
• [雑誌論文] High‐Temperature Annealing of Sputter‐Deposited AlN on (001) Diamond Substrate (2020)
  • 著者名/発表者名: T. Shirato, Y. Hayashi, K. Uesugi, K. Shojiki, H. Miyake
  • 雑誌名: physica status solidi (b) 巻: 257 ページ: 1900447
  • DOI: 10.1002/pssb.201900447
  • 査読あり
• [雑誌論文] MOVPE growth of AlN films on nano-patterned sapphire substrates with annealed sputtered AlN (2020)
  • 著者名/発表者名: Y. Iba, K. Shojiki, K. Uesugi, S. Xiao, H. Miyake
  • 雑誌名: Journal of Crystal Growth 巻: 532 ページ: 125397
  • DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2019.125397
  • 査読あり
• [雑誌論文] Room-temperature operation of AlGaN ultraviolet-B laser diode at 298 nm on lattice-relaxed Al0.6Ga0.4N/AlN/sapphire (2020)
  • 著者名/発表者名: K. Sato, S. Yasue, K. Yamada, S. Tanaka, T. Omori, S. Ishizuka, S. Teramura, Y. Ogino, S. Iwayama, H. Miyake, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki
  • 雑誌名: Applied Physics Express 巻: 13 ページ: 031004
  • DOI: 10.35848/1882-0786/ab7711
  • 査読あり
• [雑誌論文] Effect of dislocation density on optical gain and internal loss of AlGaN-based ultraviolet-B band lasers (2020)
  • 著者名/発表者名: S. Tanaka, Y. Kawase, S. Teramura, S. Iwayama, K. Sato, S. Yasue, T. Omori, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki, H. Miyake
  • 雑誌名: Applied Physics Express 巻: 13 ページ: 045504
  • DOI: 10.35848/1882-0786/ab7caf
  • 査読あり
• [雑誌論文] Quantitative evaluation of strain relaxation in annealed sputter-deposited AlN film (2019)
  • 著者名/発表者名: S. Tanaka, K. Shojiki, K. Uesugi, Y. Hayashi, H. Miyake
  • 雑誌名: Journal of Crystal Growth 巻: 512 ページ: 16-19
  • DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2019.02.001
  • 査読あり
• [雑誌論文] Curvature-controllable and crack-free AlN/sapphire templates fabricated by sputtering and high-temperature annealing (2019)
  • 著者名/発表者名: Y. Hayashi, K. Tanigawa, K. Uesugi, K. Shojiki, H. Miyake
  • 雑誌名: Journal of Crystal Growth 巻: 512 ページ: 131-135
  • DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2019.02.001
  • 査読あり
• [雑誌論文] Preparation of high-quality thick AlN layer on nanopatterned sapphire substrates with sputter-deposited annealed AlN film by hydride vapor-phase epitaxy (2019)
  • 著者名/発表者名: S. Xiao, N. Jiang, K. Shojiki, K. Uesugi, H. Miyake
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 巻: 58 ページ: SC1003
  • DOI: 10.7567/1347-4065/ab0ad4
  • 査読あり
• [雑誌論文] Deep Ultraviolet Light Source from Ultrathin GaN/AlN MQW Structures with Output Power Over 2 Watt (2019)
  • 著者名/発表者名: Y. Wang, X. Rong, S. Ivanov, V. Jmerik, Z. Chen, H. Wang, T. Wang, P. Wang, P. Jin, Y. Chen, V. Kozlovsky, D. Sviridov, M. Zverev, E. Zhdanova, N. Gamov, V. Studenov, H. Miyake, H. Li, S. Guo, X. Yang, F. Xu, T. Yu, Z. Qin, W. Ge, B. Shen, X. Wang
  • 雑誌名: Advanced Optical Materials 巻: 7 ページ: 1801763
  • DOI: 10.1002/adom.201801763
