多次元・マルチスケール特異構造の作製と作製機構の解明

2020 年度 実績報告書

• 研究領域: 特異構造の結晶科学：完全性と不完全性の協奏で拓く新機能エレクトロニクス
• 研究課題/領域番号: 16H06416
• 研究機関: 名城大学
• 研究代表者: 上山 智 名城大学, 理工学部, 教授 (10340291)
• 研究分担者: 竹内 哲也 名城大学, 理工学部, 教授 (10583817) ; 岩谷 素顕 名城大学, 理工学部, 教授 (40367735) ; 本田 善央 名古屋大学, 未来材料・システム研究所, 准教授 (60362274)
• 研究期間 (年度): 2016-06-30 – 2021-03-31
• キーワード: GaN / ナノワイヤ / 量子殻 / 半導体レーザー / 結晶成長

研究実績の概要

本研究課題では，本研究グループがこれまで開拓を行ってきた窒化物半導体によるマルチスケール特異構造の作製機構を理解し学問的に発展させ、さらには新機能デ バイスの創出を目指す。現在、窒化物系量子殻・ナノワイヤ結晶の作製と成長機構の理解、サブナノスケールのポーラスSiC結晶の作製と不純物レベル間の光物性評価、X線その場観 察を利用したヘテロ接合形成時の界面特異構造の形成機構解明等、多次元かつマルチスケールの特異構造の作製と その形成メカニズ ムの解明、また光物性制御に関する研究を推進した。
窒化物系量子殻・ナノワイヤ結晶の作製と成長機構解明が昨年度までにほぼ完成の域に達したので、2020年度は量子殻の光学特性向上や、半導体発光デバイスへの応用に関して注力した。2019年度にはAlGaN下地殻の挿入による光学特性の改善を報告したが、2020年度はGaInN量子井戸とGaNバリアの成長温度シーケンスの最適化、また昇温時のGaInN量子井戸の熱分解を抑制するための、AlGaNスペーサ挿入により、さらなる光学特性の向上を実現した。一方、デバイス応用のために、p-GaN埋め込み型とトンネル接合経由のn-GaN埋め込み型の２種類の積層構造による電流注入の検討を行った。前者は成長が容易でp-GaN中のアクセプタの活性化も問題なくできるが、電気抵抗が高いため動作電圧上昇、電流が上部に偏る、さらにはレーザーの導波路を形成した際の光伝搬損失増大などの課題がある。他方、n-GaN埋め込み型は、低電気抵抗、均一な電流注入、低光損失など利点を持つが、p-GaN上にn-GaNを成長すると水素の脱出経路が遮断されるため、p-GaN中のアクセプタの活性化が困難という課題もある。2020年度は前者、すなわちp-GaN埋め込み型において、青色量子殻レーザーを作製し、室温パルス発振が達成できたことが最大の成果である。

現在までの達成度 (段落)

令和2年度が最終年度であるため、記入しない。

今後の研究の推進方策

令和2年度が最終年度であるため、記入しない。

研究成果

• [国際共同研究] Hanyan University(韓国)
  • 国名: 韓国
  • 外国機関名: Hanyan University
• [雑誌論文] n-type GaN surface etched green light-emitting diode to reduce non-radiative recombination centers (2021)
  • 著者名/発表者名: DP. Han, R. Fujiki, R. Takahashi, Y. Ueshima, S. Ueda, W. Lu, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki
  • 雑誌名: Applied Physics Letters 巻: 118 ページ: 021102
  • DOI: 10.1063/5.0035343
  • 査読あり
• [雑誌論文] Characterizations of GaN nanowires and GaInN/GaN multi-quantum shells grown by MOVPE (2020)
  • 著者名/発表者名: N. Goto, W. Lu, H. Murakami, M. Terazawa, J. Uzuhashi, T. Ohkubo, K. Hono, S. Kamiyama, T. Takeuchi, M. Iwaya, I. Akasaki
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 巻: 59 ページ: SGGE05
  • DOI: 10.35848/1347-4065/ab70aa
  • 査読あり
• [雑誌論文] GaN-based vertical cavity surface emitting lasers with lateral optical confinements and conducting distributed Bragg reflectors (2020)
  • 著者名/発表者名: R. Iida, Y. Ueshima, W. Muranaga, S. Iwayama, T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Iwaya, I. Akasaki
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 巻: 59 ページ: SGGE08
