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2018 年度 実績報告書

多次元・マルチスケール特異構造の作製と作製機構の解明

計画研究

研究領域特異構造の結晶科学:完全性と不完全性の協奏で拓く新機能エレクトロニクス
研究課題/領域番号 16H06416
研究機関名城大学

研究代表者

上山 智  名城大学, 理工学部, 教授 (10340291)

研究分担者 竹内 哲也  名城大学, 理工学部, 教授 (10583817)
岩谷 素顕  名城大学, 理工学部, 准教授 (40367735)
本田 善央  名古屋大学, 未来材料・システム研究所, 准教授 (60362274)
研究期間 (年度) 2016-06-30 – 2021-03-31
キーワード窒化物半導体 / SiC / 特異構造 / ナノ構造 / 量子効果 / 結晶成長 / 半導体発光デバイス / 不純物
研究実績の概要

本研究課題では,本研究グループがこれまで開拓してきた窒化物半導体によるマルチスケール特異構造の作製機構を理解し学問的に発展させ、さらには新機能デ バイスの創出を目指す。 現在、窒化物系量子殻・ナノワイヤ結晶の作製と成長機構、サブナノスケールのポーラスSiC結晶の作製と不純物レベル間の光物性評価、X線その場観 察を利用したヘテロ接合形成時の界面特異構造の形成機構解明、GaN基板内のグロースピット等、多次元かつマルチスケールの特異構造の作製とその形成メカニズ ムの解明、また光物性制御に関する研究を推進中である。
現在までに、GaNナノワイヤにおいて、高い再現性で形状制御が可能となり、2018年度には、ナノワイヤ上にGaInN量子殻、p-GaN殻の成長が可能となった。GaInN量子殻は、上部r面からの面間拡散の抑制が課題であったが、ナノワイヤのr面面積を極限まで縮小することにより、面間拡散を抑制し、組成、膜厚の均一性が高められることがわかってきた。一方、p-GaN殻成長においては、一般的な成長条件では、量子殻先端部にp-GaNがほとんど成長せず、デバイス応用が困難であったが、V/III比を適度に低下させると先端部の成長が促され、理想的な結晶形状を実現できるとがわかった。
X線その場観察においては、ヘテロ接合の成長時に、AlGaN/AlN系において、転位形成やマイクロクラックの生成機構の理解が深まった。ただし、成長条件によってそれらの欠陥の生成に変化を付与することができるかを明らかにする必要性を感じている。
その他、GaN基板上ホモ接合GaN成長で2017年度に得られた知見を基に、ピットの少ない高品質ホモエピタキシャルGaN層が実現でき、従来の仮説を裏付けることができた。

現在までの達成度 (区分)
現在までの達成度 (区分)

2: おおむね順調に進展している

理由

研究項目のひとつである窒化物系量子殻・ナノワイヤ結晶においては、結晶成長の安定性を維持でき、先端部の形状制御が可能となったことから、以降の量子殻、p-GaN殻等の結晶成長の理解が大幅に進んだ。それ以降の研究が順調に進み昨年度末には遅れを取り戻せたと考えら れる。多重量子殻成長時には、r面面積の小さいGaNナノワイヤではGa原子の面間拡散が抑制され、GaInNの組成、膜厚均一性が大幅に向上した。X線その場観察においては、AlGaN/AlNヘテロ接合の成長時に、適度のマイクロクラックの生成を利用して、格子緩和させるとAlGaN表面の平坦性が高められると同時に欠陥密度も低い状態が維持できることがわかった。これらも計画で期待していた成果であり、順調に推移していると考えられる。以上のように、多次元マルチスケール特異構造の作製や成長機構の理解が進み、デバイス応用への素地が完成しつつあることから、本研究は順調に推移していると考えている。

今後の研究の推進方策

2019年度も引き続き、量子殻・ナノワイヤ特異構造(上山、竹内)、ポーラスSiC特異構造(上山)、X線その場観察によるヘテロ接合特異構造(岩谷)、GaN基 板上ホモ接合特異構造(本田)の研究を継続、発展させ、成長機構や物性の解明を推進する。量子殻・ナノワイヤ特異構造では、端面発光レーザの活性領域に量子殻を適用するための検討に着手する。その際には量子殻・ナノワイヤの均一配置ではなく、ストライプ領域に選択的に成長させる手法を導入し、これまでの結晶成長メカニズムの理解が有効であるかを実証しなければならないと考えている。2020年度にはレーザ発振を実現を目指す。さらに領域内共同研究として、三重大の結晶成長理論と実験の整合性に関しての研究も付加する予定である。X線その場観察によるヘテロ接合特異構造においては、これまで実現できた高品質AlGaN/AlNヘテロエピタキシャル層の深紫外デバイスへの応用を進め、深紫外レーザの発振を目指す。GaN基板上ホモ接合特異構造は、パワーデバイスの耐圧などに関する評価を行う。その他、昨年着手できなかったポーラス SiCの光学特性と不純物濃度の関係を検討する。 白色LEDの試作などにも適用して、その有用性を明らかにする。