  • 査読あり
• [雑誌論文] Improved emission intensity of UVC-LEDs from using strain relaxation layer on sputter-annealed AlN (2019)
  • 著者名/発表者名: K. Nagamatsu, X. Liu, K. Uesugi, H. Miyake
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 巻: 58 ページ: SCCC07
  • DOI: 10.7567/1347-4065/ab07a1
  • 査読あり
• [雑誌論文] Reduction of threading dislocation density and suppression of cracking in sputter-deposited AlN templates annealed at high temperatures (2019)
  • 著者名/発表者名: K. Uesugi, Y. Hayashi, K. Shojiki, H. Miyake
  • 雑誌名: Applied Physics Express 巻: 12 ページ: 065501
  • DOI: 10.7567/1882-0786/ab1ab8
  • 査読あり
• [雑誌論文] Local and anisotropic strain in AlN film on sapphire observed by Raman scattering spectroscopy (2019)
  • 著者名/発表者名: K. Shojiki, Y. Hayashi, K. Uesugi, H. Miyake
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 巻: 58 ページ: SCCB17
  • DOI: 10.7567/1347-4065/ab0d07
  • 査読あり
• [雑誌論文] Structural analysis of polarity inversion boundary in sputtered AlN films annealed under high temperatures (2019)
  • 著者名/発表者名: T. Akiyma, M. Uchino, K. Nakamura, T. Ito, S. Xiao, H. Miyake
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 巻: 58 ページ: SCCB30
  • DOI: 10.7567/1347-4065/ab0d01
  • 査読あり
• [雑誌論文] Ultraviolet-B band lasers fabricated on highly relaxed thick Al0. 55Ga0. 45N films grown on various types of AlN wafers (2019)
  • 著者名/発表者名: Y. Kawase, S. Ikeda, Y. Sakuragi, S. Yasue, S. Iwayama, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki, H. Miyake
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 巻: 58 ページ: SC1052
  • DOI: 10.7567/1347-4065/ab0d04
  • 査読あり
• [雑誌論文] Statistics of excitonic energy states based on phononic-excitonic-radiative model (2019)
  • 著者名/発表者名: Y. Ishitani, K. Oki, H. Miyake
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 巻: 58 ページ: SCCB34
  • DOI: 10.7567/1347-4065/ab09e2
  • 査読あり
• [雑誌論文] Improvements in structural and optical properties of wafer-scale hexagonal boron nitride film by post-growth annealing (2019)
  • 著者名/発表者名: SH. Lee, H. Jeong, OF. NgomeOkello, S. Xiao, S. Moon, D. Kim, GY. Kim, JL. Lo, YC. Peng, BM. Cheng, H. Miyake, SY. Choi, JK. Kim
  • 雑誌名: Scientific reports 巻: 9 ページ: 1-8
  • DOI: 10.1038/s41598-019-47093-9
  • 査読あり
• [雑誌論文] Impact of face-to-face annealed sputtered AlN on the optical properties of AlGaN multiple quantum wells (2019)
  • 著者名/発表者名: K. Shojiki, R. Ishii, K. Uesugi, M. Funato, Y. Kawakami, H. Miyake
  • 雑誌名: AIP Advances 巻: 9 ページ: 125342
  • DOI: 10.1063/1.5125799
  • 査読あり
• [雑誌論文] A Simple Analysis Method for 4-Deoxy-l-erythro-5-hexoseulose Uronic Acid by HPLC-ELSD with Column for Anion Analysis (2019)
  • 著者名/発表者名: T. Shibata, R. Fujii, Y. Nishioka, H. Miyake, T. Mori, R. Tanaka
  • 雑誌名: NATURAL PRODUCT COMMUNICATIONS 巻: 14 ページ: -
  • DOI: 10.1177/1934578X19850990