  • DOI: 10.35848/1347-4065/ab6e05
  • 査読あり
• [雑誌論文] Room-temperature operation of AlGaN ultraviolet-B laser diode at 298 nm on lattice-relaxed Al0.6Ga0.4N/AlN/sapphire (2020)
  • 著者名/発表者名: K. Sato, S. Yasue, K. Yamada, S. Tanaka, T. Omori, S. Ishizuka, S. Teramura, Y. Ogino, S. Iwayama, H. Miyake, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki
  • 雑誌名: Applied Physics Express 巻: 13 ページ: 031004
  • DOI: 10.35848/1882-0786/ab7711
  • 査読あり
• [雑誌論文] MOVPE growth of n-GaN cap layer on GaInN/GaN multi-quantum shell LEDs (2020)
  • 著者名/発表者名: N. Goto, N. Sone, K. Iida, W. Lu, A. Suzuki, H. Murakami, M. Terazawa, M. Ohya, S. Kamiyama, T. Takeuchi, M. Iwaya, I. Akasaki
  • 雑誌名: Journal of Crystal Growth 巻: 539 ページ: 125571
  • DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2020.125571
  • 査読あり
• [雑誌論文] Development of Monolithically Grown Coaxial GaInN/GaN Multiple Quantum Shell Nanowires by MOCVD (2020)
  • 著者名/発表者名: K. Ito, W. Lu, N. Sone, Y. Miyamoto, R. Okuda, M. Iwaya, T. Tekeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki
  • 雑誌名: Nanomaterials 巻: 10 ページ: 1354
  • DOI: 10.3390/nano10071354
  • 査読あり
• [雑誌論文] Internal loss of AlGaN-based ultraviolet-B band laser diodes with p-type AlGaN cladding layer using polarization doping (2020)
  • 著者名/発表者名: T. Omori, S. Ishizuka, S. Tanaka, S. Yasue, K. Sato, Y. Ogino, S. Teramura, K. Yamada, S. Iwayama, H. Miyake, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki
  • 雑誌名: Applied Physics Express 巻: 13 ページ: 071008
  • DOI: 10.35848/1882-0786/ab9e4a
  • 査読あり
• [雑誌論文] In situ wafer curvature measurement and strain control of AlInN/GaN distributed Bragg reflectors (2020)
  • 著者名/発表者名: K. Hiraiwa, W. Muranaga, S. Iwayama, T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Iwaya, I. Akasaki
  • 雑誌名: Applied Physics Express 巻: 13 ページ: 055506
  • DOI: 10.35848/1882-0786/ab88c6
  • 査読あり
• [雑誌論文] Efficiency Enhancement Mechanism of an Underlying Layer in GaInN‐Based Green Light ;Emitting Diodes (2020)
  • 著者名/発表者名: DP. Han, S. Ishimoto, R. Mano, W. Lu, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki
  • 雑誌名: physica status solidi (a) 巻: 217 ページ: 1900713
  • DOI: 10.1002/pssa.201900713
  • 査読あり
• [雑誌論文] Analysis of Spontaneous Subpeak Emission from the Guide Layers of the Ultraviolet‐B Laser Diode Structure Containing Composition‐Graded p‐AlGaN Cladding Layers (2020)