  • 研究成果

    (58件)

すべて 2019 2018

すべて 雑誌論文 (10件) (うち査読あり 9件、 オープンアクセス 1件) 学会発表 (47件) (うち国際学会 12件、 招待講演 32件) 図書 (1件)

  • [雑誌論文] Tuning the Resonant Frequency of a Surface Plasmon by Double-Metallic Ag/Au Nanoparticles for High-Efficiency Green Light-Emitting Diodes2019

    • 著者名/発表者名
      Ryoya Mano, Dong-Pyo Han, Kengo Yamamoto, Seiji Ishimoto, Satoshi Kamiyama, Tetsuya Takeuchi, Motoaki Iwaya and Isamu Akasaki
    • 雑誌名

      Applied Science

      巻: 9 ページ: 305.1-305.8

    • DOI

      https://doi.org/10.3390/app9020305

    • 査読あり / オープンアクセス
  • [雑誌論文] GaN-based vertical-cavity surface-emitting lasers with AlInN/GaN distributed Bragg reflectors2019

    • 著者名/発表者名
      Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya and Isamu Akasaki
    • 雑誌名

      Reports on Progress in Physics

      巻: 82 ページ: 012502

    • DOI

      https://doi.org/10.1088/1361-6633/aad3e9

    • 査読あり
  • [雑誌論文] GaN-based vertical-cavity surface-emitting lasers using n-type conductive AlInN/GaN bottom distributed Bragg reflectors with graded interfaces2019

    • 著者名/発表者名
      Wataru Muranaga, Takanobu Akagi, Ryouta Fuwa, Shotaro Yoshida, Junichiro Ogimoto, Yasuto Akatsuka, Sho Iwayama, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya and Isamu Akasaki
    • 雑誌名

      Jaoanese Journal of Applied Physics

      巻: 58 ページ: SCCC01

    • DOI

      https://doi.org/10.7567/1347-4065/ab1253

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Electrical properties of relaxed p-GaN/p-AlGaN superlattices and their application in ultraviolet-B light-emitting devices2019

    • 著者名/発表者名
      Kosuke Sato, Shinji Yasue, Yuya Ogino, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama and Isamu Akasaki
    • 雑誌名

      Jaoanese Journal of Applied Physics

      巻: 58 ページ: SC1016

    • DOI

      https://doi.org/10.7567/1347-4065/ab07a3

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Doping profiles in low resistive GaN tunnel junctions grown by metalorganic vapor phase epitaxy2019

    • 著者名/発表者名
      Yasuto Akatsuka, Sho Iwayama, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya and Isamu Akasaki
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 12 ページ: 025502

    • DOI

      https://doi.org/10.7567/1882-0786/aafca8

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Determination of internal quantum efficiency in GaInN-based light-emitting diode under electrical injection: carrier recombination dynamics analysis2019

    • 著者名/発表者名
      Dong-Pyo Han, Kengo Yamamoto, Seiji Ishimoto, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama and Isamu Akasaki
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 12 ページ: 032006

    • DOI

      https://doi.org/10.7567/1882-0786/aafca2

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Growth of High-Quality AlN and AlGaN Films on Sputtered AlN/Sapphire Templates via High-Temperature Annealing2018

    • 著者名/発表者名
      Junya Hakamata, Yuta Kawase, Lin Dong, Sho Iwayama, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Hideto Miyake, Isamu Akasaki
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi B

      巻: none ページ: 1700506

    • DOI

      https://doi.org/10.1002/pssb.201700506|

    • 査読あり
  • [雑誌論文] A GaN-Based VCSEL with a Convex Structure for Optical Guiding2018

    • 著者名/発表者名
      Natsumi Hayashi, Junichiro Ogimoto, Kenjo Matsui, Takashi Furuta, Takanobu Akagi, Sho Iwayama, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya, Isamu Akasaki
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi A