  • 査読あり
• [雑誌論文] Enzymatic and molecular characterization of an endoglucanase E from Clostridium cellulovorans 743B (2019)
  • 著者名/発表者名: R. Kozaki, H. Miyake
  • 雑誌名: JOURNAL OF BIOSCIENCE AND BIOENGINEERING 巻: 128 ページ: 398-404
  • DOI: 10.1016/j.jbiosc.2019.03.013
  • 査読あり
• [雑誌論文] Suppression of dislocation-induced spiral hillocks in MOVPE-grown AlGaN on face-to-face annealed sputter-deposited AlN template (2019)
  • 著者名/発表者名: K. Uesugi, K. Shojiki, Y. Tezen, Y. Hayashi, H. Miyake
  • 雑誌名: Applied Physics Letters 巻: 116 ページ: 062101
  • DOI: 10.1063/1.5141825
  • 査読あり
• [学会発表] 高温アニールしたスパッタ成膜 AlN テンプレート上への DUV LED 作製 (2020)
  • 著者名/発表者名: 上杉 謙次郎, 手銭 雄太，正直 花奈子, 窪谷 茂幸，三宅 秀人
  • 学会等名: 2020年第67回応用物理学会春季学術講演会
• [学会発表] 高温アニールしたスパッタAlN上に成長させたAlNの陰極線蛍光評価（２） (2020)
  • 著者名/発表者名: 中須大蔵、嶋紘平、正直花奈子、上杉謙次郎、小島一信、上殿明良、三宅秀人、秩父重英
  • 学会等名: 2020年第67回応用物理学会春季学術講演会
• [学会発表] 高温アニールしたスパッタAlN上に成長させたAlNの陰極線蛍光評価（1） (2020)
  • 著者名/発表者名: 嶋紘平、中須大蔵、正直花奈子、上杉謙次郎、小島一信、上殿明良、三宅秀人、秩父重英
  • 学会等名: 2020年第67回応用物理学会春季学術講演会
• [学会発表] 高温熱処理したスパッタAlN膜の熱歪解析 (2020)
  • 著者名/発表者名: 林侑介, 上杉謙次郎, 正直花奈子, 三宅秀人, 藤平哲也, 酒井朗
  • 学会等名: 2020年第67回応用物理学会春季学術講演会
• [学会発表] 高品質AlN 上 RF MBE 成長 InN の極微構造評価 (II) (2020)
  • 著者名/発表者名: 橘 秀紀、高林 佑介、中村 亮介、毛利真一郎、名西ヤスシ、荒木努、正直花奈子、三宅 秀人
  • 学会等名: 2020年第67回応用物理学会春季学術講演会
• [学会発表] High quality AlN film on sapphire prepared by two step sputtering-annealing (2020)
  • 著者名/発表者名: Ding Wang, Kenjiro Uesugi, Shiyu Xiao, Yuta Tezen, Kenji Norimatsu, Kanako Shojiki, Shigeyuki Kuboya, Hideto Miyake
  • 学会等名: 2020年第67回応用物理学会春季学術講演会
• [学会発表] Preparation of high-quality thick AlN layer on nano-patterned sapphire substrates with sputter-deposited annealed AlN film by hydride vapor-phase epitaxy (2019)
  • 著者名/発表者名: S. Xiao, N. Jiang, K. Shojiki, K. Uesugi, H. Miyake
  • 学会等名: The International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA'19)
  • 国際学会
• [学会発表] Threading Dislocation Reduction of Sputter-Deposited AlN Templates for Deep-Ultraviolet Light-Emitting Device Applications (2019)
  • 著者名/発表者名: K. Uesugi, Y. Hayashi, K. Shojiki, H. Miyake
  • 学会等名: The International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA'19)
  • 国際学会
• [学会発表] MOVPE Growth on Sputtered Annealed AlN Film / Nano PSS (2019)
  • 著者名/発表者名: Y. Iba, K. Shojiki, K. Uesugi, S. Xiao, H. Miyake
  • 学会等名: The International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA'19)
  • 国際学会
• [学会発表] Focusing Grating Coupler for AlN Deep UV Waveguide SHG Device (2019)
  • 著者名/発表者名: Y. Morioka, S. Yamaguchi, K. Shojiki, Y. Hayashi, H. Miyake, K. Shiomi, Y. Fujiwara, M. Uemukai, R. Katayama
  • 学会等名: The International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA'19)
  • 国際学会
• [学会発表] Raman Scattering Investigation of Strain Evolution?during Surface-Activated Bonding of GaN and Removal of Si substrate (2019)