  • 著者名/発表者名: K. Sato, S. Yasue, Y. Ogino, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki
  • 雑誌名: physica status solidi (a) 巻: 217 ページ: 1900864
  • DOI: 10.1002/pssa.201900864
  • 査読あり
• [雑誌論文] Photoluminescence Characterization of Fluorescent SiC with High Boron and Nitrogen Concentrations (2020)
  • 著者名/発表者名: D. Tanaka, W. Lu, S. Kamiyama, M. Iwaya, T. Takeuchi, I. Akasaki
  • 雑誌名: Materials Science Forum 巻: 1004 ページ: 265-271
  • DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.1004.265
  • 査読あり
• [雑誌論文] Thermodynamic analysis of GaInN-based light-emitting diodes operated by quasi-resonant optical excitation (2020)
  • 著者名/発表者名: DP. Han, CH. Oh, DS. Shin, JI. Shim, M. Iwaya, T. Takeuchi, . Kamiyama, I. Akasaki
  • 雑誌名: Journal of Applied Physics 巻: 128 ページ: 123103
  • DOI: 10.1063/5.0008041
  • 査読あり / 国際共著
• [雑誌論文] Room-temperature continuous-wave operations of GaN-based vertical-cavity surface-emitting lasers with buried GaInN tunnel junctions (2020)
  • 著者名/発表者名: K. Kiyohara, M. Odawara, T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Iwaya, I. Akasaki, T. Saito
  • 雑誌名: Applied Physics Express 巻: 13 ページ: 111003
  • DOI: 10.35848/1882-0786/abbe80
  • 査読あり
• [雑誌論文] Voltage-Controlled Anodic Oxidation of Porous Fluorescent SiC for Effective Surface Passivation (2020)
  • 著者名/発表者名: K. Yanai, W. Lu, Y. Yamane, DP. Han, H. Ou, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki
  • 雑誌名: Nanomaterials 巻: 10 ページ: 2075
  • DOI: 10.3390/nano10102075
  • 査読あり
• [雑誌論文] Correlation between Optical and Structural Characteristics in Coaxial GaInN/GaN Multiple Quantum Shell Nanowires with AlGaN Spacers (2020)
  • 著者名/発表者名: W. Lu, Y. Miyamoto, R. Okuda, K. Ito, N. Sone, M. Iwaya, T. Tekeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki
  • 雑誌名: ACS Applied Materials & Interfaces 巻: 12 ページ: 51082-51091
  • DOI: 10.1021/acsami.0c15366
  • 査読あり
• [雑誌論文] Color-tunable emission in coaxial GaInN/GaN multiple quantum shells grown on three-dimensional nanostructures (2020)
  • 著者名/発表者名: W. Lu, K. Ito, N. Sone, R. Okuda, Y. Miyamoto, M. Iwaya, T. Tekeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki
  • 雑誌名: Applied Surface Science 巻: 539 ページ: 148279
  • DOI: 10.1016/j.apsusc.2020.148279
