| 研究領域 | 特異構造の結晶科学：完全性と不完全性の協奏で拓く新機能エレクトロニクス |
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| 研究課題/領域番号 |
16H06415
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| 研究種目 |
新学術領域研究(研究領域提案型)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 審査区分 |
理工系
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| 研究機関 | 三重大学 |
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研究代表者 |
三宅 秀人 三重大学, 地域イノベーション学研究科, 教授 (70209881)
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| 研究分担者 |
宮川 鈴衣奈 名古屋工業大学, 工学(系)研究科(研究院), 助教 (10635197)
荒木 努 立命館大学, 理工学部, 教授 (20312126)
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| 研究期間 (年度) |
2016-06-30 – 2021-03-31
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| キーワード | 窒化物半導体 / 高温アニール / 窒化アルミニウム / AlN / AlGaN / 深紫外LED |
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| 研究成果の概要 |
特異構造の結晶成長，結晶制御を実験的視点と理論的視点から深化する科学と，その応用としてエレクトロニクス展開を目指している研究を行った。
2次元特異構造としての高品質なAlN膜をサファイア基板上で作製する技術は極めて重要であるが、サファイア基板上のAlN膜には高密度の貫通転位が存在する。スパッタ法AlNに高温アニールを用いることで、AlNの結晶性が大幅に改善できること見出し、そのメカニズムを明らかにした。また、スパッタ・アニールを行ったAlNテンプレートを用いて、深紫外LEDや高速電子移動度トランジスタの作製を行い、高品質AlNテンプレートの有用性を示した。
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| 自由記述の分野 |
半導体工学
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
近年，波長230-350 nmの深紫外発光ダイオード(LED)やレーザーダイオード(LD)は殺菌・浄水，医療分野，高密度光記録用光源として注目されている．高効率なデバイスの実現には、サファイアを基板に用いたAlNテンプレートの高品質化が非常に重要である．窒化物半導体の特異構造として、格子ミスマッチの大きい系における界面層制御に注目し、高温熱処理により超高品質のAlN層が得られることを明らかにした。
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