  • 著者名/発表者名: R. Tanabe, T. Onodera, M. Uemukai, T. Hikosaka, S. Nunoue, K. Shojiki, H. Miyake, M. Kushimoto, H. Cheong, Y. Honda, H. Amano, R. Katayama
  • 学会等名: The International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA'19)
  • 国際学会
• [学会発表] Fabrication of c-AlN/a-Sapphire Templates by Sputtering and High-Temperature Annealing (2019)
  • 著者名/発表者名: Y. Hayashi, K. Fujikawa, K. Uesugi, K. Shojiki, H. Miyake
  • 学会等名: Compound Semiconductor Week 2019(CSW2019)
  • 国際学会
• [学会発表] High-Temperature Annealing of Sputter-Deposited AlN on Diamond Substrate (2019)
  • 著者名/発表者名: T. Shirato, Y. Hayashi, K. Uesugi, K. Shojiki, H. Miyake
  • 学会等名: Compound Semiconductor Week 2019(CSW2019)
  • 国際学会
• [学会発表] Reduction of Threading Dislocation Density in High-temperature Annealed AlN on Sapphire Templates (2019)
  • 著者名/発表者名: H. Miyake, K. Shojiki, K. Uesugi, S. Xiao
  • 学会等名: 19th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-19), 19th US Biennial Workshop on Organometallic Vapor Phase Epitaxy (OMVPE-19)
  • 招待講演
• [学会発表] MOVPE Growth of AlGaN on High-Temperature Annealed Sputter Deposited AlN Templates (2019)
  • 著者名/発表者名: K. Uesugi, K. Shojiki, Y. Hayashi, H. Miyake
  • 学会等名: 13th International Conference on Nitride Semiconductors 2019 (ICNS-13)
  • 国際学会
• [学会発表] Comparative Study of AlGaN Multiple Quantum Wells on Annealed Sputtered-AlN and MOVPE-Grown-AlN on Sapphire Substrates (2019)
  • 著者名/発表者名: K. Shojiki, R. Ishii, K. Uesugi, M. Funato, Y. Kawakami, H. Miyake
  • 学会等名: 13th International Conference on Nitride Semiconductors 2019 (ICNS-13)
  • 国際学会
• [学会発表] RF-MBE InN Growth on High-Quality AlN Template (2019)
  • 著者名/発表者名: Y. Takabayashi, H. Tachibana, F. B. Abs, S. Mouri, T. Araki, H. Miyake, K. Uesugi, K. Shojiki
  • 学会等名: 13th International Conference on Nitride Semiconductors 2019 (ICNS-13)
  • 国際学会
• [学会発表] Fabrication of high-quality AlN on sapphire by high-temperature annealing (2019)
  • 著者名/発表者名: H. Miyake, K. Uesugi, S. Xiao, K. Shojiki, H. Koizumi, S. Kuboya
  • 学会等名: 1st International Workshop on AlGaN based UV-Laser diodes, Berlin, Germany
  • 招待講演
• [学会発表] Preparation of high-quality AlN templates for deep UV devices (2019)
  • 著者名/発表者名: H. Miyake, K. Shojiki, K. Uesugi, S. Xiao, H. Koizumi, S. Kuboya
  • 学会等名: 4th International Workshop on Ultraviolet Materials and Devices (IWUMD-IV)
  • 招待講演
• [学会発表] Crack-Free thick AlN Grown on μ-Cone Patterned Sapphire Substrates with Sputter-Deposited Annealed AlN film by Hydride Vapor-Phase Epitaxy (2019)
  • 著者名/発表者名: S. Xiao, K. Shojiki, K. Uesugi, and H. Miyake
  • 学会等名: 4th International Workshop on Ultraviolet Materials and Devices (IWUMD-IV)
  • 国際学会
• [学会発表] Growth of Si-doped AlGaN on High-Temperature-Annealed MOVPE-Grown AlN Films on Vicinal Sapphire with Sputtered AlN Seed Layers (2019)