• [雑誌論文] Identifying the cause of thermal droop in GaInN-based LEDs by carrier-and thermo-dynamics analysis (2020)
  • 著者名/発表者名: DP. Han, GW. Lee, SM., Dong-Soo Shin, Jong-In Shim, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki
  • 雑誌名: Scientific Reports 巻: 10 ページ: 1-11
  • DOI: 10.1038/s41598-020-74585-w
  • 査読あり / オープンアクセス / 国際共著
• [雑誌論文] High-quality AlInN/GaN distributed Bragg reflectors grown by metalorganic vapor phase epitaxy (2020)
  • 著者名/発表者名: T. Akagi, Y. Kozuka, K. Ikeyama, S. Iwayama, M. Kuramoto, T. Saito, T. Tanaka, T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Iwaya, I. Akasaki
  • 雑誌名: Applied Physics Express 巻: 13 ページ: 125504
  • DOI: 10.35848/1882-0786/abc986
  • 査読あり
• [雑誌論文] Aperture diameter dependences in GaN-based vertical-cavity surface-emitting lasers with nano-height cylindrical waveguide formed by BCl3 dry etching (2020)
  • 著者名/発表者名: R. Iida, Y. Ueshima, S. Iwayama, T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Iwaya, I. Akasaki, M. Kuramoto, T. Kamei
  • 雑誌名: Applied Physics Express 巻: 13 ページ: 012003
  • DOI: 10.35848/1882-0786/abcfd7
  • 査読あり
• [学会発表] Fabrication of index-guided multi-quantum shell lasers toward room-temperature pulsed lasing operation (2021)
  • 著者名/発表者名: S. Kamiyama T. Takeuchi, M. Iwaya, and I. Akasaki
  • 学会等名: Virtual Workshop on Materials Science and Advanced Electronics Created by Singularity
  • 国際学会
• [学会発表] MOVPE growth and fabrication of multi-quantum-shell-based blue lasers (2021)
  • 著者名/発表者名: S. Kamiyama, W. Lu, N. Sone, T. Takeuchi, M. Iwaya and I. Akasaki
  • 学会等名: The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology
  • 国際学会
• [学会発表] Crystal growth of n-GaN on nanowire-based light emitter including multiple-quantum-shell and tunnel junction (2021)
  • 著者名/発表者名: Y. Miyamoto, N. Sone, W. Lu, K. Ito, R. Okuda, K. Iida, M. Ohya, K. Okuno, K. Mizutani, S. Kamiyama, T. Takeuchi, M. Iwaya and I. Akasaki
  • 学会等名: SPIE Photonics West 2021
  • 国際学会
• [学会発表] Improvement of device performance in UV-B laser diodes (2021)
  • 著者名/発表者名: M. Iwaya, S. Tanaka, Y. Ogino, M. Shimokawa,K. Yamada, T. Omori, S. Ishizuka, S. Teramura,K. Sato, S. Iwayama, T. Takeuchi, S. Kamiyama,I. Akasaki, H. Miyake
  • 学会等名: SPIE Photonics West 2021
  • 国際学会 / 招待講演
• [学会発表] Device fabrication for multiple quantum shell nanowires based laser diodes (2021)