      巻: none ページ: 1700648

    • DOI

      https://doi.org/10.1002/pssa.201700648|

    • 査読あり
  • [雑誌論文] 高効率 GaN 面発光レーザの現状と展望2018

    • 著者名/発表者名
      竹内哲也, 上山智, 岩谷素顕, 赤﨑勇
    • 雑誌名

      電子情報通信学会論文誌 C

      巻: 101(8) ページ: 312-318

    • 査読あり
  • [雑誌論文] 窒化物半導体による青色レーザーおよび光電変換素子の現状と展望2018

    • 著者名/発表者名
      竹内哲也, 上山智, 岩谷素顕, 赤﨑勇
    • 雑誌名

      レーザー研究

      巻: 46 ページ: 711-715

  • [学会発表] ミラー形成にTMAHTMAHTMAHウェットエチングを用いたUV デバイスの デバイスのデバイスの特性評価2019

    • 著者名/発表者名
      安江信次,佐藤恒輔,川瀬雄太,池田隼也、櫻木勇介,岩山章,岩谷素顕,上山智,竹内哲也,赤﨑勇
    • 学会等名
      第66回応用物理学会春季学術講演会
  • [学会発表] 量子殻構造LEDのp型殻用電極に関する検討2019

    • 著者名/発表者名
      鈴木敦志, 村上ヒデキ, 軒村恭平,竹林 穣,後藤七美, 寺澤美月, Weifang Lu,曽根直樹, 飯田一喜,大矢昌輝, 上山智, 竹内哲也, 岩谷素顕, 赤﨑勇
    • 学会等名
      第66回応用物理学会春季学術講演会
  • [学会発表] 高反射率AlInN/GaN多層膜反射鏡のためのその場観察反り測定2019

    • 著者名/発表者名
      平岩恵,村永亘,岩山章,竹内哲也,上山智,岩谷素顕,赤﨑勇
    • 学会等名
      第66回応用物理学会春季学術講演会
  • [学会発表] 放射光を使ったGaN系混晶半導体とGaN系ナノワイヤの局所構造評価2019

    • 著者名/発表者名
      宮嶋孝夫,清木良麻,近藤剣,市川貴登,伊奈稔哲,新田清文,宇留賀朋哉,鶴田一樹,隅谷和嗣,今井康彦,木村滋,安田伸広, 三好実人,今井大地,竹内哲也,上山智
    • 学会等名
      第66回応用物理学会春季学術講演会
  • [学会発表] 様々なAlNテンプレート上に形成した緩和AlGaN層に作製したUV-Bレーザ2019

    • 著者名/発表者名
      手良村昌平,川瀬雄太, 池田隼也,櫻木勇介,安江信次, 田中隼也,荻野雄矢,岩谷素顕, 竹内哲也, 上山智, 岩山章, 赤﨑勇, 三宅秀人
    • 学会等名
      第66回応用物理学会春季学術講演会
  • [学会発表] MOCVD法によるナノワイヤLED上n-GaNキャップ層成長2019

    • 著者名/発表者名
      後藤七美、曽根直樹、飯田一喜、Weifang Lu、鈴木敦志、軒村恭平、竹林穣、村上ヒデキ、寺澤美月、大矢昌輝、上山智、竹内哲也、岩谷素顕、赤﨑勇
    • 学会等名
      第66回応用物理学会春季学術講演会
  • [学会発表] 高効率緑色LEDのための二重金属Ag/Auナノ粒子による表面プラズモン共鳴波長の制御2019

    • 著者名/発表者名
      真野稜也,ハン・ドンピョ,石本聖治,山本賢吾,上山智, 竹内哲也,岩谷素顕,赤﨑勇
    • 学会等名
      第66回応用物理学会春季学術講演会
  • [学会発表] 近接昇華法を用いた6H-SiCへのB,Nの高濃度コドーピングの検討2019

    • 著者名/発表者名
      田中大稀, 黒川広朗, 上山智, 岩谷素顕, 竹内哲也, 赤﨑勇
    • 学会等名
      第66回応用物理学会春季学術講演会
  • [学会発表] White LED in combination with bulk and porous fluorescent SiC2019

    • 著者名/発表者名
      S. Kamiyama, A. Suzuki, W. Lu, T. Takeuchi, M. Iwaya and I. Akasaki
    • 学会等名
      SPIE Photonics West
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] Effects of underlying layers on electrical properties of p-(Al)GaN/p-AlGaN superlattices2018

    • 著者名/発表者名
      Kosuke Sato,Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, and Isamu Akasaki
    • 学会等名
      International workshop on nitride semiconductors
    • 招待講演
  • [学会発表] Substrate off-angle and direction dependences on DUV-LED characteristics2018