  • 著者名/発表者名: S. Kuboya, Y. Tezen, K. Uesugi, K. Norimatsu, K. Shojiki, H. Miyake
  • 学会等名: 4th International Workshop on Ultraviolet Materials and Devices (IWUMD-IV)
  • 国際学会
• [学会発表] Internal quantum efficiency improvement by using annealed sputtered AlN template (2019)
  • 著者名/発表者名: K. Shojiki, R. Ishii, K. Uesugi, M. Funato, Y. Kawakami, and H. Miyake
  • 学会等名: Singularity Project Workshop of China-Korea-Japan
  • 国際学会
• [学会発表] MOVPE Growth of AlGaN on High-Temperature Annealed Sputter Deposited AlN Templates (2019)
  • 著者名/発表者名: K. Uesugi, K. Shojiki, Y. Hayashi, H. Miyake
  • 学会等名: Singularity Project Workshop of China-Korea-Japan
  • 国際学会
• [学会発表] Threading Dislocation Reduction of Sputter-deposited AlN/sapphire by High-Temperature Annealing (2019)
  • 著者名/発表者名: H. Miyake, K. Shojiki, K. Uesugi, S. Xiao, H. Koizumi, S. Kuboya
  • 学会等名: The 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APSW2019)
  • 招待講演
• [学会発表] サファイア上AlN膜の高温アニールによる高品質化と深紫外LED開発 (2019)
  • 著者名/発表者名: 三宅秀人, 正直花奈子, 肖世玉, 劉小桐, 岩山章, 上杉謙次郎, 窪谷茂幸, 小泉晴比古, 手銭雄太, 則松研二
  • 学会等名: 第11回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
  • 招待講演
• [学会発表] スパッタ堆積アニールAlNテンプレート上へのMOVPE法ホモ成長 (2019)
  • 著者名/発表者名: 川端心、正直花奈子, 上杉謙次郎, Xiaotong Liu, 三宅秀人
  • 学会等名: 第11回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
• [学会発表] RF-MBE法を用いた高品質AlN上へのInN成長 (2019)
  • 著者名/発表者名: 橘秀紀，F.B.Abas，高林祐介，毛利真一郎，名西ヤスシ，荒木努，正直花奈子，三宅秀人
  • 学会等名: 第11回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
• [学会発表] RF-MBE成長InNに対する熱処理の効果 (2019)
  • 著者名/発表者名: 福田安莉，橘秀紀，高林祐介，後藤直樹, 毛利真一郎，名西?之，荒木努，正直花奈子，三宅秀人
  • 学会等名: 第11回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
• [学会発表] アニール処理スパッタAlN膜上AlGaN多重量子井戸構造の光学特性 (2019)
  • 著者名/発表者名: 正直花奈子, 石井良太, 上杉謙次郎, 船戸充, 川上養分一, 三宅秀人
  • 学会等名: 第11回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
• [学会発表] ストライプ溝サファイア基板上スパッタAlN膜のアニールとHVPEホモ成長 (2019)
  • 著者名/発表者名: 西森大智、吉村一輝、肖世玉、正直花奈子, 三宅秀人
  • 学会等名: 第11回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
• [学会発表] ラマン散乱分光法を用いたサファイア基板上AlN薄膜の局所的・異方的歪みの観測 (2019)
  • 著者名/発表者名: 正直花奈子, 林侑介, 上杉謙次郎, 三宅秀人
  • 学会等名: 第11回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
• [学会発表] 近赤外波長変換に向けた+c AlN/-c AlN構造の作製 (2019)
  • 著者名/発表者名: 林侑介、上杉 謙次郎、正直 花奈子、片山竜二、酒井朗、三宅 秀人
  • 学会等名: 2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会
• [学会発表] MOVPE成長AlN膜をアニールしたテンプレート上へのAlGaN成長 (2019)
  • 著者名/発表者名: 窪谷茂幸、手銭 雄太、上杉 謙次郎、則松 研二、正直 花奈子、三宅 秀人
  • 学会等名: 2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会
• [学会発表] AlN導波路第二高調波発生デバイスのための集光グレーティング結合器 (2019)
  • 著者名/発表者名: 森岡 佳紀、上向井 正裕、上杉 謙次郎、正直 花奈子、三宅 秀人、森川 隆哉、藤原 康文、谷川 智之、片山 竜二
  • 学会等名: 2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会
• [学会発表] 2層極性反転積層AlN導波路を用いた深紫外第二高調波発生デバイスの設計 (2019)
  • 著者名/発表者名: 山内 あさひ、小松 天太、池田 和久、上杉 謙二郎、正直 花奈子、三宅 秀人、彦坂 年輝、布上 真也、森川 隆哉、藤原 康文、上向井 正裕、谷川 智之、片山 竜二