  • 著者名/発表者名: R. Okuda, W. Lu, N. Sone, Y. Miyamoto, K. Ito, K. Iida, M. Ohya, K. Okuno, K. Mizutani, S. Kamiyama, T. Takeuchi, M. Iwaya and I. Akasaki
  • 学会等名: SPIE Photonics West 2021
  • 国際学会
• [学会発表] Emission wavelength control of GaInN/GaN multi-quantum shells /nanowires grown by metalorganic vapour phase epitaxy (2021)
  • 著者名/発表者名: K. Ito, W. Lu, N. Sone, Y. Miyamoto, R. Okuda, S. Kamiyama, T. Takeuchi, M. Iwaya and I. Akasaki
  • 学会等名: SPIE Photonics West 2021
  • 国際学会
• [学会発表] In-situ activation of MOVPE-grown GaN tunnel junctions (2021)
  • 著者名/発表者名: T. Ito, M. Odawara, M. Tasaki, T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Iwaya, and I. Akasaki
  • 学会等名: 13th International Symposium on Advanced Plasma Science and Its Applications for Nitrides and Nanomaterials
  • 国際学会
• [学会発表] 近接昇華法による4H-SiCのB,N高濃度コドーピングに関する検討 (2021)
  • 著者名/発表者名: 山根耀真、Weifang Lu、柳井光佑、上山智、竹内哲也、岩谷素顕、赤﨑勇
  • 学会等名: 第68回応用物理学会春季学術講演会
• [学会発表] 量子殻活性層及びトンネル接合を有するレーザ構造の作製と評価 (2021)
  • 著者名/発表者名: 奥田廉士、Weifang Lu、曽根直樹、飯田一喜、奥野浩司、水谷浩一、宮本義也、伊藤和真、神野幸美、勝呂紗衣、中山奈々美、山村志織、上山智、竹内哲也、岩谷素顕、赤﨑勇
  • 学会等名: 第68回応用物理学会春季学術講演会
• [学会発表] 量子殻/トンネル接合を用いたナノワイヤLD実現に向けたGaN結晶中の不純物ドーピング評価 (2021)
  • 著者名/発表者名: 曽根直樹、宮本義也、奥田廉士、伊藤和真、山村志織、神野幸美、勝呂紗衣、中山奈々美、奥野浩司、水谷浩一、飯田一喜、Weifang Lu、上山智、竹内哲也、岩谷素顕、赤﨑勇
  • 学会等名: 第68回応用物理学会春季学術講演会
• [学会発表] GaInN 系量子殻の光学特性改善のためのGaInN/GaN超格子の検討 (2021)
  • 著者名/発表者名: 中山奈々美、Weifang Lu、曽根直樹、伊藤和真、宮本義也、奥田廉士、勝呂紗衣、神野幸美、山村志織、上山智、竹内哲也、岩谷素顕、赤﨑勇
  • 学会等名: 第68回応用物理学会春季学術講演会
• [学会発表] 2つの手法を組み合わせたシミュレーション法によるナノパターン化基板を用いたGaInN系緑色LEDの光取り出し効率の計算 (2021)
  • 著者名/発表者名: 平松稜也, 韓東杓, 眞野稜也, 高橋遼, 藤木領人, 澤井奏人, 寶藏圭祐、上山智, 竹内哲也、 岩谷素顕, 赤﨑勇
  • 学会等名: 第68回応用物理学会春季学術講演会
• [学会発表] 量子殻デバイスへのトンネル接合導入のためのm面GaN基板上トンネル接合成長に関する検討 (2021)
  • 著者名/発表者名: 山村志織、宮本義也、曽根直樹、Weifang Lu、奥田廉士、伊藤和真、神野幸美、中山奈々美、勝呂紗衣、奥野浩司、水谷浩一、飯田一喜、上山智、竹内哲也、岩谷素顕、赤﨑勇
  • 学会等名: 第68回応用物理学会春季学術講演会
• [学会発表] トンネル接合を用いた量子殻レーザの実現に向けたn-GaNへの電極形成に関する検討 (2021)
  • 著者名/発表者名: 神野幸美, 奥田廉士, 水谷浩一, 奥野浩司, 飯田一喜, 宮本義也, 山村志織, 曽根直樹, 伊藤和真, 勝呂紗衣, Weifang Lu、中山奈々美、上山智、竹内哲也、岩谷素顕、赤崎勇
  • 学会等名: 第68回応用物理学会春季学術講演会
• [学会発表] AlGaN系UV-B LD構造における注入効率向上に関する検討 (2021)
  • 著者名/発表者名: 薮谷歩武，大森智也，田中隼也，山田和輝，佐藤恒輔，岩山章，岩谷素顕，竹内哲也，上山智，赤﨑勇，三宅秀人
  • 学会等名: 第68回応用物理学会春季学術講演会
• [学会発表] 高温スパッタ法によるScAlMgO4基板上AlNバッファ層の検討 (2021)
  • 著者名/発表者名: 寶藏圭祐、韓東杓、眞野稜也、高橋遼、藤木領人、平松稜也、澤井奏人、上山智、竹内哲也、岩谷素顕、赤﨑勇、福田承生、藤井高志
  • 学会等名: 第68回応用物理学会春季学術講演会