    • 著者名/発表者名
      Hisanori Kojima, Takuma Ogasawara, Myunghee Kim, Yoshiki Saito, Kazuyoshi Iida, Norikatsu Koide, Tetsuya Takeuchi, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, and Isamu Akasaki
    • 学会等名
      International workshop on nitride semiconductors
    • 招待講演
  • [学会発表] Realization of high photosensitivity AlGaN-based photosensors2018

    • 著者名/発表者名
      Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki and Akira Yoshikawa
    • 学会等名
      International workshop on nitride semiconductors
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] Influence of trap level on Al0.6Ga0.4N/Al0.5Ga0.5N-MSM UV photodetector2018

    • 著者名/発表者名
      Akira Yoshikawa, Saki Ushida, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, and Isamu Akasaki
    • 学会等名
      International workshop on nitride semiconductors
    • 招待講演
  • [学会発表] Determination of Internal Quantum Efficiency in Light-emitting Diode under Electrical Injection: IQE Degradation Mechanism Analysis2018

    • 著者名/発表者名
      Dong-Pyo Han, Kengo Yamamoto, Seiji Ishimoto, Ryoya Mano, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, and Isamu Akasaki
    • 学会等名
      International workshop on nitride semiconductors
    • 招待講演
  • [学会発表] UV laser fabricated on relaxed AlGaN high temperature annealed and sputtered AlN Sapphire templates2018

    • 著者名/発表者名
      Yuta Kawase, Junya Ikeda, Yusuke Sakuragi, shinji Yasue, Sho Iwayama, Myunghee Kim, Motoaki Iwaya,, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, and Hideto Miyake
    • 学会等名
      International workshop on nitride semiconductors
    • 招待講演
  • [学会発表] A 1.8mW GaN-based VCSEL with an n-type conducting bottom DBR2018

    • 著者名/発表者名
      Wataru Muranaga,youta Fuwa, Takanobu Akagi, Sho Iwayama, Shotaro Yoshida,Yasuto Akatsuka, Junichiro Ogimoto, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya, and Isamu Akasaki
    • 学会等名
      International workshop on nitride semiconductors
    • 招待講演
  • [学会発表] Blue edge-emitting laser diodes with AlInN/AlGaN multiple cladding layers2018

    • 著者名/発表者名
      Kei Arakawa, Kohei Miyoshi, Tetsuya Takeuchi, Makoto Miyoshi, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya, and Isamu Akasaki
    • 学会等名
      International workshop on nitride semiconductors
    • 招待講演
  • [学会発表] Fabrication of GaN-based multi-quantum shell LED2018

    • 著者名/発表者名
      Kyohei Nokimura, Naoki Sone, Atsushi Suzuki, Kazuyoshi Iida, Minoru Takebayashi, Satoshi Kamiyama,, Tetsuya Takeuchi, Motoaki Iwaya, and Isamu Akasaki
    • 学会等名
      International workshop on nitride semiconductors
    • 招待講演
  • [学会発表] Optical and structural characterization of GaInN/GaN multiple quantum wells grown on nonpolar a-plane GaN templates by MOVPE2018

    • 著者名/発表者名
      Shunya Otsuki, Daiki Jinno, Hisayoshi Daicho, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, and Isamu Akasaki
    • 学会等名
      International workshop on nitride semiconductors
    • 招待講演
  • [学会発表] Reduction of threading dislocation density in AlInN/GaN DBRs for GaN-based vertical-cavity surface-emitting lasers2018

    • 著者名/発表者名
      Takanobu Akagi, Yugo Kozuka, Kazuki Ikeyama, Sho Iwayama, Masaru Kuramoto, Tatsuma Saito, Tetsuya, Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Motoki Iwaya, and Isamu Akasaki
    • 学会等名
      International workshop on nitride semiconductors
    • 招待講演
  • [学会発表] AlGaN-based electron beam excitation UV lasers using AlGaN well layer2018

    • 著者名/発表者名
      Yusuke Sakuragi, Yuta Kawase, Jyunya Ikeda, Shinji Yasue, Sho Iwayama, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama,, Tetsuya Takeuchi, and Isamu Akasaki
    • 学会等名
      International workshop on nitride semiconductors
    • 招待講演
  • [学会発表] AlN molar fraction dependence of TMAH wet etching on AlGaN2018