  • 学会等名: 2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会
• [学会発表] 高品質AlN上RF-MBE成長InNの極微構造評価 (2019)
  • 著者名/発表者名: 荒木 努、橘 秀紀、高林 佑介、福田 安莉、毛利 真一郎、名西ヤスシ、正直 花奈子、三宅 秀人
  • 学会等名: 2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会
• [学会発表] 高温アニールAlNテンプレート上AlGaN多重量子井戸のMOVPE成長 (2019)
  • 著者名/発表者名: 河端 一輝、窪谷 茂幸、上杉 謙次郎、正直 花奈子、三宅 秀人
  • 学会等名: 2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会
• [学会発表] MOVPE成長中の極性面AlN表面における吸着原子の安定性解析 (2019)
  • 著者名/発表者名: 稲富悠也, 寒川義裕, 岩谷素顕, 三宅秀人
  • 学会等名: 2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会
• [学会発表] Input grating coupler for AlN channel waveguide wavelength conversion device (2019)
  • 著者名/発表者名: Y. Morioka, M. Uemukai, K. Uesugi, K. Shojiki, H. Miyake, T. Morikawa, Y. Fujiwara, T. Tanikawa and R. Katayama
  • 学会等名: 38th Electronic Materials Symposium (EMS-38)
• [学会発表] Design of deep ultraviolet second harmonic generation device with double-layer polarity-inverted AlN waveguide (2019)
  • 著者名/発表者名: A. Yamaguchi, T. Komatsu, K. Ikeda, K. Uesugi, K. Shojiki, H. Miyake, T. Hikosaka, S. Nunoue, T. Morikawa, Y. Fujiwara, T. Tanikawa and R. Katayama
  • 学会等名: 38th Electronic Materials Symposium (EMS-38)
• [学会発表] Optical properties of AlGaN multiple quantum wells grown on n-AlGaN using sputter-deposited AlN templates (2019)
  • 著者名/発表者名: K. Kawabata, S. Kuboya, K. Shojiki, K. Uesugi, H. Miyake
  • 学会等名: 38th Electronic Materials Symposium (EMS-38)
• [学会発表] Raman scattering evaluation of strain evolution during surface-activated bonding of GaN and removal of Si substrate (2019)
  • 著者名/発表者名: R. Tanabe, N. Yokokawa, M. Uemukai, T. Hikosaka, S. Nunoue, K. Shojiki, H. Miyake, M. Kushimoto, H. J. Cheong, Y. Honda, H. Amano, and R. Katayama
  • 学会等名: 38th Electronic Materials Symposium (EMS-38)
• [学会発表] サファイア上AlN膜の高温アニールによる高品質化と深紫外LED開発 (2019)
  • 著者名/発表者名: 三宅秀人、正直花奈子、肖世玉、上杉謙次郎、小泉晴比古、窪谷茂幸
  • 学会等名: 徳島大学ポストＬＥＤフォトニクス公開シンポジウム2019～深紫外LEDの可能性と生み出す未来～
  • 招待講演
• [学会発表] スパッタ堆積AlNの高温固相成長とその基板上へのAlGaN成長 (2019)
  • 著者名/発表者名: 三宅秀人, 上杉謙次郎, Shiyu Xiao, 正直花奈子
  • 学会等名: 第48回結晶成長国内会議（JCCG-48）
  • 招待講演
• [学会発表] アニール処理スパッタAlN膜とn型AlGaN下地層がAlGaN多重量子井戸構造の光学特性に与える影響 (2019)
  • 著者名/発表者名: 正直花奈子, 石井良太, 上杉謙次郎, 船戸充, 川上養分一, 三宅秀人
  • 学会等名: 第48回結晶成長国内会議（JCCG-48）
• [備考] 三重大学特異構造の結晶科学リサーチセンター
  • URL: http://www.ex.rc.tokui.qm.mach.mie-u.ac.jp/
• [備考] オプトエレクトロニクス研究室
  • URL: http://www.opt.elec.mie-u.ac.jp/research_miyakeG/research_miyakeG_level1.html
• [産業財産権] 窒化物半導体基板、半導体素子及び窒化物半導体基板の製造方法 (2020)
  • 発明者名: 三宅秀人、王丁、上杉謙次郎
  • 権利者名: 三宅秀人、王丁、上杉謙次郎
  • 産業財産権種類: 特許
  • 産業財産権番号: 2020-032268
• [産業財産権] 窒化物半導体基板の製造方法 (2016)
  • 発明者名: 三宅秀人
  • 権利者名: 三宅秀人
  • 産業財産権種類: 特許
  • 産業財産権番号: 10-2052287
  • 外国
• [学会・シンポジウム開催] International Workshop on Materials Science and Advanced Electronics Created by Singularity (IW-Singularity) (2019)