• [学会発表] GaInN系量子殻LEDのEL特性 (2021)
  • 著者名/発表者名: 勝呂紗衣、Weifang Lu、伊藤和真、中山奈々美、曽根直樹、奥田廉士、宮本義也、神野幸美、山村志織、上山智、竹内哲也、岩谷素顕、赤﨑勇
  • 学会等名: 第68回応用物理学会春季学術講演会
• [学会発表] 量子殻特異構造の作製と光デバイス応用 (2021)
  • 著者名/発表者名: 上山智、竹内哲也、岩谷素顕、赤﨑勇
  • 学会等名: 第68回応用物理学会春季学術講演会
  • 招待講演
• [学会発表] ITOを用いた窒化物半導体量子殻LED長波長発光デバイスの作製 (2020)
  • 著者名/発表者名: 伊藤和真、Weifang Lu、曽根直樹、宮本義也、奥田廉士、上山智、竹内哲也、岩谷素顕、赤﨑勇
  • 学会等名: 第12回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
• [学会発表] トンネル接合を用いた屈折率導波型量子殻レーザ構造の検討 (2020)
  • 著者名/発表者名: 奥田廉士、Weifang Lu、曽根直樹、飯田一喜、大矢昌輝、奥野浩司、水谷浩一、宮本義也、伊藤和真、上山智、竹内哲也、岩谷素顕、赤﨑勇
  • 学会等名: 第８１回応用物理学会秋季学術講演会
• [学会発表] トンネル接合を用いた量子殻LD 実現に向けた結晶成長評価 (2020)
  • 著者名/発表者名: 曽根直樹、奥田廉士、宮本義也、伊藤和真、飯田一喜、奥野浩司、水谷浩一、大矢昌輝、Weifang Lu、上山智、竹内哲也、岩谷素顕、赤﨑勇
  • 学会等名: 第８１回応用物理学会秋季学術講演会
• [学会発表] ミスト供給法を用いたAlInN層の熱酸化の低温化 (2020)
  • 著者名/発表者名: 松本浩輝、岩山章、小出典克、小田原麻人、竹内哲也、上山智、岩谷素顕、丸山隆浩、赤崎 勇
  • 学会等名: 第８１回応用物理学会秋季学術講演会
• [学会発表] GRIN-SCH構造を用いたAlGaN系UV-Bレーザダイオードの最適化 (2020)
  • 著者名/発表者名: 田中隼也、佐藤恒輔、安江信次、荻野雄矢、山田和輝、石塚彩花、手良村昌平、岩山章、岩谷素顕、竹内哲也、上山智、赤﨑勇、三宅秀人
  • 学会等名: 第８１回応用物理学会秋季学術講演会
• [学会発表] ナノパターンを形成したAlNおよび Al0.55Ga0.45N上へのAl0.55Ga0.45Nの結晶成長 (2020)
  • 著者名/発表者名: 手良村昌平、下川萌葉, 岩山章, 岩谷素顕 , 竹内哲也, 上山智, 赤﨑勇、正直花奈子、三宅秀人
  • 学会等名: 第８１回応用物理学会秋季学術講演会
• [学会発表] サファイア基板上AlGaN材料UVBレーザダイオード の構造検討 (2020)
  • 著者名/発表者名: 佐藤恒輔，山田和輝, 石塚 彩花,田中隼也, 大森智也, 手良村昌平, 岩山章, 三宅秀人,岩谷 素顕, 竹内哲也, 上山智, 赤﨑勇
  • 学会等名: 第８１回応用物理学会秋季学術講演会
• [学会発表] 組成傾斜AlGaNクラッド層を用いた UV -B LDの内部ロス評価 (2020)
  • 著者名/発表者名: 大森智也、石塚彩花、田中隼也、佐藤恒輔、安江信次、荻野雄矢、山田和輝、手良村昌平、岩山章、岩谷素顕、竹内哲也、上山智、赤﨑勇、三宅秀人
  • 学会等名: 第８１回応用物理学会秋季学術講演会
• [学会発表] UV -B LDにおける分極ドーピングp型AlGaNクラッド層のAl組成およびMg濃度依存性 (2020)
  • 著者名/発表者名: 山田和輝、佐藤恒輔、大安江信次、田中隼也、手良村昌平、荻野雄矢、大森智也、石塚彩花、岩山章、岩谷素顕、竹内哲也、上山智、赤﨑勇、三宅秀人、寒川義裕、K. Sakowski
  • 学会等名: 第８１回応用物理学会秋季学術講演会
• [学会発表] 高品質AlGaN結晶の結晶成長とその上に作製したUV-B半導体レーザ (2020)
  • 著者名/発表者名: 岩谷素顕、佐藤恒輔、田中隼也、手良村昌平、大森智也、山田和輝、石塚彩花、下川萌葉、荻野雄矢、岩山章、竹内哲也、上山智、赤﨑勇、三宅秀人
  • 学会等名: 第８１回応用物理学会秋季学術講演会
  • 招待講演
• [学会発表] 高温アニールしたスパッタAlNテンプレート上に成長した Al 0.6Ga 0.4N厚膜のホモエピタキシャルAlN層依存性 (2020)
  • 著者名/発表者名: 下川萌葉，手良村昌平，岩山章，岩谷素顕，竹内哲也，上山智，赤﨑勇，三宅秀人
  • 学会等名: 第49回結晶成長国内会議
• [学会発表] AlGaN UVB レーザダイオードのキャリア注入効率の算出 (2020)
  • 著者名/発表者名: 佐藤恒輔、大森智也、山田和輝、田中隼也、石塚彩花、手良村昌平、岩山章、岩谷素顕、三宅秀人、竹内哲也、上山智、赤﨑勇
  • 学会等名: 電子情報通信学会レーザ・量子エレクトロニクス研究会
• [学会発表] 量子殻活性層およびトンネル接合を有するナノワイヤ発光デバイス実現に向けた結晶成長に関する検討 (2020)
  • 著者名/発表者名: 宮本義也、曽根直樹、Weifang Lu、奥田廉士、伊藤和真、奥野浩司、飯田一喜、上山智、竹内哲也、岩谷素顕、赤﨑勇
  • 学会等名: 電子情報通信学会レーザ・量子エレクトロニクス研究会