    • 著者名/発表者名
      Shinji Yasue, Kosuke Sato, Yuta Kawase, Junya Ikeda, Yusuke Sakuragi, Sho Iwayama, Motoaki Iwaya,, Satoshi Kamiyama, Tetsuya Takeuchi, and Isamu Akasaki
    • 学会等名
      International workshop on nitride semiconductors
    • 招待講演
  • [学会発表] Growth of GaN nanowire and GaInN/GaN multi-quantum shell (MQS) grown by metal-organic vapor phase epitaxy2018

    • 著者名/発表者名
      Naoki Sone, Nanami Goto, Mizuki Terazawa, Hideki Murakami, Kyohei Nokimura, Minoru Takebayashi,, Atsushi Suzuki, Kazuyoshi Iida, Masaki Ohya, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, and Isamu Akasaki
    • 学会等名
      International workshop on nitride semiconductors
    • 招待講演
  • [学会発表] Modification of underlying layers to improve quantum efficiency in green light emitting diodes2018

    • 著者名/発表者名
      Seiji Ishimoto, Dong-Pyo Han, Kengo Yamamoto, Ryoya Mano, Satoshi Kamiyama, Tetsuya Takeuchi, Motoaki Iwaya, and Isamu Akasaki
    • 学会等名
      International workshop on nitride semiconductors
    • 招待講演
  • [学会発表] High photosensitivity AlGaN/GaInN/GaN heterojunction field-effect transistor type visible photosensors2018

    • 著者名/発表者名
      Megumi Sakata, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, and Isamu Kamiyama
    • 学会等名
      International workshop on nitride semiconductors
    • 招待講演
  • [学会発表] Optimization of ITO deposition condition for surface plasmon enhanced green LED2018

    • 著者名/発表者名
      Kengo Yamamoto, Dong-Pyo Han, Seiji Ishimoto, Ryoya Mano, Satoshi Kamiyama, Tetsuya Takeuchi, Motoaki Iwaya, and Isamu Akasaki
    • 学会等名
      International workshop on nitride semiconductors
    • 招待講演
  • [学会発表] Optical simulation of GaInN-based Multi-Quantum-Shell (MQS) LED using n-GaN current diffusing layer2018

    • 著者名/発表者名
      Mizuki Terazawa, Masaki Ohya, Kazuyoshi Iida, Naoki Sone, Atsushi Suzuki, Satoshi Kamiyama, Tetsuya Takeuchi, Motoaki Iwaya, and Isamu Akasaki
    • 学会等名
      International workshop on nitride semiconductors
    • 招待講演
  • [学会発表] Crystal growth of high quality AlGaN for UV lasers2018

    • 著者名/発表者名
      Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki
    • 学会等名
      The 6th Japan-China Symposium on Crystal Growth and Crystal Technology
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] GaN-based VCSELs: Their Progress and Prospects2018

    • 著者名/発表者名
      Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya, and Isamu Akasaki
    • 学会等名
      23rd Microoptics Conference
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] Realization of High Performance UV Emitters and detectors by using AlGaN Materials2018

    • 著者名/発表者名
      Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki
    • 学会等名
      International Conference on Nanomaterials and Nanotechnology
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] Growth and characterization of GaInN/GaN multi-quantum shell (MQS) /GaN nanowire2018

    • 著者名/発表者名
      Satoshi Kamiyama, Tetsuya Takeuchi, Motoaki Iwaya and Isamu Akasaki
    • 学会等名
      World Congress on Nano Science and Technology
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] Study on emission wavelength control of GaInN multi-quantum-shell / GaN nanowire2018

    • 著者名/発表者名
      Nanami Goto, Kohei Sasai, Kazuyoshi Iida, Naoki Sone, Atushi Suzuki, Kyohei Nokimura, Minoru Takebayashi, Satoshi Kamiyama, Tetuya Takeuchi, Motoaki Iwaya, and Isamu Akasaki
    • 学会等名
      International Conference on MOVPE-XIX
    • 招待講演
  • [学会発表] MOVPE growth of thick and smooth surface GaInN on semipolar (1011) and (1011) GaN substrate and it sapplication of solar cell2018

    • 著者名/発表者名
      Noboru Muramatsu, Toru Takanishi, Syun Mitsufujji, Kazuya Takahashi, Motoaki Iwayaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, and Isamu Akasaki
    • 学会等名
      International Conference on MOVPE-XIX
    • 招待講演
  • [学会発表] Growth of GaInN yellow-green LEDs2018

    • 著者名/発表者名
      Junya Yoshinaga, Tatsuya Ichikawa, Tetsuya Takeuchi, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, and Isamu Akasaki
    • 学会等名
      International Conference on MOVPE-XIX
    • 招待講演
  • [学会発表] Observation of crystal growth of group III nitride semiconductors by using in situ X-ray diffraction attached metalorganic vapor phase epitaxial equipment2018

    • 著者名/発表者名
      Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, and Isamu Akasaki
    • 学会等名
      International Conference on MOVPE-XIX
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] GaN-based vertical-cavity surface-emitting lasers with MOVPE-grown AlInN/GaN DBRs2018

    • 著者名/発表者名
      Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya, and Isamu Akasaki
    • 学会等名
      International Conference on MOVPE-XIX
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] Realization of high performance AlGaN-based UV emitters and detectors2018

    • 著者名/発表者名
      Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki
    • 学会等名
      International Ceramic Congress,
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] Growth mechanism of GaInN/GaN multi-quantum shells and GaN nanowire structure grown by metalorganic vapor phase epitaxy2018

    • 著者名/発表者名
      Satoshi Kamiyama, Tetsuya Takeuchi, Motoaki Iwaya and Isamu Akasaki
    • 学会等名
      The 19th World Congress on Materials Science and Engineering
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] Electrically-injected GaN-based VCSELs2018

    • 著者名/発表者名
      Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya, and Isamu Akasaki
    • 学会等名
      Compound Semiconductor Week
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] 下地GaN/GaInN超格子による緑色LEDの発光特性の変化2018

    • 著者名/発表者名
      石本聖治、Han Dong-Pyo、山本賢吾、上山智、竹内哲也、岩谷素顕、赤﨑 勇
    • 学会等名
      第79回応用物理学会学術講演会
  • [学会発表] 緑色LEDにおける表面プラズモン効果のためのp-GaN層の最適化2018

    • 著者名/発表者名
      山本賢吾、ハン ドンピョ、石本聖治、真野稜也、上山智、竹内哲也、岩谷素顕、赤崎勇
    • 学会等名
      第79回応用物理学会学術講演会
  • [学会発表] AlGaN系材料に対するTMAHウェットエッチングのAlNモル分率依存性2018

    • 著者名/発表者名
      安江信次、佐藤恒輔、川瀬雄太、池田隼也、櫻木勇介、岩山章、岩谷素顕、上山智、竹内哲也、赤崎勇
    • 学会等名
      第79回応用物理学会学術講演会
  • [学会発表] 深紫外LED発光特性の基板オフ角・方向依存性2018

    • 著者名/発表者名
      小島久範、小笠原多久満、金明姫、飯田一善、小出典克、竹内哲也、岩谷素顕、上山智、赤崎勇
    • 学会等名
      第79回応用物理学会学術講演会
  • [学会発表] n-GaN電流拡散層を用いたGaInN系量子殻LEDの光学シミュレーション2018

    • 著者名/発表者名
      寺澤美月、大矢昌輝、飯田一喜、曽根直樹、鈴木敦志、軒村恭平、竹林穣、後藤七美、村上ヒデキ、上山智、竹内哲也、岩谷素顕、赤﨑勇
    • 学会等名
      第79回応用物理学会学術講演会
  • [学会発表] AlGaN/アニール処理スパッタAlNテンプレート上に作製した紫外レーザ2018

    • 著者名/発表者名
      川瀬雄太、池田隼也、櫻木勇介、安江信次、岩山章、金明姫、岩谷素顕、竹内哲也、上山智、赤﨑勇、三宅 秀人
    • 学会等名
      第79回応用物理学会学術講演会
  • [学会発表] 量子殻構造を有する LED のデバイス特性評価2018

    • 著者名/発表者名
      村上ヒデキ、鈴木敦志、軒村恭平、竹林穣、後藤七美、寺澤美月、曽根直樹、飯田一喜、大矢昌輝、上山智、竹内哲也、岩谷素顕、赤﨑勇
    • 学会等名
      第79回応用物理学会学術講演会
  • [学会発表] GaInN VCSELs with semiconductor-based DBRs2018

    • 著者名/発表者名
      Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya, and Isamu Akasaki
    • 学会等名
      SPIE photonics Europe
    • 国際学会 / 招待講演
  • [図書] ミニ&マイクロLEDの最新技術と市場2018

    • 著者名/発表者名
      上山智
    • 総ページ数
      162
    • 出版者
      シーエムシー・リサーチ
    • ISBN
      978-4-904482-54-4

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公開日: 2019-12-27  

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